Geri Dön

Schottky diyotlar ve bazı elektriksel parametrelerinin incelenmesi

Schottky diodes and examination of some electrical parameters

  1. Tez No: 252783
  2. Yazar: ERCAN KENANOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF.DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Dicle Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 51

Özet

Bu çalışmada, (100) yönelimine sahip, özdirenci 110?cm olan pSi kristalleri kullanıldı. Etil alkolde Quercetin çözülerek hazırlanan 8.27´10 6 M'lık çözeltiden pSi üzerine damlatılarak ve çözücünün buharlaştırılması pSi/ Quercetin/Al Schottky engel diyotu oluşturuldu. pSi/ Quercetin/Al Schottky engel diyotumuzun elektronik ve arayüzey durum yoğunluk dağılım özellikleri oda sıcaklığında akımgerilim (IV)' den elde edildi. (IV) grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. lnIV grafiği kullanılarak idealite faktörü 1,49 ve engel yüksekliği 0.84eV olarak hesaplandı. Cheung fonksiyonları kullanılarak diyotumuz için dV/d(lnI)I ve H(I)I grafikleri çizildi. dV/d(lnI)I grafiğinden seridirenç 3,23MW ve idealite faktörü 1,68 olarak hesaplandı. H(I)I grafiğinden seri direnç 3,24MW ve engel yüksekliği 0,82eV olarak hesaplandı. Diyotumuzun (IV) verileri kullanılarak arayüzey durum yoğunluklarının enerji dağılımları hesaplandı. Arayüzey durum yoğunluğu N ss (0,652Ev) eV için 5,012x10 13 cm 2 eV ?1 ile (0,762Ev) eV için 3,206x10 12 cm 2 eV ?1 olarak hesaplandı. Arayüzey durum yoğunluklarının üstel bir şekilde band ortasından valans bandın tepesine doğru arttığı görüldü.

Özet (Çeviri)

In this study, (100) oriented and 110?cm pSi crystals have been used. pSi/ Quercetin/Al Schottky barrier diodes have been fabricated by adding 8.27´10 6 M solutions of the Quercetin in etanol on top of pSi substrates and then evaporating the solvent. The electronic and interface state density distribution properties were obtained from the current?voltage (I?V) of pSi/ Quercetin /Al Schottky barrier diode (SBD) at room temperature. From the IV graphics seen that this structure showed rectifying behavior. İdeality factor and barrier height were calculated by InIV graph plots as 1.49, 0.84 eV. dV/d(lnI)I and H(I)I graphics drawed by using Cheung functions. Series resistance and ideality factor were calculated as 3.23MW, 1.68 respectively by using dV/d(lnI)I graphics. Series resistance and barrier height calculated 3.24MW, 0.82eV respectively by using H(I)I graphics. Energy distributions of interface state densities of our diode were calculated using IV data. İnterface state densities, Nss were calculated 5.012x10 13 cm 2 eV ?1 for (0.652Ev) eV ve 3.206x10 12 cm 2 eV ?1 for (0.762Ev) eV. The interface state densities have exponential rises with bias from the midgap towards the top of the valence band

Benzer Tezler

  1. Organik arayüzey tabakalı metal-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin radyasyona bağlı incelenmesi

    Investigation of radiation effects on the electrical properties of metal-semiconductor structures with organic interfacial layer

    AHMET KAYMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HABİBE TECİMER

  2. CdS ince film örneklerinin soğuk altlık üzerinde üretilmesi, yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Preparation of CdS thin films on cold substrate and investigation of structural, electrical and optical properties

    MURAT TOMAKİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKaradeniz Teknik Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. MUSTAFA ALTUNBAŞ

  3. Au(MgO-PVP)/n-Si (MPS) yapıların hazırlanması, yapısal ve frekansa bağlı elektrik dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    The fabrication of Au(MgO-PVP)/n-Si (MPS) Schottky barrier diodes and the investigation their electrical and dielectrical properties

    AYŞEGÜL EROĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET KASAP

  4. Tiyo Schiff bazları ve komplekslerinin sentezi, karakterizasyonu, katalitik etkilerinin incelenmesi ve diyot uygulamaları

    The synthesis and characterization of thio Schiff bases, the diots applications and catalytic properties

    SALİH PAŞA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    KimyaDicle Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAMDİ TEMEL

  5. Synthesis of some functional conducting polymers, characterization, Mott-Schottky analysis and sensor applications

    Bazı fonksiyonel iletken polimerlerin sentezi, karakterizasyonu, Mott-Schottky analizi ve sensor uygulamaları

    TOLGA KARAZEHİR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Polimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDÜLKADİR SEZAİ SARAÇ

    PROF. DR. MURAT ATEŞ