Yarı iletken kristallerin optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical properties of semiconductors
- Tez No: 245423
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AYDIN ULUBEY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yarıiletken, Geçirme, Soğurma, Fonon, Görünür ve Kızılötesi Spektroskopisi, X Işın Spektroskopisi, Raman Saçılması, Konfokal Raman Mikrospektroskopisi, Semiconductor, Transmission, Absorption, Phonon, Visible andIR Spectroscopy, Raman scattering, Space Symmetry Group, Confocal RamanMicrospectroscopy
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Trakya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 103
Özet
Yarıiletkenler bilim ve teknoloji için oldukça önemlidir. Çeşitli alanlarda geniş uygulama potansiyeline sahiptirler. GaSe, GaS ve onların GaSxSe1-x katı çözeltilerinin fiziksel özellikleri, optoelektronik cihazlarındaki uygulamaları sebebiyle, temel bilimler ve teknoloji açısından oldukça önemlidir. Kimyasal maddeleri analiz etmek için foto-algılayıcılar gereklidir. Bu algılayıcılar, geniş aralıklı III-VI yarıiletken bileşimlerinin; karışım kristallerinden yapılır.Bu çalışmada tabakalı ve GaSxSe1-x kristallerinin kristal yapısı, optiksel özellikleri, görünür ve kızılötesi spektrum aralığında incelendi.Görünür bölge kenar ölçümleri, Konfokal Raman Mikrospektroskopisi yöntemi ile gerçekleştirildi.İncelemeler sonucunda, GaS, GaSe ve GaSe0.8S0.2 bileşiklerinin Raman Spektropisi ve X Işını Spektroskopisi teknikleri ile atom dizilimleri ve atomlardan yayılan fotonların enerji tabloları oluşturulmuştur.
Özet (Çeviri)
Semiconductors have large importance for science and technology. They have wide application potential for several areas.The physical properties of GaSe, GaS and their GaSxSe1-x solid solutions are significant for basic sciences and technology because of their applications in optoelectronic devices. Photo-detectors are necessary to analyze chemical matters. These detectors are made of the mixed crystals of these crystals.In this work the crystal structure and optical characteristics of the strata and GaSxSe1-x crystals were examined in the integral of visible and infrared spectrum.The edge measurements of visible area were realized via the method of Confocal Raman Microspectroscopy.Thanks to researchs and experiments the energy tables of the photons which spread from atoms and atom sequences are drawn by means of the Raman Spectroscopy of Ga, GaS, GaSe ve GaSe0.8S0.2 compounds and X light spectroscopy techniques.
Benzer Tezler
- Real time optical observation of the synthesis of novel 2D materials and investigation of their fundamental properties
Yeni 2D malzemelerin sentezinin gerçek zamanlı optik gözlemi ve temel özelliklerinin incelenmesi
HAMID REZA RASOULI
Doktora
İngilizce
2021
Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TALİP SERKAN KASIRGA
- Ferroelektrik yarıiletken kristallerin optik ve fotoelektrik özelliklerinin incelenmesi
Optical and photoelectrical property investigations of ferroelectric-semiconductor crystals
YASİN ŞALE
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI
- Laktat türevi yeni muz şekilli sıvı kristaller ve kompozitlerinin sentezi, mesomorfik ve elektro-optik özelliklerinin incelenmesi
Lactate derived new banana-shaped liquid crystals and their composites: Synthesis, characterization and investigation of electro-optical properties
AYKUN ÖZKONSTANYAN
- TlGaS2 ve GaSxSe1-x kristallerinin optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical properties of TlGaS2 and GaSxSe1-x crystals
ÖZLEM NEVAL ÖZDEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYDIN GULUBAYOV
- Tabakalı yarıiletken kristallerden TIGaSe2, TIInS2 ve GaSe kristallerinin optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical properties of TIGaSe2, TIIns2 and GaSe crystals which are layered semiconductors
SULTAN ÇEVİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. AYDIN GULUBAYOV