III-N tipi yarıiletkenler ile berilyum kalkojenlerin yapısal elektronik ve titreşim özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural electronic and vibrational properties of III-N materials and beryllium chalcogenides
- Tez No: 216040
- Danışmanlar: PROF. DR. HÜSEYİN MURAT TÜTÜNCÜ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sakarya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 204
Özet
Bu tezin amacı III-N materyallerinin (BN, AlN, GaN ve InN), Berilyum-kalkojenlerin (BeS, BeSe ve BeTe) ve onların (110) yüzeylerinin yapısal, elektronik ve titreşim özelliklerini teorik olarak incelemektir. Çinko-sülfür yapıdaki III-N yarıiletkenlerinin, Be-kalkojenlerin ve (110) yüzeylerinin bu özellikleri, düzlem dalga yapay potansiyel metodu, yoğunluk fonksiyon teorisi, lineer tepki metodu ve süper hücre yaklaşımı kullanılarak çalışılmıştır. Bu konunun seçilmesinin nedeni, geniş bant aralıklı ve oldukça sert olan bu materyallerin elektronik, opto-elektronik ve yarıiletken aygıtlarda kullanılmaya çok uygun olmalarıdır. Bu ilginç özellikleri nedeniyle bu yarıiletkenlerin hacim özellikleri üzerine oldukça fazla sayıda çalışma yapılmıştır. Böylece bu materyallerin taban durumu özellikleri çok iyi anlaşılmasına rağmen, onların yüzeylerinin yapısal, elektronik ve titreşim özellikleri daha az çalışılmıştır ve henüz tamamlanmamıştır. Özellikle, Be-kalkojenlerin (110) yüzeyleri ile ilgili literatürde teorik veya deneysel hiçbir çalışma yoktur. Bu nedenle, bu yarıiletkenlerin ve (110) yüzeylerinin yapısal, elektronik ve titreşim özelliklerinin çalışılması, teknolojik uygulamalar için çok faydalı olacaktır.Tez çalışmasının ilk dört bölümünde literatür bilgileri, incelenen yarıiletkenlerin ve (110) yüzeylerinin kristal yapıları, yarıiletkenlerin incelenmesinde kullanılan deneysel teknikler ve yoğunluk fonksiyon teorisi hakkında bilgi verilmiştir. Beşinci ve altıncı bölümlerde sırasıyla III-N yarıiletkenlerinin ve Be-kalkojenlerin yapısal, elektronik ve titreşim özellikleri için elde edilen sonuçlar sunulmuştur. Bir sonraki yedinci bölümde III-N(110) yüzeyleri için aynı özellikler anlatılmış ve geniş bir şekilde tartışılmıştır. Sekizinci bölümde BeS(110), BeSe(110) ve BeTe(110) yüzeyleri için elde edilen sonuçlar literatürde ilk defa bu tezde sunulmuştur. Son bölümde ise elde edilen sonuçlar tartışılmış ve ileride yapılması planlanan çalışmalardan bahsedilmiştir.
Özet (Çeviri)
The aim of this thesis is to investigate structural, electronic and dynamical properties of III-nitride materials (BN, AlN, GaN and InN), Beryllium-chalcogenides (BeS, BeSe and BeTe) and their (110) surfaces, theoretically. These properties of the zinc-blende bulk phase and the (110) surface of III-nitrides and Be-chalcogenides have been studied by employing the plane-wave pseudopotential method, density functional theory, linear response technique and supercell approach. The reason for choosing this topic is that these materials are very suitable for applications in electronic, opto-electronic and semiconductor devices because of their large band gaps and hardness. Due to these interesting properties, there has been great interest in the study of bulk properties of these semiconductors. Although the ground state properties of these materials are well understood now, studies of structural, electronic and vibrational properties of their surfaces are fewer and incomplete. In particular, theoretical or experimental investigations of Be-chalcogenide (110) surfaces are still lacking from the literature. Thus, it is important to determine structural, electronic and vibrational properties of these semiconductors and their (110) surfaces in order to succesfully apply them to technological devices.In the first four chapter of this thesis, previous studies, crystal structures of these semiconductors and their surfaces, experimental techniques and density functional theory have been explained. In the fifth and sixth chapter, we have presented our structural, electronic and vibrational results for bulk III-N materials and Be-chalcogenides, respectively. The same properties of III-N(110) surfaces are presented and widely discussed in the chapter seven. In the chapter eight, investigations of BeS(110), BeSe(110) and BeTe(110) surfaces have been presented firstly in the literature. In the last chapter, our results have been discussed as well as the possible future works.
Benzer Tezler
- III-N tipi yarıiletkenlerin örgü dinamiğinin adyabatik bağ yükü modeli ile incelenmesi
An Investigation of III-N type semiconductors' lattice dynamics using the adiabatic bond charge model
SITKI DUMAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. İBRAHİM OKUR
- İki boyutlu yarıiletken TMDC malzemelerin katkılanması ve optik/elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Doping of two-dimensional semiconductor TMDC materials and characterisation of optical/electrical properties
YUSUF KEREM BOSTAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Bilim ve Teknolojiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FAHRETTİN SARCAN
- Bazı III-V ve II-VI bileşik yarı iletkenlerde elektriksel ve optik karakterizasyon
Başlık çevirisi yok
SEYDİ DOĞAN
Doktora
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
- Structural, electrical and optical characterization of N-and Si-implanted GaSe single crystal grown by Bridgman method
Bridgman yöntemi ile büyütülen N-ve Si-ekilmiş GaSe tek kristallerinin yapısal, elektriksel ve optik karakterizasyonu
ORHAN KARABULUT
Doktora
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT AKINOĞLU
DOÇ. DR. MEHMET PARLAK
- III-V yarı iletken yapılara çinko ve benzeri atomların difüzyonunun geliştirilmesi ve incelenmesi
Development and investigation of zinc and similar dopants diffusion to III-V semiconductors
DOĞAN YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK