Geçiş modunda GaAlAs/GaAs fotokatotların kuantum verimi ve değerlerinin belirlenmesi
Determination of quantum yield values of GaAlAs/GaAs transmission mode photocathodes
- Tez No: 22807
- Danışmanlar: DOÇ.DR. ZENGİN D. MEHMET
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1992
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 122
Özet
m ÖZET Doktora Tezi GEÇİŞ MODUNDA GaAlAs/GaAs FOTOKATOTLARIN KUANTUM VERİMİ DEĞERLERİNİN BELİRLENMESİ Ömer Faruk FARSAKOĞLU Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Doç. Dr. D. Mehmet ZENGİN 1991, Sayfa: 111 Jüri: Doç. Dr. D. Mehmet ZENGİN Prof. Dr. Necmi SERİN Prof. Dr. Kerim KIYMAÇ Geçiş modunda GaAlAs/GaAs fotokatotlann enerji-band yapılan ve algılama ortamı incelenmiştir. Görüntü yoğunlaştırmada düşük yoğunlukta foton algılanması ile elektron görüntüsü sağlayan bu fotokatotlann incelenen enerji-band yapısı baz alınarak ve difüzyon uzunluğu L, normalize edilmiş yüzey yeniden birleştirme hızı Sj^, Cs-0 yüzeyinden elektron çıkma olasılığı P, GaAs aktif tabaka kalınlığı d ve optik soğurma katsayüanna a(hv) bağlı kalınarak kuantum verimi değerlerinin 600-900 nm band aralığında spektral değişimi hesaplanmıştır. Kullanılan spektral bölge içerisinde; bu parametrelerin değişimlerinin kuantum verimi ve kuantum veriminin spektral bağımlılığına etkisi belirlenmiştir. İç uyanlmalar ihmal edildiğinde; Sj^ değerlerinin mevcut olmaması durumunda kuantum veriminin spektral bağımlılığının ortadan kalktığı görülmektedir. GaAs aktif tabaka içerisinde iç uyarma etkisinin gözönüne alınmasıyla iç uyarma fonksiyonu hesaplanarak kuantum verimi, kuantum veriminin spektral bağımlılığı ve dış kuantum veriminin üçlü ortogonal sistemde (L, SN) yüzey değişimlerine iç kuantum verimi Tliç'in etkisi incelenmiştir. Sj^ değerlerinin mevcut olmaması durumunda kuantum veriminin spektral bağımlılığı iç uyarma etkisinden dolayı oluşmaktadır. Üçlü ortogonal sistemde (L, Sj^) yüzey değişimlerinden geçiş modunda GaAlAs/GaAs fotokatodun t^ değerlerinin elde edilebileceği belirlen miştir. ANAHTAR KELİMELER: Geçiş Modunda GaAlAs/GaAs Fotokatot, Görüntü Yoğunlaştırma, KuantunfVerimi, Kuantum Verimi nin Spektral Bağımlılığı, İç Kuantum Verimi, Dış Ku antum Verimi, Difüzyon Uzunluğu, Normalize Edil miş Yüzey Yeniden Birleşme Hızı.
Özet (Çeviri)
IV ABSTRACT Ph. D. Thesis DETERMINATION OF QUANTUM YIELD VALUES OF GaAIAs/GaAs TRANSMISSION MODE PHOTOCATHODES Ömer Faruk FARSAKOGLU Ankara University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. D. Mehmet ZENGİN 1991, Page: 111 Jury: Assoc. Prof. Dr. D. Mehmet ZENGİN Prof. Dr. Necmi SERİN Prof. Dr. Kerim KIYMAÇ The energy-band structure and the detection media of GaAIAs/GaAs transmission mode photocathodes have been investigated. The spectral variation of the quantum yield of these photocathodes for a low light level imaging at the interval of 600-900 nm depending on the energy-band structure and the parameters such as the diffusion length L, the normalized surface recombination velocity S^ Cs-0 surface escape probability P, GaAs active layer with a thickness d and GaAs optical obsorption coefficients a(hv) were calculated. On the spectral region used; the effect of the variation of the parameters on the quantum yield and its spectral dependence was determined. When Sj^ values are not available without taking into account internal excitations, the spectral dependence of the quantum yield is found out to be vanishing. By calculating the internal excitation function with taking into account internal excitations in GaAs active layer, the effect of the internal quantum efficiency rj^ on the variation of (L, SN) surfaces of the quantum yield, its spectral dependence and the external quantum efficiency on the three orthogonal axes was investigated. When Sj^ values are not available, the spectral dependence of the quantum yield occurs due to the internal excitations. rjin values to be obtained from GaAIAs/GaAs transmission mode photocathodes have been determined by the variation of (L, S^) surfaces on the orthogonal projection. KEYWORDS: GaAIAs/GaAs Transmission Mode Photocathode, Image Intensification, Quantum Yield, Spectral Dependence of Quantum Yield, Internal Quantum Efficiency, External Quantum Efficiency, Diffusion Length, Normalized Surface Recombination Velocity
Benzer Tezler
- Flight control of a tilt duct UAV with emphasis on the over actuated transition flight phase
Yatar rotorlu insansız hava aracının artık eyleyicili geçiş fazında uçuş kontrolü
TUĞBA ÜNLÜ
Yüksek Lisans
İngilizce
2009
Havacılık MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiHavacılık ve Uzay Mühendisliği Ana Bilim Dalı
İLKAY YAVRUCUK
PROF. DR. OZAN TEKİNALP
- Latis malzemelerin enerji emme ve ezilme davranışlarının statik ve dinamik yüklemeler altında incelenmesi
Investigation of energy absorption and crushing behaviors of lattice materials under static and dynamic loads
AKIN KARABATAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Makine MühendisliğiTOBB Ekonomi ve Teknoloji ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CİHAN TEKOĞLU
- Farksal aktif blok tabanlı analog devrelerin tasarımları, benzetimleri ve deneyleri
Designs, simulations and experiments of the differential active building block-based analog
TAYFUN UNUK
Doktora
Türkçe
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiPamukkale ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERKAN YÜCE
- Geçiş direnci temelli aktif elemanlar ile avantajlı devre uygulamaları
Transresistance based active components with advantageous circuit applications
MEHMET CEM DİKBAŞ
Doktora
Türkçe
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UMUT ENGİN AYTEN
- Ada modunda çalışan yeşil hidrojen mikroşebekesi sisteminin matlab/simulink ile analizi
İslanded operation of green hydrogen microgrid system with matlab/ simulink
GÜLŞAH ÇOLAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYaşar ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ HACER ÖZTURA