Düşük altlık sıcaklıklarında üretilen CdTe ince filmlere CdCl2'ün etkisinin incelenmesi
Effects of CdCl2 treatment on properties of CdTe thin films grown at low substrate temperatures
- Tez No: 212074
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. EMİN BACAKSIZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: CdTe, CdCl2, X-Isını Kırınımı, Yüzeysel Özellikler, Optik Özellikler, Elektriksel Özellikler, Tavlama, CdTe, CdCl2, X-Ray Diffraction, Morphological Properties, Optical Properties, Electrical Properties, Annealing
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Karadeniz Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalısmada, ısıl buharlastırma yöntemi ile CdTe ince filmler cam altlıklar üzerinde elde edildi. -73 °C ve 27 °C altlık sıcaklıklarında üretilen CdTe ince filmlere iki farklı durumda ısıl islem uygulandı: (i) 400 °C'de tavlama ve (ii) 400 °C'de CdCl2/tavlama. Bu filmlerin yapısal, yüzeysel, optik ve elektriksel özellikleri XRD, SEM, sogurma ve özdirenç ölçümleri kullanılarak yapıldı. -73 °C ve 27 °C altlık sıcaklıklarında üretilen CdTe ince filmler (111) yansıma düzlemleri dogrultusunda kübik yapıda büyüdü. Bu filmlerin karakteristik (111) pik siddetleri yukarıda bahsedilen islemlerden sonra arttı. Filmlerin yüzey fotografları taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanılarak elde edildi. CdTe filmlerinin tane büyüklügü tavlamayla degismemesine karsın, CdCl2 çökeltilmis CdTe filmlerinin tane büyüklügü ise tavlama islemiyle arttıgı görüldü. CdTe filmlerinin yasak enerji aralıgı tavlamayla degismezken, CdCl2/tavlama islemiyle CdTe filmlerinin yasak enerji aralıgının ise azaldıgı gözlendi. CdTe ince filmlerinin özdirenç degerleri dört nokta yöntemi kullanılarak ölçüldü. -73 °C altlık sıcaklıgında üretilen filmin özdirenç degeri × 5W× cm 1,4 10 iken, bu deger tavlamayla × 7W× cm 5 10 'ye yükseldi. Fakat, CdCl2/tavlama islemi sonrası ise özdirenç degeri × 6W× cm 5 10 olarak bulundu. Benzer sonuçlar 27 °C altlık sıcaklıgında üretilen filmlerde de gözlendi.
Özet (Çeviri)
In this study, the CdTe thin films were deposited onto glass substrates with thermal evaporation technique. The CdTe films, which were produced at -73 °C and 27 °C substrate temperatures, were heat treated at two different conditions: (i) annealed at 400 °C and (ii) CdCl2/annealed at 400 °C. The structural, morphological, electrical and optical properties of these films were investigated using XRD, SEM, absorption and resistivity measurements. CdTe thin films produced at -73 °C and 27 °C substrate temperatures grew in the cubic form with a characteristic peak (111). It was seen that the intensities of the characteristic diffraction peak of these films increased after the above mentioned treatments. The surface morphology of films was obtained by using SEM. Although the grain size of the CdTe films did not change with annealing, it was seen that the grain size of CdCl2 deposited CdTe films was increased with annealing. Although the energy band gap of the CdTe film did not vary with annealing, it was observed that the band gap energy of the CdCl2/annealed CdTe films was decreased. The resistivity values of CdTe thin films were measured by using four point method. The resistivity value of the film obtained at -73 °C substrate temperature was × 5W× cm 1,4 10 and this value rised to × 7W× cm 5 10 upon annealing. However it was found that the resistivity was increased to × 6W× cm 5 10 after CdCl2/annealing treatment. Similar results were also observed for CdTe films produced at 27 °C substrate temperature.
Benzer Tezler
- Synthesis & characterization of CdSe/ZnS quantum dots
CdSe/ZnS kuantum noktalarının sentezi ve karakterizasyonu
HAKAN AYDIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
İstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- CdS ince film örneklerinin soğuk altlık üzerinde üretilmesi, yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Preparation of CdS thin films on cold substrate and investigation of structural, electrical and optical properties
MURAT TOMAKİN
- Toz metalurjisi yöntemi ile üretilen Cu-%25Cr elektrik kontak malzemesinin sinterlenme davranışlarının incelenmesi
An Investigation in the sintering behavior of the Cu-25wt%Cr electrical contact materials produced by powder metallurgy technique
HALİL İBRAHİM BAKAN
- Tek kristal p–si temelli ın/n-cds/p-si/al heteroeklemlerin iki farklı teknik ile üretilmesi ve incelenmesi
Production and examination of single crystal p–si based in/n-cds/p-si/al heterojunctions with two different techniques
HYAM DULLİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2026
Recep Tayyip Erdoğan ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- Li-iyon piller için fiziksel buhar biriktirme (PVD) ile Zn/ZnO nanokompozit elektrodların geliştirilmesi
Development of Zn/ZnO nanocomposite electrodes via physical vapor deposition for lithium-ion batteries
YASEMİN AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Sakarya ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...