Geri Dön

Eğik elektrik alan altında GaAs/Ga1-xAlxAs kuantum telindeki donor safsızlık atomlarının bağlanma enerjileri

Bilding energies of donor impurities in GaAs/Ga1-xAlxAs quantum wire under the tilted electric field

  1. Tez No: 245025
  2. Yazar: SERKAN KILIN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ESİN KASAPOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 56

Özet

Bu çalışmada, eğik elektrik alan altındaki GaAs/Ga0.7Al0.3As kare ve dikdörtgen kuantum tellerindeki donor safsızlık atomunun taban durum bağlanma enerjisi tel boyutu, elektrik alan şiddeti, eğim açısı ve donor safsızlık atomunun yerine bağlı olarak etkin kütle yaklaşımında varyasyonel olarak hesaplandı. Elde edilen sonuçlar, donor safsızlık atomunun taban durum bağlanma enerjisinin tel boyutları arttıkça azaldığını, büyük tel boyutlarında bağlanma enerjisinin elektrik alana çok duyarlı olduğunu ve eğim açısı arttıkça bağlanma enerjisinin arttığını gösterir.

Özet (Çeviri)

In this study, the ground state binding energy of donor impurity in square and rectangular GaAs/Ga0.7Al0.3As quantum wires under the tilted electric field as a function of the wire dimension, the electric field strength, tilt angle and donor position has been investigated by using a variational technique within the effective mass approximation. The results show that, as the wire dimensions increase, the ground state binding energy of donor impurity decreases, the impurity binding energy becomes more sensitive to the electric field strenght in the large wire dimensions and as the tilt angle increases the binding energy increases.

Benzer Tezler

  1. Elektrik ve eğik manyetik alan altında üçlü GaAs/Ga1-xAlxAs kuantum kuyularının elektronik ve optik özellikleri

    Electronic and optical properties of triple quantum wells GaAs/Ga1-xAlxAs under external electric and tilted magnetic fields

    FARUK BAŞPINAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. RANA ÖZBAKIR

  2. Elektrik ve eğik manyetik alan altında çoklu GaAs/Ga1−xAlxAs kuantum kuyularının elektronik ve optik özellikleri

    Electronic and optical properties of multiple quantum wells GaAs/Ga1−xAlxAs under external electric and tilted magnetic fields

    VELİ AKTAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. RANA ÖZBAKIR

  3. Düşük boyutlu yarı iletken heteroyapılarda elektronik ve optik özelliklerin alan altındaki değişimi

    The Field dependence of the electronic and optical properties in the low dimensional semiconductor heterostructure

    ESİN KASAPOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSMAİL SÖKMEN

  4. GaAs-AlGaAs n-p diyotun dış elektrik ve manyetik alan altında alt bant popülasyonları ve elektronik özellikleri

    Subband populations and electronic properties of GaAs-AlGaAs n-p diode under external electric and magnetic field

    ASLAN TÜRKOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN

  5. Farklı kuantum kuyularının elektrik alan altında davranışları

    Behaviors of different quantum wells under applied electric field

    ERMAN KÖSE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. EMİNE ÖZTÜRK