Geri Dön

Investigation of structural, optical and electrical characteristics of ZnO-SnO2 thin films deposited by filtered vacuum arc deposition system

Filtreli vakum ark depolama sistemiyle üretilen ZnO-SnO2 ince filmlerin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

  1. Tez No: 212519
  2. Yazar: EDA ÇETİNÖRGÜ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. YÜKSEL UFUKTEPE
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Filtreli Vakum Ark, ZnO-SnO2, Optik Karakterizasyon, Özdireç, Kimyasal ve Termal Dayanıklılık, Filtered Vacuum Arc, ZnO-SnO2, Optical Characterization, Resistivity, Chemical and Thermal Stability
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Çukurova Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 329

Özet

Araştırma konusunun amaçları ZnO-SnO2 ince filmleri FVAD sistemini kullanarak depolamak, ve depolama koşullarının etkileri ve depolama sonrası tavlama işleminin depolanan filmlerin özelliklerine etkisinin araştırılmasıydı. Kimyasal komposisyon, kristal yapı, yüzey morfolojisi, elektriksel özdirenç ve optik özellikler belirlendi. Ek olarak, depolanan ZnO-SnO2 ince filmlerin karakteristikleri aynı FVAD sistemini kullanarak üretilen ZnO, ve SnO2 ince filmler ile karşılaştırıdı. Depolanan filmlerin kimyasal ve ısısal kararlıklarıda aynı zamanda test edildi. ZnO-SnO2 ince filmler farklı Sn atomik konsantrasyonları içeren çinko katotlar kullanılarak UV fuse silica (UVFS) ve cam alttabanlar üzerine FVAD sistemiyle üretildi. Filmler farklı oksijen basınç, ark akım, ve alttaban sıcaklıkları kullanılarak depolandı. Oksijen basıncı 0.53 Pa -1.06 Pa aralığında alındı. Alttaban sıcaklığı oda sıcaklığı, 200 veya 400oC olarak ayarlandı. Vakum ark akımı 150-300 A ve depolama zamanı 60-240 s aralığındaydı. Ek olarak, depolanan filmlerin özelliklerinin hava veya argon atmosferinde iyileştiği depolama sonrası uygulanan tavlama ve testle belirlendi.

Özet (Çeviri)

The objectives of the present research were the deposition of zinc stannate thin films using FVAD system, and the investigation of the effect of deposition conditions and the post-deposition annealing on the properties of deposited films. The chemical concentration, crystal structure, surface morphology, electrical resistivity and optical properties were determined. In addition, the characteristics of the zinc stannate thin films were compared with those of ZnO and SnO2 thin films deposited using the same FVAD system. Chemical and thermal stability of the deposited films were also determined. The ZnO-SnO2 thin films were deposited using zinc cathodes that contained Sn with different atomic percentages by filtered vacuum arc deposition (FVAD) system on UV fused silica (UVFS) and glass substrates. The films were deposited using a range of background oxygen pressure, arc current, and substrate temperature. The oxygen background pressure was in the range 0.53 to 1.06 Pa. The substrate temperature was room temperature, 200 or 400 °C. The arc current of the vacuum arc was in the range 150 to 300 A and the deposition time was 60 s to 240 s. In addition, post-deposition annealing was applied and tested whether it improves the properties of deposited films in air or argon atmospheres.

Benzer Tezler

  1. Kimyasal püskürtme yöntemiyle hazırlanan ZnO mikroçubukların bazı yapısal, optik ve schottky diyot özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of some structural, optical and schottky diode properties of ZnO microrods prepared by spray pyrolysis method

    EDA ABBASOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKaradeniz Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TAYFUR KÜÇÜKÖMEROĞLU

  2. Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction

    ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri

    YELİZ KÖSE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN

  3. Preparation of indium tin oxide thin films and investigation of hydrogen post-treatment effect

    İndiyum kalay oksit ince filmlerin hazırlanması ve hidrojen ile indirgeme etkisinin incelenmesi

    GÖKÇEN GÖKÇELİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİLGÜN YAVUZ

  4. Investigation on structural, optical and electrical properties and behaviour against gamma irradiation of Al: ZnO thin films prepared by sol-gel spin coating method

    Sol-gel döndürerek kaplama ile hazırlanan Al: ZnO filmlerin yapısal, optik, elektrik özelliklerinin ve radyasyona karşı davranışlarının incelenmesi

    MELİHA TEKİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    DOÇ. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN

    PROF. DR. EYÜP SABRİ KAYALI

  5. Döndürerek kaplama yöntemiyle farklı tavlama sıcaklıklarında üretilen ZnO yarıiletken filmlerinin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of the some physical properties of ZnO semiconductor films produced by spin coating method at different annealing temperatures

    SENA ALTUNCU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MEHMET PEKER