Geri Dön

GaN tabanlı sıcak elektron ışın yayıcı hetero-yapılar

GaN based hot electron light emitting heterojunction

PDF İndir

  1. Tez No: 495440
  2. Yazar: FEYZA SÖNMEZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ENGİN TIRAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 76

Özet

Bu çalışmada, elektronik ve opto-elektronik aygıtların üretilmesinde kullanılan InGaN/GaN çoklu kuantum kuyu yapıların optik özellikleri incelenmiştir. Farklı kuantum kuyu sayısına ve In miktarına sahip olan örnekler safir alttaş üzerine büyütülmüştür. Optiksel ölçümlerin ilk kısmında, InGaN/GaN çoklu kuantum kuyu yapıların yayınım mekanizmasını incelemek için sıcaklığa bağlı (3-300 K) fotolüminesans ölçümleri alındı. Numunelerin fotolüminesans spektrumlarında gözlenen InGaN çoklu kuantum kuyusuna ait ana geçişin pik enerjisinin ve GaN bariyer pik enerjisinin sıcaklığa bağlı değişimleri temel Varshni ve Bant kuyruk modelleri ile desteklenerek incelendi. Kuantum kuyu sayısı ve In konsantrasyonunun bu parametreler üzerindeki etkisi araştırıldı. Çalışmanın ikinci kısmında ise sıcaklığa bağlı Raman ölçümleri alındı. Elde edilen spektrumlarda InGaN/GaN çoklu kuantum kuyu örneklerin boyuna optik fonon enerjileri belirlendi. Elde edilen sonuçlar literatür ile karşılaştırmalı olarak değerlendirildi.

Özet (Çeviri)

In this study, optical properties of InGaN/GaN multiple quantum well structures which are used in the production of electronic and optoelectronic devices have been investigated. The samples with different quantum well numbers and indium concentration were grown on sapphire (Al2O3) substrate. In the first part of the optical measurements, to investigate emission mechanisms of InGaN/GaN multi quantum well structures, the temperature dependence of photoluminescence measurements was carried out between 3 and 300K. The temperature dependence of emission peak energy and GaN barrier peak energy that observed in the photoluminescence spectra were analysed by supporting Varshni and Band Tail models. The effect of the quantum well number and In concentration on these parameters were investigated. In the second part of the study, the temperature dependence of Raman measurements were performed. In the obtained spectra, longitudinal optical phonon energies of InGaN/GaN multiple quantum wells were determined. The obtained results were evaluated by comparing with the literature.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    139262

    High field transport phenomena in wide bandgap semiconductors

    Geniş bant aralıklı yarı iletkenlerde yüksek elektrik alanı altında iletim olayları

    CEM SEVİK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. CEYHUN BULUTAY

  2. Tez No

    904398

    Improvement of luminescence properties of zinc borosilicate glasses for white led applications

    Beyaz led uygulamaları için çinko borosilikat camların lüminesans özelliklerinin geliştirilmesi

    SENA DAYIOĞLUGİL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ NURİ SOLAK

  3. Tez No

    856752

    Computational analyses of die-embedded microchannels for high electron mobility transistors considering thermal, hydrodynamic and structural behavior

    Yüksek elektron mobiliteli transistorlara uygulanmış gömülü mikrokanal yapılarının ısıl, hidrodinamik ve yapısal davranışlarının hesaplamalı analizleri

    ORÇUN YILDIZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ALAEDDİN BURAK İREZ

    PROF. DR. LÜTFULLAH KUDDUSİ

  4. Tez No

    542575

    Human activity recognition using deep learning

    Derin öğrenme ile insan aktivitesi tanıma

    MURAT YALÇIN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ HÜLYA YALÇIN

  5. Tez No

    774944

    Fabrikasyon adımları için GaN tabanlı mikroşerit HEMT'lerin DC karakterizasyonu

    DC characterization of GaN-based microstrip HEMT for fabrication steps

    ELİF ALAGÖZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErzurum Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ÇAĞLAR DUMAN

Geri Dön