Eğik elektrik alan altında GaAs/Ga1-xAlxAs kuantum telindeki donor safsızlık atomlarının bağlanma enerjileri
Bilding energies of donor impurities in GaAs/Ga1-xAlxAs quantum wire under the tilted electric field
- Tez No: 245025
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ESİN KASAPOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 56
Özet
Bu çalışmada, eğik elektrik alan altındaki GaAs/Ga0.7Al0.3As kare ve dikdörtgen kuantum tellerindeki donor safsızlık atomunun taban durum bağlanma enerjisi tel boyutu, elektrik alan şiddeti, eğim açısı ve donor safsızlık atomunun yerine bağlı olarak etkin kütle yaklaşımında varyasyonel olarak hesaplandı. Elde edilen sonuçlar, donor safsızlık atomunun taban durum bağlanma enerjisinin tel boyutları arttıkça azaldığını, büyük tel boyutlarında bağlanma enerjisinin elektrik alana çok duyarlı olduğunu ve eğim açısı arttıkça bağlanma enerjisinin arttığını gösterir.
Özet (Çeviri)
In this study, the ground state binding energy of donor impurity in square and rectangular GaAs/Ga0.7Al0.3As quantum wires under the tilted electric field as a function of the wire dimension, the electric field strength, tilt angle and donor position has been investigated by using a variational technique within the effective mass approximation. The results show that, as the wire dimensions increase, the ground state binding energy of donor impurity decreases, the impurity binding energy becomes more sensitive to the electric field strenght in the large wire dimensions and as the tilt angle increases the binding energy increases.
Benzer Tezler
- Elektrik ve eğik manyetik alan altında üçlü GaAs/Ga1-xAlxAs kuantum kuyularının elektronik ve optik özellikleri
Electronic and optical properties of triple quantum wells GaAs/Ga1-xAlxAs under external electric and tilted magnetic fields
FARUK BAŞPINAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RANA ÖZBAKIR
- Elektrik ve eğik manyetik alan altında çoklu GaAs/Ga1−xAlxAs kuantum kuyularının elektronik ve optik özellikleri
Electronic and optical properties of multiple quantum wells GaAs/Ga1−xAlxAs under external electric and tilted magnetic fields
VELİ AKTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RANA ÖZBAKIR
- Düşük boyutlu yarı iletken heteroyapılarda elektronik ve optik özelliklerin alan altındaki değişimi
The Field dependence of the electronic and optical properties in the low dimensional semiconductor heterostructure
ESİN KASAPOĞLU
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSMAİL SÖKMEN
- GaAs-AlGaAs n-p diyotun dış elektrik ve manyetik alan altında alt bant popülasyonları ve elektronik özellikleri
Subband populations and electronic properties of GaAs-AlGaAs n-p diode under external electric and magnetic field
ASLAN TÜRKOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Farklı kuantum kuyularının elektrik alan altında davranışları
Behaviors of different quantum wells under applied electric field
ERMAN KÖSE
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. EMİNE ÖZTÜRK