GaAs-AlGaAs n-p diyotun dış elektrik ve manyetik alan altında alt bant popülasyonları ve elektronik özellikleri
Subband populations and electronic properties of GaAs-AlGaAs n-p diode under external electric and magnetic field
- Tez No: 121573
- Danışmanlar: PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 88
Özet
n ÖZET Yüksek Lisans Tezi GaAs - AlGaAs n - p DİYOTUN DIŞ ELEKTRİK VE MANYETİK ALAN ALTINDA ALT BANT POPÜLASYONLARI VE ELEKTRONİK ÖZELLİKLERİ ASLAN TÜRKOĞLU YÜKSEK LİSANS TEZİ FİZİK ANABİLİM DALI MAYIS 2002 Danışman: Prof. Dr. YÜKSEL ERGÜN Büyütme doğrultusu ile 0°-30° arasında açı yapacak şekilde uygulanan dış manyetik alan altında bulunan ve sol tarafında GaAs kuantum kuyusu içeren AlGaAS n-p diyot için Schrödinger denkleminin analitik çözümü yapıldı. Elde edilen bu çözümler kullanılarak enerji özdeğerleri hesaplandı. Manyetik alan ve yörünge merkezinin değişimine karşı enerjideki değişim hesaplandı. ANAHTAR KELİMELER: Eğik Manyetik Alan, Elektrik Alan, AlGaAs n-p diyot, Yörünge Merkezi
Özet (Çeviri)
ni SUMMARY MSc Thesis SUBBAND POPULATIONS AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs-AIGaAs n-p DIODE JJNDER EXTERNAL ELECTRIC AND MAGNETIC FIELD ASLAN TURKOGLU Cumhuriyet University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics 2002 Supervisor: Prof. Dr. YÜKSEL ERGUN For AlGaAS n-p diode under external tilted magnetic field (0°-30° with growth direction) including GaAS quantum well in its left side, the Schrodinger equation is solved anaticalry. By using these results eigen energies are calculated. The alteration of energy due tö magnetic field and orbit center is calculated. KEY AVORDS: Tilted magnetic field, Electric field, AlGaAs n-p diod, orbit Center.
Benzer Tezler
- Rosenant tünelleme tristörlerinin incelenmesi
Resonant tunneling semiconductor power switches
BUKET BARKANA
Doktora
Türkçe
2005
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. HASAN HÜSEYİN ERKAYA
- Sıcak elektron tabanlı optik sensörler
Hot electron based optical sensors
FEYZA SÖNMEZ
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENGİN TIRAŞ
- Design fabrication and characterization of high performance resonant cavity enhanced photodedectors
Yüksek performanslı rezonant kavite katkılı fotodedektörlerin tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu
NECMİ BIYIKLI
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN AYTÜR
- Kuantum noktaları temelli bellek aygıtlar
Memory devices based on quantum dots
NAMIK AKÇAY
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURTEN ÖNCAN
- 9xx-10xx nm dalga boyunda ışıyan yüksek güçlü lazer diyot yapısının tasarımı ve mocvd yöntemi kullanılarak epitaksiyel tabakaların büyütülmesi
Design and epitaxial layer growth of 9xx-10xx nm wavelenght high power laser diodes by using mocvd system
ALİYE ALEV KIZILBULUT
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ