Üçlü (Ternary) CulnSe2 tek kristallerinin büyütülmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 24768
- Danışmanlar: PROF. DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1992
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 59
Özet
Bu çalışmada üçlü (Ternary) yarıiletken ailesinin bir üyesi olan CulnSe2 tek kristalinin büyütülmesi ve bazı özelliklerinin incelenmesi araştırılmıştır. CulnSe2 tek kristalini büyütme ameliyesi; elementlerin önreaksiyonundan sonra ikinci bir ampule transferi ile iki kademede yapıldı. Büyütme sonunda, mikro çatlakların ve boşlukların var olduğu tek kristal külçelerinden 0.5x0.5x0.5 cm boyutlarında tek kristaller elde edildi. CulnSe2 tek kristalleri, silikon karpit tozları ile parlatıldıktan sonra I^C^Oy : H2SO4 (1:9 Ağırlığında)solüsyonunda yakılıp Laue geriye yansımalı x-ışını fotoğrafları çekilerek tek kristal olup olmadıkları test edildi. Isıl prop tekniği kullanılarak CulnSe2 tek kristallerinin p-tipi elektriksel iletkenliğe sahip olduğu belirlendi. Sonuç olarak dizayn edilen deney sistemlerinin CulnSe2 tek kristalini büyütmeye cevap verebilecek nitelikte olduğuna karar verildi.
Özet (Çeviri)
In this study, monocrystals CulnSe2 which are a member of ternary semiconductors families are grown from the melt by a Bridgman/Stockberger method and some physical properties are investigated. The growning procedure of monocrysta! CuinSe2 crystals are made in two stages, after prereaction of component elements by transferring into second ampule. Monocrystals whose dimensions are 0.5x0.5x0.5 cm are obtanied from ingots which have microcraks and voids are investigated by x-ray Laue back reflection metod after polishing and etching with I^C^Oy : H2SO2 (1:9 Weight) solution. It is found that the crystals are p-type by using hot probe technique. In summary, we may say that our disayned system is suitable to grow CulnSe2 crystal.
Benzer Tezler
- CuInSe2 ince filminin üretimi, yapısal ve optik özellikleri
Production, structural and optical properties of CuInSe2 thin films
MEHMET ÖZKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiKaradeniz Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET SADIGOV
- The effects of post-annealing process on the physical properties of silver-indium-selenium ternary semiconductor thin films deposited by electron beam technique
Üretim sonrası tavlama işleminin elektron demeti tekniğiyle büyütülen gümüş-indiyum-selenyum üçlü yarıiletken ince filmlerin fiziksel özelliklerine etkileri
TAHİR ÇOLAKOĞLU
Doktora
İngilizce
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET PARLAK
- Investigation of electrical and optical properties of Ag-In-Se based devices
Ag-In-Se tabanlı aygıtların elektiriksel ve optik özelliklerinin tespit edilmesi
MURAT KALELİ
Doktora
İngilizce
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. MEHMET PARLAK
- Material and device characterization of ZnInSe2 and Cu0.5Ag0.5InSe2 thin films for photovoltaic applications
ZnInSe2 ve Cu0.5Ag0.5InSe2 ince filmlerinin fotovoltaik uygulamalar için malzeme ve aygıt karakterizasyonu
HASAN HÜSEYİN GÜLLÜ
Doktora
İngilizce
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET PARLAK
PROF. DR. AYŞE ÇİĞDEM ERÇELEBİ
- Yarıiletken heteroyapılarda sıcaklığın ve basıncın yüklü parçacıklara etkisinin bilgisayar analizi
Computer analysis of temperature and pressure effects on the charged particles in semiconductor heterostructures
DERYA ÖZÜBERK