Kuantum kuyu yapılarda optik fonon modları
Optical phonon modes in quantum well structures
- Tez No: 237355
- Danışmanlar: DOÇ. DR. HALUK ŞAFAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Selçuk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 94
Özet
Son yıllarda, fononlar ve onların hacimsel malzemelerdeki etkileşimleri oldukça dikkat çekicidir. Bu çalışmada, biz alaşım yarıiletkenleri içeren tekli ve çift heteroyapılarda elektron-optik-fonon etkileşimini inceledik. Etkileşim Hamiltoniyeni, Loudon'un tek eksenli kristal modelini ve dielektrik süreklilik modelinin uygulanmasıyla türetilir, bunlar genellikle kesit modları olarak bilinen sınırlı optik fonon modlarının setini verirler. Bu kesit modları dielektrik süreklilik modelinin uygulanması ve herbir heteroarayüzeyde elektrostatik sınır koşullarının etkimesiyle belirlenir. Transfer matrix yaklaşımı da çift-bariyerli heteroyapılarda IF fononlarını anlamak için kullanışlıdır. Özel bir örnek olarak, bu çalışmada GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs malzeme sistemi teorik ve nümerik verilerle çalışıldı.
Özet (Çeviri)
Recently, phonons and their interaction in bulk materials gain much more attention. In this work, we investigate the electron-optical-phonon interaction in single and double heterostructures containing alloy semiconductors. The interaction Hamiltonian are derived by applying the uniaxial model of Loudon and the dielectric continuum model, which predicts a set of confined optical phonon modes commonly referred to as the slab modes. These slab modes may be determined by applying the dielectric continuum model and by imposing electrostatic boundary conditions at each heterointerface. The transfer matrix approach is also useful in understanding the IF phonons in the double-barrier heterostructures. For a specific example, in this work the GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs material system is discussed with theoretical and numerical data.
Benzer Tezler
- Electronic structure of low dimensional semiconductor system
Düşük boyutlu yarıiletken sistemlerin elektronik yapısı
OĞUZ GÜLSEREN
Doktora
İngilizce
1992
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiPROF. DR. SALİM ÇIRACI
- BCS-BEC crossover with model square well interaction in 2D and 3D
İki ve üç boyutta model kare kuyu potansiyeli etkileşimiyle BCS-BEY geçişi
HASAN HÜSEYİN SÖMEK
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AHMET LEVENT SUBAŞI
- GaN tabanlı sıcak elektron ışın yayıcı hetero-yapılar
GaN based hot electron light emitting heterojunction
FEYZA SÖNMEZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENGİN TIRAŞ
- Düşük boyutlu yapılarda yabancı atom problemi ve eksitonları
The impurity problem in low dimensional structures and excitons
FİGEN KARACA BOZ
Doktora
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ŞABAN AKTAŞ
- Effects of growth orientation on the properties of strained semiconductor quantum well lasers
Büyütme yönünün strain uygulanmış yarıiletken kuyu lazerinin üzerindeki etkileri
MURAT ODUNCUOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL