Geri Dön

Ag/ZnO/p?Si yapısının elektriksel karakterizasyonu

Electrical characterization of Ag/ZnO/p?Si heterojunction

PDF İndir

  1. Tez No: 300015
  2. Yazar: CİHAT BOZKAPLAN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. KEMAL AKKILIÇ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Dicle Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 81

Özet

Yarıiletken ZnO ince filmler elektriksel iletkenliği ve optik geçirgenliği yüksek malzeme olmalarından dolayı teknolojik açıdan pek çok yerde kullanılırlar. Bu sebepten malzemenin üretimi ve teknik açıdan kullanılabilirliğinin ölçümü önem kazanmaktadır.Bu çalışmada p?Si üzerine ZnO ince filminin oluşturulması ve Ag metalinin ZnO/p?Si yapısı üzerine buharlaştırılması ile Ag/ZnO/p?Si heteroeklem diyotu elde edildi. Elde edilen yapının doğrultucu kontak özelliği gösterdiği gözlemlendi. Diyotun elektriksel özellikleri oda sıcaklığında akım?gerilim (I?V) kapasite?gerilim (C?V) ve kapasite?frekans (C?f) ölçümleri ile incelendi. Engel yüksekliği, idealite faktörü, ve seri direnç gibi yapının elektriksel parametreleri akım?gerilim (I?V) ve kapasite?gerilim (C?V) ölçümlerinden belirlendi. Elde edilen sonuçlar literatürde mevcut bulunan ZnO heteroeklem kontaklarla karşılaştırıldı.

Özet (Çeviri)

As semiconductor ZnO thin films have high electrical conductivity and optical permeability materials used in most position respect of technological. Because of this considers producting of the material and measuring of using respect of technological.n this study, by forming a thin film of ZnO on p?Si and by evaporating Ag, metal on ZnO/p?Si structure, Ag/ZnO/p?Si heterojunction diode has been obtained. It is observed that structure exhibit a rectifying behavior. The electrical junction properties have been characterized by current?voltage (I?V), capacitance?voltage (C?V) and capacitance?frequency (C?f) methods at room temperature. The characteristic parameters of the structure such as barrier height, ideality factor and series resistance have been determined from the current?voltage and capacitance?voltage measurements. Obtained results have been compared with available results of ZnO heterjunction contacts in literature.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    861061

    Solution-processed thin film deposition and characterization of multinarychalcogenides: Towards highly efficient Cu2BaSn(S,Se)4 solar devices

    Solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş çok elementli kalkojenitlerin ince film kaplama ve karakterizasyonu: Yüksek verimli Cu2BaSn(S,Se)4 bazlı güneş soğuran cihazlara doğru

    BETÜL TEYMUR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    EnerjiDuke University

    Malzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DAVİD B.MİTZİ

  2. Tez No

    654367

    N-ZnO/p-Si heteroeklem diyot yapılarının üretilmesi ve elektriksel karakteristiklerinin aydınlık ve karanlık ortamlar için zno ince film kalınlığına bağlı olarak belirlenmesi

    Production of N-ZnO / p-Si heterojunction diode structuresand determination of electrical characteristics depending on the thickness of the zno thin film under the illumination and dark environments

    BAHRİ GEZGİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ YASEMİN GÜNDOĞDU

  3. Tez No

    598824

    ALD yöntemi kullanılarak üretilmiş ZnO,TiO2 ve HfO2 ince film kaplamaların karakterizasyonu ve diyot özelliklerinin incelenmesi

    Characterizations and diode properties of ZnO, TiO2 and HfO2 thin films produced by ALD

    YAĞMUR ALTAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAKAN ATEŞ

  4. Tez No

    295993

    Hidrojenlendirilmiş amorf silikon-kristal silikon heteroeklem güneş gözelerinin bilgisayar modellemesi

    Computer modeling of hydrogenated amorphous silicon-crystal silicon heterojunction solar cells

    MELİS BİLGİÇ AKSARI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    EnerjiHacettepe Üniversitesi

    Temiz Tükenmez Enerjiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYNUR ERAY

  5. Tez No

    549378

    Integration of sol-gel derived doped zinc oxide films and solution-processed metal nanoparticles for thin film photodiode and solar cell applications

    İnce film fotodiyot ve güneş hücresi uygulamaları için sol-jel yöntemiyle elde edilen katkılı çinkoksit filmleri ve çözelti-işlemli metal NP'ların entegrasyonu

    MOHAMED NOURI SBETA

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnkara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi

    Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ

Geri Dön