Metal/n-Si/Au-Sb schottky diyod yapılarında I-V karakteristiklerinin incelenmesi
Investigation of the I-V characteristics in the metal/n-Si/Au-Sb schottky diode structures
- Tez No: 183946
- Danışmanlar: DOÇ.DR. HÜSNÜ SALİH GÜDER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç vedoğrultma oranı, Schottky diode, ideality factor, barrier height, series resistance andrectifying ratio
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Mustafa Kemal Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZETMETAL/n-Si/Au-Sb SCHOTTKY D YOT YAPILARINDAI-V KARAKTER ST KLER N N NCELENMESBu çalışmada [100] yönelimine sahip, fosfor katkılı, Ï = 5 ~ 10 â¦-cm özdirençliµ n = 1450 cm2/Vs olan n-tipi silisyum kristali kullanıldı. Isısalve mobilitesibuharlaştırma yöntemiyle Bi, Ni, Fe, Sn, Cd ve Pb metalleri kullanılarak altı farklıSchottky diyot yapısı oluşturuldu. Diyotların elektriksel karakteristiğini incelemek için,oda sıcaklığında ve karanlıkta, -1V ile +1V gerilim aralığında akım-gerilim ölçümleriyapıldı.Verilerin termiyonik emisyon teorisi ile incelenmesinden, idealite faktörü veengel yüksekliği değerlerinin sırasıyla 1.087-1.284 ve 0.623-0.884 eV aralığındaoldukları bulundu. Cheung fonksiyonlarından idealite faktörü, engel yüksekliği ve seridirenç değerleri ayrıca hesaplandı. dealite faktörü ve engel yüksekliği değerlerinintermiyonik emisyon teorisinden bulunan sonuçlarla uyum içinde olduğu belirlendi. Seridirenç değerlerinin diyottan diyota farklılık gösterdiği, Ni, Bi, Fe, Sn, Cd ve Pbmetalleri için sırasıyla 1. Cheung fonksiyonundan 96.86, 166.73, 3086.72, 4501.81,51104.20 ve 318447 ve 2. Cheung fonksiyonundan 98.04, 170.34, 3146.06, 4526.10,51299.30 ve 355003.00 olduğu bulundu. Yarıiletkenin gövde direnci çok düşükolmasına rağmen, farklı metaller için seri direncin gövde direncine kıyasla çok büyükdeğerler alması, metal ile yarıiletken arasındaki arayüzey tabakasının etkisiyleaçıklandı.Doğrultma oranlarının incelenmesinden, en yüksek doğrultma oranına sahip olandiyotun Bi/n-Si olduğu bulundu. Çalışma sınırları içerisinde, Bi/n-Si Schottky diyot endüşük idealite faktörü, en düşük engel yüksekliği, en düşük seri direnç ve en yüksekdoğrultma oranıyla en ideal diyot olarak belirlendi.2006, 61 Sayfa
Özet (Çeviri)
ABSTRACTINVESTIGATION OF THE I-V CHARACTERISTICSIN THE METAL/n-Si/Au-Sb SCHOTTKY DIODE STRUCTURESIn this work, [100] oriented, phosphororus doped, n-type silicon crystal with aresistivity of Ï = 5 ~ 10 â¦-cm and mobility of µ n = 1450 cm2/Vs has been used. Sixdifferent Schottky diodes have been fabricated using Bi, Ni, Fe, Sn, Cd and Pb metalsby resistive evaporation method. In order to investigate the electrical characteristics ofthe diodes, current-voltage measurements have been done between -1V and +1Vpotential interval, at room temperature and in the dark.Ideality factors and barrier heights have been found to be in the interval of1.087-1.284 and 0.623-0.884 eV from the investigation of the data with termionicemission theory, respectively. Ideality factor, barrier height and series resistance valueshave also been calculated by Cheung?s functions. Ideality factors and barrier heightshave been found to be consistent with the results of ve termionic emission theory. Seriesresistance values have been found to change from one diode to to another andcalculated by first Cheung?s function as 96.86, 166.73, 3086.72, 4501.81, 51104.20 and318447.00 , and by second Cheung?s function as 98.04, 170.34, 3146.06, 4526.10,51299.30 and 355003.00 for Ni, Bi, Fe, Sn, Cd and Pb metals, respectively. Althoughbulk resistivity of the semiconductor is very small, the fact that, very great values of theseries resistance compare to bulk resistivity have been explained with the effect ofinterface states between metal and semiconductor.The Bi/n-Si Schottky diode has been found to have the highest rectifying ratiofrom the rectifying ratio investigations. The Bi/n-Si Schottky diode has been determinedas ideal diode with the least ideality factor, the least barrier height, the least seriesresistance and the highest rectifying ratio values, in the limits of this work.2006, 61 Pages
Benzer Tezler
- Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi
Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures
ENİSE ÖZERDEN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Au/n-InP ve Au/Pyronine-B/n-InP Schottky yapıların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependence of electrical characteristics of Au/n-InP and Au/Pyronine-B/n-InP Schottky structures
MURAT SOYLU
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. BAHATTİN ABAY
- Au/TiO2/n-Si/Au Schottky engelinin diyot parametrelerinin sıcaklığa ve frekansa bağlı incelenmesi
Temperature and frequency depent investigation of diode parameters of Au/TiO2/n-Si/Au Schottky barrier
MURAT SEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN ÖZER
- In2S3 ince filminin n–InP altlık üzerine kimyasal püskürtme metoduyla büyütülmesi ve üretilen Au/n–InP/In ve Au/In2S3/n–InP/In yapıların numune sıcaklığına bağlı olarak elektriksel karakteristiklerinin karşılaştırılması
Deposition of In2S3 thin film on n–inp substrate by chemical spray pyrolysis method and comparison of depending on sample temperature electrical characteristics of produced Au/n–InP/In and Au/In2S3/n–InP/In structures
TUBA ÇAKICI
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) yapıların hazırlanması ve temel elektriksel özelliklerinin ışık altında incelenmesi
The preperation of Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) structures and investigation of main electrical characteristics under illumination
UMUT AYDEMİR
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL