Ni/n-4H-SiC ve Ni/n-6H-SiC tabanlı schottky ve Au/Ni/n-4H-SiC ve Au/Ni/n-6H-SiC omik kontaklarda yüksek enerjili ve düşük dozlu elektronlarla ışınlamanın etkisi
The influence of high energy and low dose electron irradiation on Ni /n-4H-SiC and Ni /n-6H-SiC based schottky and Au/Ni /n-4h-sic and au/ni /n-6h-sic ohmic contacts
- Tez No: 232787
- Danışmanlar: DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 85
Özet
Ni/n-4H- SiC ve Ni/n-6H-SiC Schottky ve Au/Ni/n-4H-SiC and Au/Ni/n-6H-SiC omik kontaklarda 6, 12 ve 15 MeV enerjili aşamalı elektron ışınlamasının etkileri ortaya çıkarıldı. Au/Ni/n-4H-SiC ve Au/Ni/n-6H-SiC omik kontakların özdirenç değerleri, artan ışınlama enerjisiyle azaldı. Işınlanmadan önce Au/Ni/n-4H-SiC ve Au/Ni/n-6H-SiC omik kontakların özdirenç değerleri sırasıyla (17,1 ? 0,71)x10-5 ? -cm2 ve (5,41 ? 2,89)x10-5 ? -cm2'dir. Elektron radyasyonundan önce düz beslem I-V ölçümlerinde, Ni/n-4H-SiC ve Ni/n-6H-SiC Schottky diyotlar için idealite faktörü sırasıyla 1.586 ve 1.125 hesaplandı. Elektron ışınlama enerjisi artarken idealite faktörü her iki kontak için arttı. Ni/n-4H-SiC için artan ışınlama enerjisi ile engel yüksekliği yaklaşık olarak 0.80 eV olduğu gözlendi. Ancak, Ni/n-6H-SiC Schottky kontakta ışınlamayla beraber engel yüksekliği 0.656- 0.730 eV'luk bir artış gözlendi. Aynı zamanda C-V ölçümleri kullanılarak engel yüksekliği Ni/n-6H-SiC ve Ni/n-4H-SiC sırasıyla 1.128 ve 1.410 eV olarak belirlendi. Ni/4H-SiC ve Ni/6H-SiC için donor konsantrasyonları sırasıyla 2.12x1015 ve 1.09x1015 cm-3 olarak hesaplandı. İdealite faktöründeki artış her iki diyotta elektron ışınlamayla bant aralığı içerisinde oluşan kusurlar nedeniyle termoiyonik emisyon teorisinden sapmasıyla açıklandı.
Özet (Çeviri)
The effects of sequential electron irradiation (EI) with energies of 6, 12, 15 MeV on Ni/n-4H-SiC and Ni/n-6H-SiC Schottky and Au/Ni/n-4H-SiC and Au/Ni/6H-SiC ohmic contacts were investigated. Resistivity values of Au/Ni/n-4H-SiC and Au/Ni/n-6H-SiC ohmic contacts decrease with increasing electron ırradiation. Before electron ırradiation (EI), the resistivity values for Au/Ni/n-4H-SiC and Au/Ni/n-6H-SiC ohmic contacts are (1,71 ? 0,71) ? -cm2 and (5,41 ? 2,89) ? -cm2 respectively . The forward bias (current-voltage) I-V measurements result in ideality factors of 1.586 and 1.125 for Ni/n-4H-SiC and Ni/n-6H-SiC before EI, respectively. While the energy of EI is increasing, the ideality factor values increase for both SCs. Nearly constant barrier height about 0.80 eV was observed with the increasing energy of EI for the Ni/4H-SiC. However, the Ni/6H-SiC SC shows the increasing barrier height from 0.656 to 0.730 eV with EI. The donor concentrations were calculated 2.12x1015 and 1.09x1015 cm-3 Ni/n-4H-SiC SC and Ni/n-6H-SiC SC, respectively. The increase in ideality factor depicts that the both diodes deviate from the thermionic emission theory in charge transport mechanism, possibly increasing tunneling mechanism due to defects formed the band gap with EI.
Benzer Tezler
- The preparation of Au/Zn-nanoparticle-doped PVA/n- SiC (MPS) structures and the investigation of their electrical and dielectric properties as function of frequency and temperature using impedance spectroscopy method
Au/Zn-nanoparçacıkla-katkılı PVA/n- SiC (MPS) yapıların hazırlanması ve elektrik ile dielektrik özelliklerinin empedans spektroskopi metodu kullanılarak frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
MOHAMMAD HUSSEIN ALI AL DHAROB
Doktora
İngilizce
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Au/Si3N4/4H n-SiC (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC (MIS) stuctures
FATİH YİĞİTEROL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ
- Au/4H n-SiC schottky diyotların sıcaklığa bağlı akım iletim mekanizmasının incelenmesi
The investigation of temperature dependence current transmission mechanism of Au/4H n-SiC schottky diodes
DİLARA ŞEME ŞİRİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ
- Sentezlenen ve ticari LaB6 katkılı mekanik alaşımlanmış Al-Ağ.%7si toz ve sinter hibrit kompozitlerin geliştirilmesi ve karakterizasyonu çalışmaları
Development and characterization investigations of labratory synthesized and commercial LaB6 reinforced Al-7% wt. Si powders and sintered hybride composites
SIDDIKA MERTDİNÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA LUTFİ ÖVEÇOĞLU
- Yeni ftalosiyanin sentezleri ve özelliklerinin incelenmesi
Synthesis and properties of the new phthalocyanines
SEVGİ SARIGÜL