Geri Dön

Investigation of structural and electrical caracterisation of Sc2O3 dielectric layer in SiC base MOS technology

SiC tabanlı MOS teknolojilerinde Sc2O3 dielektrik tabakanın yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

  1. Tez No: 919752
  2. Yazar: NZIENGUI NZIENGUI DARIUS
  3. Danışmanlar: PROF. DR. CABİR TERZİOĞLU, DOÇ. DR. ŞENOL KAYA
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2025
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tez, XRD, C-V ve G/ω-V ölçümleriile 4H-SiC altlığın üzerine elektron ışını buharlaştırma sistemi kullanılarak büyütülen skandiyum oksidin (Sc2O3) tavlama sıcaklığına bağlı yapısal ve elektriksel özelliklerine ilişkin ayrıntılı bir çalışma sunmak ve özelliklerini analiz etmektir. Kapasitörün performansını arttırmak için Sc₂O₃ ve 4H-SiC altlık arasına SiO₂ kaplandı. XRD ölçümlerinden kafes parametreleri, gerilme ve yoğunluk kaymanın artmasına rağmen tavlama sıcaklığının artmasıyla kristal boyutunun azaldığı gözlendi. Ayrıca optimum kristalizasyonile optimum tavlamasıcaklığının 800 °C olduğu da gözlenmiştir. Elektriksel ölçümlerden, daha yüksek tavlama sıcaklığının kapasitans kararlılığını arttırdığı ve ara yüzey durum yoğunluğunu düşürdüğü, bunun sonucunda düz bant voltaj ayarının yapılması gerektiği sonucuna varıldı. Seri direnç nedeniyle ölçülen kapasitans ve iletkenlik değerleri düzeltilmiş ve elektriksel özellikleri seri dirençten önemli ölçüde etkilendiği gözlenmiştir. Sonuç, elektriksel karakterizasyon sırasında hem seri direnç hem de ara yüz durumlarının dikkate alınması gerektiğini gösterdi. Tavlama sıcaklığının artmasıyla ara yüzey durum yoğunluğu azalırken etkili oksit durum yoğunluğu arttı. Sc2O3 ince filmi ile SiC altlık arasında termal olarak büyütülmüş SiO₂'nin varlığı, artan tavlama sıcaklığıyla cihazın performansını arttırdı.

Özet (Çeviri)

This thesis presents a detailed study of the annealing temperature-dependent structural and electrical properties of scandium oxide (Sc2O3) grown, using an electron beam evaporation system, on a 4H-SiC substrate, with XRD, C-V and G/ω-V measurements conducted to analyze its characteristics. In order to enhance capacitor performance, SiO₂ was coated between Sc₂O₃ and 4H-SiC substrate. From XRD measurements, although the lattice parameters, strain and density dislocation increased, crystallite size decreased with increasing annealing temperature was obtained. Moreover, it was also observed that the optimum annealing temperature was found to be 800 °C with optimal crystallization. From the electrical measurements, it was obtained that the higher annealing temperature enhances capacitance stability and lowers interface state density, resulting in flat band voltage adjustment. The measured capacitance and conductance's values due to the series resistance were corrected and it was obtained that the electrical properties was significantly affected by series resistance. The result indicated that both series resistance and interface states must be taken into account during the electrical characterization. Interface state density decreased while effective oxide state density increased with the increase in annealing temperature. The existing of thermally grown SiO₂ between the Sc2O3 thin film and SiC substrate enhanced the device of performance with rising annealing temperature.

Benzer Tezler

  1. Kuyruk modelleri ve analizi üzerine bir uygulama

    Başlık çevirisi yok

    DİDEM ÖZPULAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    İstatistikEge Üniversitesi

    Bilgisayar Bilimleri ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FİKRET İKİZ

  2. Samsun ve çevresinde tarla sarmaşığı (conuolvulus arvensis L.)'na karşı biyolojik savaşa esas olacak fauna tespiti

    Investigations on the insect fauna of the field binweed (Conuolvulus arvensis L.) related to its biological control in Samsun Province

    YASEMİN UFUK GERMAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    BotanikEge Üniversitesi

    Bitki Koruma Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİYAZİ LODOS

  3. Gebelik ve doğum olgularında prolaktin düzeylerinin değerlendirilmesi

    The Evaluation of prolactin values during pregnancy labour and in deliveries

    TÜLİN AKAN

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    Kadın Hastalıkları ve DoğumGazi Üniversitesi

    Kadın Hastalıkları ve Doğum Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MÜLAZIM YILDIRIM