Sıfır AS'lı ikinci harmonik pompalamalı 5.8GHz mosfet karıştırıcı tasarımı
Design of a second harmonically pumped zero-if mosfet mixer at 5.8GHz
- Tez No: 222857
- Danışmanlar: PROF.DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Harmonik, Karıstırıcı, Sıfır-Arasıklık, Subharmonic, Mixer, Zero-IF
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 39
Özet
Bu çalısmada, Yüksek bir Dönüstürücü Kazancı verecek sekilde HyperLan uygulamaları için 5,8 GHz de çalısan İkinci Harmonik pompalamalı MOSFET karıstırıcının tasarımı gösterilmistir. İkinci Harmonik pompalamalı karıstırıcı yöntemi bugüne degin HyperLan uygulamalarında kullanılmamıstır. Sıfır AS'lı alıcıların tasarımında en önemli sorun olan YO evre gürültüsünü önemli ölçüde bastırabilmesi nedeniyle, birçok uygulamada kullanım için çekici bir ön-kat çözümüdür. Yarı sıklıkta çalısım, YO devresinin tasarımını kolaylastırdıgı gibi, gerekli YO güçlerinin daha kolaylıkla elde edilebilmesine olanak tanımaktadır. Bunun ötesinde, böyle bir çalısım, antenden sonra yerlestirilen bant seçici süzgeç tasarımı da kolaylastırmaktadır Süzgeç kayıplarının azaltılması nedeniyle, daha düsük alıcı gürültü sayılarının dolayısıyla, daha yüksek dinamik sınırlarının elde edilecegi beklenir. Antenden bosluga LO sızıntınsın tümüyle yok edilisi, bu tür karıstırmanın saglayacagı diger önemli bir üstünlüktür. Devrenin benzesim analizinde IBM'in 0.18?m 7RF MOSFET prosesinin BSIM3 Ver 3.1 modeli kullanılmıs olup, sonuçlar kuramsal bulgularla karsılastırılmıstır.
Özet (Çeviri)
This paper presents the design of a second harmonically pumped MOSFET RF Mixer with zero-IF for HyperLan applications which operates at 5,8 GHz . Second harmonic pumping has never been used so far in HyperLan applications. It is belived that, since it provides a considerable amount of LO phase noise reduction which is the most importent problem in the design of front-ends with zero-IF, will attract its use in many applications. Half frequency operation not only simplifies the the design of LO circuits but, also the required LO powers are more readily available. Apart from that, operation of LO at half frequency simplifes the the realization of band selection filters situated right after the antenna. Almost total suppression of the LO leakage through the antenna is the another imported advantage provided by this type of mixing. MOSFET model is used in the simulation and the simulated results are compared with the theoretical findings. BSIM3 Ver 3.1 model of IBM 0.18?m 7RF MOSFET process is used in the simulation and the simulated results are compared with the theoretical findings.
Benzer Tezler
- Compensation of current harmonics in single phase grid connected inverters with deadtime under distorted grid voltage
Tek fazlı şebeke bağlantılı inverterlerde ölü zaman ve gürültülü şebeke gerilimi altında akım harmoniklerinin kompanzasyonu
BARIŞ TEKİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ DENİZ YILDIRIM
- Sonlu tipten alt manifoldlar ve Gauss tasvirleri
Finite type submanifolds and Gauss maps
BURCU BEKTAŞ
Doktora
Türkçe
2017
Matematikİstanbul Teknik ÜniversitesiMatematik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ELİF CANFES
PROF. DR. UĞUR DURSUN
- Adaptive position control of permanent magnet synchronous motors and torque ripple compensation
Başlık çevirisi yok
O.SETA BOĞOSYAN
Doktora
İngilizce
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. TAMER KUTMAN
- Sensorless speed control of a PM assisted synchronous reluctance motor from zero to rated speed
DM destekli bir senkron relüktans motorun sıfırdan anma hızına kadar algılayıcısız hız kontrolü
KADİR AKGÜL
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. LALE ERGENE
- GaN based high efficiency class AB power amplifier design for sub-6GHz 5G transmitter systems
6GHz altı 5G verici sistemleri için GaN tabalı yüksek verimliliğe sahip AB sınıfı güç kuvvetlendiricisi tasarımı
KUDRET ÜNAL
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN