Gözenekli silisyumun optik ve elektriksel özelliklerine metalizasyon katkısının incelenmesi
Investigation of additions of some metal salts to optical and electrical properties of porous silicon
- Tez No: 233124
- Danışmanlar: DOÇ. DR. KADİR ESMER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kocaeli Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 66
Özet
Özet: Gözenekli silisyum (g-Si) ince silisyum levhaların hidroflorik asit (HF) bazlı elektrolitte anodizasyonu ile elde edilebilir. g-Si' den oda sıcaklığında, görünür bölgede etkili lüminesans elde edilmesi, g-Si çalışmalarına olan önemi arttırmıştır. Bu çalışmada, g-Si üretmek için özdirenci 10-20 ? .cm olan, (111) yönelimine sahip, bor (B) katkılı p-tipi silisyum kristalleri kullanılmıştır. HF:Eth (1:3) çözeltisinde 10 mA/cm2 akım yoğunluğunda ve 30 dakika anodizasyon süresinde g-Si' ler üretilmiştir. Elde edilen g-Si' ler, farklı metal tuzu çözeltileriyle farklı sürelerde bekletilerek metalizasyon katkısı yapılmıştır. Referans g-Si ve metal katkılı g-Si örneklerin, farklı metalizasyon koşullarına bağlı olarak optik özellikleri, yüzey kimyasındaki yapısal değişimleri ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) görüntüleri, tüm örnekler için metal-g-Si etkileşmesinin gerçekleştiğini ve g-Si' nin yüzey morfolojisinin değiştiğini göstermiştir. Fourier Transform Infrared (FTIR) Spektroskopisinden ve fotolüminesansdan (PL) elde edilen spektrumların incelenmesinde, tüm örneklerde metalizasyon katkısının g-Si' nin PL şiddetini ve enerjisini etkilediği gözlenmiştir. Özellikle Ag katkılı g-Si örneklerde, hem fotolüminesans hem de elektriksel davranışları bakımından önemli sonuçlar elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
Abstract: Porous silicon (p-Si) was obtained by anodization of Silicon wafers in hydrocloric acid-based electrolyte. Realization of the effective luminescence from p-Si in the IR region at the room temperature has increased the importance of the studies on p-Si. In this study, boron (B) doped p-type silicon wafers with a resistivity of 10-20 ? .cm and (111) orientation have been used to obtain p-Si. P-Si samples were fabricated using a current density of 10 mA/cm2 under the period of 30 minutes anodization in HF:Eth (1:3) solution. The p-Si samples were added by various metal salts at different periods of time. As prepared and metal salts added p-Si samples were then investigated by means of optical, structural and electrical properties. Scanning Electron Microscope (SEM) images showed that interactions between p-Si and added metal salts have been realized causing a change on surface morphology. FTIR and PL spectroscopies explored that the intensity and energy spectra were affected by additions of metal salts to p-Si. Particularly some important results were obtained from PL spectra and electrical results of Ag metal salt added p-Si samples.
Benzer Tezler
- Gözenekli silisyum filmlerin optik özellikleri
Optical properties of prous silicon films
SÜREYYA AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Gözenekli silisyum/organik yarıiletken eklemlerin fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of physical properties of porous silicon/organic semiconductor junction
ORHAN ŞENTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Uludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERTAN KEMAL AKAY
DOÇ. DR. SÜREYYA AYDIN YÜKSEL
- Organik buharların tespitine yönelik gözenekli silisyum tabanlı elektriksel buhar sensörü
Sensing organic vapors using electrical vapor sensors based on porous silicon
OLGAY YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Bilim ve TeknolojiKocaeli ÜniversitesiElektro-Optik Sistem Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ERSİN KAYAHAN
- Gözenekli silisyumun elektriksel ve optik özellikleri
Electrical and optical properties of porous silicon
BİRSEL CAN ÖMÜR
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YANİ SKARLATOS
- TiO2 - gözenekli silisyum eklemelerin elektriksel özellikleri
Electrical properties of TiO2 - porous silicon joint
MUSTAFA AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
EnerjiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ