Metal/p-InP/metal Schottky kontakların akım-kapasite-gerilim karakteristiklerinin metal iş fonksiyonuna bağımlılığının incelenmesi
The investigation of dependence of characteristics I-C-V with work functions for metal/p-InP/metal Schottky contacts
- Tez No: 255051
- Danışmanlar: PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT, PROF. DR. ALİ YILMAZ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Dicle Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
p-Inp yarıiletkenini kimyasal olarak temizledik.Omik kontakiçin,yarıiletkenin mat tarafına Zn/Au buharlaştırıldı.Daha sonra,Schottky kontaklar için kullandığımız Zn, Ag, Au, Al, Ti, Cu, Fe, In, Pb ve Sn metalleri benzer temizlik işlemlerinden geçirildikten sonra omik kontaklı p-InP numunelerin parlak yüzlerine vakum ortamında buharlaştırılarak Schottky kontaklar yapıldıiAyrıca, Örnek olması bakımından, Ti/p-InP/ZnAu yapısının numune sıcaklığına bağlı olarak 20K-400K aralığında I-V ve C-V karakteristikleri elde edildi.
Özet (Çeviri)
An omic contact on the back side of the p-type InP is formed by sequentially evaporating Zn and Au layers on InP then;Zn, Ag, Au, Al, Ti, Cu, Fe, In, Ni, Pb, and Sn metals for Schottky contacts have been evaporated as dots with diamater of about 1 mm on the front of p-InP.Furthermore, the current-voltage (I-V) characteristics of Ti/p-InP Schottky diodes have been measured in a wide temperature range with a temperature step of 20 K, as an example.
Benzer Tezler
- Au, Cu ve Al/n-InP Schottky eklemlerin karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
The determination of characteristic parameters of Au, Cu and Al/n-InP Schottky contacts
HİDAYET ÇETİN
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ENİSE AYYILDIZ
- Metal/yarı iletken (MS) ve metal/oksit/yarı iletken (MIS) Pb/p-Si ve Pb/n-Si kontakların karakteristik parametreleri ve arayüzey hallerinin enerji dağılımının belirlenmesi
The Determination of the characteristics parameter and the energy distribution of interface states of the (MS) ve metal/oxide/semiconductor (MIS) Pb/p-Si and Pb/n-Si
MEHMET ENVER AYDIN
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Investigation of electrical properties of au/fe3o4/p-si/al and au/fe3o4/p-si/al heterojunctions dependent on temperature
Au/Fe3O4/p-Si/Al ve Au/Fe3O4/p-Si/Al heteroyapilarin elektri̇ksel özelli̇kleri̇ni̇n sicakliğa bağli olarak i̇ncelenmesi̇
ALİ RIZA DENİZ
Doktora
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞAKİR AYDOĞAN
- Determination of electrical parameters and fabrication of metal/NiPc/inorganic semiconductor structures by using sol-gel method
Sol-gel yöntemi kullanılarak metal/ NiPc / inorganik yarıiletken yapıların oluşturulması ve elektriksel parametrelerinin belirlenmesi
UMRAN EFE
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖMER GÜLLÜ
- Ag/ZnO/p?Si yapısının elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of Ag/ZnO/p?Si heterojunction
CİHAT BOZKAPLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KEMAL AKKILIÇ