Katmanlı ferroelektrik TlGaSe2 kristalinin yüksek sıcaklıklarda iletkenlik mekanizmasının incelenmesi
The investigation of conductivity mechanism of layered ferroelektric TlGaSe2 crystal at high temperature
- Tez No: 214058
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ERDOĞAN ŞENTÜRK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Kompleks Empedans, durulma zamanı, sıçrama yüksekliği, sıçrama mesafesi, Complex Impedance, Relaxation time, Hopping height, Hopping distance
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sakarya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 64
Özet
Bu çalışma, TlGaSe2 kristalinin yüksek sıcaklıkta iletkenlik ve durulma mekanizmasının incelenmesini kapsamaktadır.Ferroelektrik TlGaSe2 kristalinin empedansının reel ve imajiner kısımlarının sıcaklığa ve frekansa bağlılığı incelenmiştir. Ölçümler 298?468 K ile 100 Hz?80 kHz aralığında ve empedans spektroskopi yöntemi ile gerçekleştirilmiştir. Malzemenin durulma olaylarının gerçekleştiği sıcaklıklar tayin edilmiştir. Bunun yanı sıra aynı sıcaklık ve frekans aralığında iletkenlik mekanizması incelenmiş ve iletkenlik davranışı CBH modeli ile açıklanmıştır.Son olarak, elde ettiğimiz deneysel veriler teorik formülasyonlara fit edilmiş ve bu fit işlemleri sonunda sıcaklığa bağlı durulma zamanı, sıçrama yüksekliği ve sıçrama mesafesi hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this work, relaxation and conductivity mechanism of layered ferroelectric TlGaSe2 crystal investigated at high temperature.The measurements of the frequency and temperature dependence of real and imaginary part of impedance for ferroelectric TlGaSe2 were carried out at the temperature range 298?468 K and frequency range 100 Hz- 80 kHz. In this frequency and temperature interval, the conductivity mechanism of material has been explained.with.CBH.model.Finally, the data getting from experimental were fitted to the theory and the temperature dependence of the relaxation time, hopping height and hopping distance were.calculated.
Benzer Tezler
- A3B3C62 yarı iletken ferroelektriklerin dielektrik spektroskopi yöntemi ile incelenmesi
Investigation of A3B3C62 ferroelectirics semiconductor with dielectric spectroscopy
YAKUP BAKIŞ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI
- Fe3+ katkılı katmanlı üçlü talyum kalkojenlerde yapısal faz geçişlerinin elektron paramanyetik rezonans tekniği (EPR) ile incelenmesi
Investigation of structural phase transitions in Fe3+ doped ternary thallium chalcogenides by electron paramagnetic resonance technique (EPR)
MUHAMMED AÇIKGÖZ
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FAİK MİKAİLOV
- TIInS2 ve TIGaSe2 katmanlı ferroelektrik kristallerinde faz geçişleri ve dielektrik özelliklerin incelenmesi
The investigation of dielectric properties and phase transitions in TIInS2 ve TIGaSe2 layered ferroelectric crystals
ERDOĞAN ŞENTÜRK
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN BAŞARAN
- TlInS2, TlGaS2 ve TlGaSe2 bileşiklerinin elektron paramanyetik rezonans yöntemi ile incelenmesi
Electron paramagnetic resonance studies of TlInS2, TlGaS2 and TlGaSe2 compounds
SİNAN KAZAN
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FAİK MİKAİLOV
- AIII BIII C2VI yarı iletken kristallerinin fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi
Investigation photovoltaic properties of AIII BIII C2VI semiconductor crystals
GÖKHAN ALTUNOYMAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY