Geri Dön

GaAs-AlGaAs n-p diyotun dış elektrik ve manyetik alan altında alt bant popülasyonları ve elektronik özellikleri

Subband populations and electronic properties of GaAs-AlGaAs n-p diode under external electric and magnetic field

  1. Tez No: 121573
  2. Yazar: ASLAN TÜRKOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2002
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 88

Özet

n ÖZET Yüksek Lisans Tezi GaAs - AlGaAs n - p DİYOTUN DIŞ ELEKTRİK VE MANYETİK ALAN ALTINDA ALT BANT POPÜLASYONLARI VE ELEKTRONİK ÖZELLİKLERİ ASLAN TÜRKOĞLU YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK ANABİLİM DALI MAYIS 2002 Danışman: Prof. Dr. YÜKSEL ERGÜN Büyütme doğrultusu ile 0°-30° arasında açı yapacak şekilde uygulanan dış manyetik alan altında bulunan ve sol tarafında GaAs kuantum kuyusu içeren AlGaAS n-p diyot için Schrödinger denkleminin analitik çözümü yapıldı. Elde edilen bu çözümler kullanılarak enerji özdeğerleri hesaplandı. Manyetik alan ve yörünge merkezinin değişimine karşı enerjideki değişim hesaplandı. ANAHTAR KELİMELER: Eğik Manyetik Alan, Elektrik Alan, AlGaAs n-p diyot, Yörünge Merkezi

Özet (Çeviri)

ni SUMMARY MSc Thesis SUBBAND POPULATIONS AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs-AIGaAs n-p DIODE JJNDER EXTERNAL ELECTRIC AND MAGNETIC FIELD ASLAN TURKOGLU Cumhuriyet University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics 2002 Supervisor: Prof. Dr. YÜKSEL ERGUN For AlGaAS n-p diode under external tilted magnetic field (0°-30° with growth direction) including GaAS quantum well in its left side, the Schrodinger equation is solved anaticalry. By using these results eigen energies are calculated. The alteration of energy due tö magnetic field and orbit center is calculated. KEY AVORDS: Tilted magnetic field, Electric field, AlGaAs n-p diod, orbit Center.

Benzer Tezler

  1. Rosenant tünelleme tristörlerinin incelenmesi

    Resonant tunneling semiconductor power switches

    BUKET BARKANA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. HASAN HÜSEYİN ERKAYA

  2. Sıcak elektron tabanlı optik sensörler

    Hot electron based optical sensors

    FEYZA SÖNMEZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ENGİN TIRAŞ

  3. Design fabrication and characterization of high performance resonant cavity enhanced photodedectors

    Yüksek performanslı rezonant kavite katkılı fotodedektörlerin tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu

    NECMİ BIYIKLI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ORHAN AYTÜR

  4. Kuantum noktaları temelli bellek aygıtlar

    Memory devices based on quantum dots

    NAMIK AKÇAY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NURTEN ÖNCAN

  5. 9xx-10xx nm dalga boyunda ışıyan yüksek güçlü lazer diyot yapısının tasarımı ve mocvd yöntemi kullanılarak epitaksiyel tabakaların büyütülmesi

    Design and epitaxial layer growth of 9xx-10xx nm wavelenght high power laser diodes by using mocvd system

    ALİYE ALEV KIZILBULUT

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ