Au/TiO2/n-Si/Au Schottky engelinin diyot parametrelerinin sıcaklığa ve frekansa bağlı incelenmesi
Temperature and frequency depent investigation of diode parameters of Au/TiO2/n-Si/Au Schottky barrier
- Tez No: 321654
- Danışmanlar: DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 100
Özet
Bu çalışmada, [100] yönelimli, 380 ?m kalınlığında ve 1x1018cm?3 taşıyıcı yoğunluğuna sahip n-tipi Si yarıiletken üzerine, metal buharlaştırma metodu ile yüksek vakumda Au/TiO2/n-Si/Au yapısı hazırlandı. UHV magnetron püskürtme sisteminde, Ar+O2 gaz ortamında yüksek safsızlıktaki (99,999%) Ti kaynağı kullanılarak n tipi Si üzerine TiO2 ince film oluşturuldu. Bu yapının bazı temel elektriksel parametreleri 120?400 K sıcaklık aralığında incelendi. Hazırlanan bu yapıların 120?400 K sıcaklık aralığında yapılan akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden; idealite faktörü (n), Schottky engel yüksekliği (?B) ve diğer bazı diyot parametreleri hesaplandı. Oda sıcaklığında idealite faktörü ve engel yüksekliği sırasıyla 3,20 ve 0,771 eV olarak bulundu. Sıcaklık artışıyla idealite faktörünün azaldığı engel yüksekliğinin ise arttığı gözlendi. Ek olarak, oda sıcaklığında ışık altında bazı diyot parametreleri hesaplandı. Işık kaynağı kullanılarak 10?250 watt arası kaynağın çıkış güçlerinde akım-gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı.Bu yapının bazı elektriksel parametreleri; difüzyon potansiyeli (Vd), engel yüksekliği (?B), donor konsantrasyonu (ND), tüketim tabakası genişliği (WD) ve yalıtkan tabaka kalınlığı (?), 120 K?400 K sıcaklık aralığında 1 MHz frekansta ve oda sıcaklığında farklı frekanslarda kapasitans-gerilim (C-V) karakteristikleri ile hesapladı. Oda sıcaklığındaki C-V ölçümlerinden engel yüksekliği ve donor konsantrasyonu sırasıyla 0,761 eV, 1,92x1016 cm?3 olarak hesaplandı.Anahtar Kelimeler : Schottky Engeli, Metal Yarıiletken Kontaklar, Diyot Parametreleri, TiO2
Özet (Çeviri)
In this study, Au/TiO2/n-Si/Au structure was prepared on n-type Si semiconductor with orientation (100), having 380 ?m thickness and carriers concentration of 1x1018 cm-3 by metal evaporation method in the high vacuum. TiO2 thin film was deposited by UHV magnetron sputtering system using high purity (99,999%) Ti target, in Ar+O2 gas mixtures on n type Si substrate. Some basic electrical parameters of this sample were investigated in the temperature range of 120-400 K. Prepared structure's current-voltage (I-V) specifications has been calculated in 120-400 K temperature ranges and ideality factor (n), Schottky barrier heights (?B) and other related diode parameters has been evaluated. At room temperature barrier height and ideality factor has been determined as 0.761 eV and 3.2 respectively. It has been observed that ideality factor decreases, barrier height increases as temperature increases. In addition, the same diode parameters have been calculated at room temperature under light conditions. Current-voltage (I-V) has been measured with different output powers of 10-250 watt using the Light Source.Some electrical parameters of this sample, for example diffusion voltage (Vd), barrier height (?B), donor concentration (ND), depletion layer width (WD) and insulation layer thickness (?) were evaluated in the range of 120 K-400 K at 1 MHz frequency and different frequencies at room temperature by capacitance-voltage (C-V) characteristics. At room temperature, barrier height and donor concentration have been calculated as 0,761 eV, 1,92x1016 cm-3 respectively from C-V measurements.Key Words : Schottky barrier, Metal Semiconductor Contacts, Diode Parameters, TiO2
Benzer Tezler
- Püskürtme tekniği ile elde edilen TiO2 filminin yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of structural and electrical analyses of TiO2 films deposited by sputtering method
YUNUS ÖZEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. PERİHAN DURMUŞ
- Au/TiO2/n-Si (MIS) yapının elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of electrical properties of Au/TiO2/n-Si (MIS) structure
HAKAN TANRIKULU
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures
ARDEN ERKOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ
- Nano-fotokatalitik malzeme üretimi, karakterizasyonu ve fotokatalitik performans incelemesi
The production and characterization of nano-photocatalytic materials and investigation of their photocatalytic performances
EMRE ALP
Doktora
Türkçe
2019
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET KÜRŞAT KAZMANLI
DOÇ. DR. AZİZ GENÇ
- Au/tio2/n-4h-sic (mıs) schottky diyotların elektrik ve dielektrik özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi
Frequency dependent electric and dielectric properties of au/tio2/n-4h-sic (mis) schottky diodes
ESRA ERBİLEN TANRIKULU
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH GÜNEN