A first-principles study of defects and adatoms on silicon carbide honeycomb structures
Balpeteği yapısında SiC üzerindeki hataların ve ilave atomların etkisinin ilk prensiplerden incelenmesi
- Tez No: 246605
- Danışmanlar: PROF. DR. SALİM ÇIRACI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 70
Özet
Çalışmamda kısmi bir (nanoşerit) ve iki boyutlu bal peteği SiC malzemesini ilk prensiplerden başlayarak inceledim. Boyutsallık etkilerini takip için üç boyutlu SiC allotroplarından bazılarını ve gerçek bir boyutlu SiC zincirlerini çalışmama dahil ettim. Değişik boyutlardaki SiC malzemesinin kararlılığı, fonon hesaplarıyla tahlil edilmiştir. İki boyutlu bal peteği şeklindeki SiC ve nanoşeritleri iyonik, manyetik olmayan, geniş bant aralıklı yarı-iletkenlerdir. Öz enerji (GWo) hesaplarıyla bu bant aralığı artmıştır. Hidrojen atomları ile doyurulduğunda,“armchair”SiC nanoşeritlerin yanlarındaki atomlardan oluşan bantlar kaybolmakta ve bant aralığı artmaktadır. Atom boşluğu, soğurulan yabancı atomlar ve Si ya da C atomlarının yerini alan yabancı atomların iki boyutlu ve nanoşerit SiC üzerindeki etkileri araştırılmıştır. Bu araştırılan etkilerden bazılarının tek katmanlı SiC malzemesini işlevlendirebileceği saptanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this thesis a study of electronic and magnetic properties of two dimensional(2D), single layer of silicon carbide (SiC) in hexagonal structure and its quasi 1Darmchair nanoribbons are presented by using first-principles plane wave method.In order to reveal dimensionality effects, a brief study of 3D bulk and 1D atomicchain of SiC are also included. The stability analysis based on the calculationof phonon mode frequencies are carried out for different dimensionalities. It isfound that 2D single layer SiC in honeycomb structure and its bare and hydrogenpassivated nanoribbons are ionic, non magnetic, wide band gap semiconductors.The band gap further increases upon self-energy corrections. Upon passivation ofSi and C atoms at the edges of nanoribbon with hydrogen atoms, the edge statesare discarded and the band gap increases. The effect of various vacancy defects,adatoms and substitutional impurities on electronic and magnetic properties in2D single layer SiC and in its armchair nanoribbons are also investigated. Some ofthese vacancy defects and impurities, which are found to influence physical propertiesand attain magnetic moments, can be used to functionalize SiC honeycombstructures for novel applications.
Benzer Tezler
- Nanoscience for sustainable energy production
Sürdürülebilir enerji üretimi için nanobilim
CAN ATACA
Doktora
İngilizce
2011
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. SALİM ÇIRACI
- Temel prensı̇pler yöntemı̇ kullanarak ı̇kı̇ boyutlu yüzeyler üzerı̇nde nanokümelerı̇n büyütülmesı̇
Growth of nanocluster on two dimensional surface by using first principles methods
YELDA KADIOĞLU
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiAydın Adnan Menderes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OLCAY ÜZENGİ AKTÜRK
- A Restitutive approach to the architect A. H. Koyunluoğlu's public buildings in Ankara
Başlık çevirisi yok
NİLGÜN ÇUHA
Doktora
İngilizce
1989
MimarlıkOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMimarlık Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMÜR BAKIRER
- المنهج القرآني للحياة الأسرية 'دراسة مقاصدية'
Aile hayatında Kur'ân metodu 'makasıdî bir araştırma'
ALI RAFEQ SAEED
Doktora
Arapça
2024
DinVan Yüzüncü Yıl ÜniversitesiTemel İşlemler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELAHATTİN SÖNMEZSOY
- Türk Müziği Devlet Konservatuvarı keman eğitimi üzerine
On Violin education at Turkish Traditional Music Conservatory
A. HAKAN ŞENSOY
Sanatta Yeterlik
Türkçe
1999
Müzikİstanbul Teknik ÜniversitesiTemel Bilimler Ana Bilim Dalı
PROF. YALÇIN TURA