Al/metil kırmızısı/p-Si Schottky diyotların elektiriksel karakterizasyonu
The electrical characterization of Al/methyl red/p-Si Schottky diode
- Tez No: 255072
- Danışmanlar: PROF.DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Dicle Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 64
Özet
Bu çalışmada, [100] yönelimine sahip, özdirençleri 1-10?cm olan p-Si kristalleri kullanıldı. Kloroformda oluşturulan 2,5x10-3M ve 1x10-4M konsantrasyonlarına sahip metil kırmızısı çözeltilerinin p-Si üzerine damlatılması ve çözücünün buharlaştırılması ile iki farklı Al/metil kırmızısı/p-Si Schottky engel diyotları oluşturuldu. Al/metil kırmızısı/p-Si Schottky engel diyotlarının elektronik özellikleri ve arayüzey durum yoğunluk dağılım özellikleri oda sıcaklığında akımgerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) karakteristiklerinden (düşük ve yüksek frekans) elde edildi. Elde edilen diyotların doğrultucu özelliğe sahip oldukları gözlendi. Sırasıyla derişik ve seyreltik çözelti ile hazırlanan diyotların idealite faktörleri ve engel yükseklikleri lnI-V grafikleri kullanılarak 1.21, 0.821 eV ve 1.45, 0.828 eV olarak hesaplandı. Bu diyotların idealite faktörleri ve engel yükseklikleri ayrıca yüzey potansiyeli-gerilim ( s ? -V) grafikleri kullanılarak sırasıyla 1.21, 0.820 eV ve 2.02, 0.786 eV olarak hesaplandı. Bu sonuçlardan derişik çözelti ile hazırlanan Al/metil kırmızısı/p-Si yapının doğrultuculuğunun daha fazla olduğu ve ideale daha yakın olduğu ve bu diyot için her iki yöntemle elde edilen değerlerin birbirlerini doğruladığı görüldü. Bu sonuçlar, derişik çözelti ile hazırlanan diyotun oksit kalınlığının daha az olmasına atfedildi. Her iki diyotun yüksek (5MHz) ve düşük frekans (100kHz) kapasiteleri kullanılarak organik bileşik ile inorganik yarıiletken arayüzeylerindeki konuşlanmış arayüzey durum yoğunluklarının enerji dağılımları hesaplandı. Derişik ve seyreltik çözeltilerle hazırlanmış diyotlar için dağılımlar sırasıyla, (0.675- EV)eV ile (0.783- Ev)eV aralığında ve (0.697-Ev)eV ile (0.791- EV) eV aralığında bulundu. Ayrıca arayüzey durum yoğunluklarının Nss derişik ve seyreltik çözeltilerle hazırlanmış diyotlar için sırasıyla, (0.675- EV) eV için 3.605x1013cm-2eV-1 ile (0.783-EV) Ev için 2.542x1012cm-2eV-1 aralığında ve (0.697-EV) eV için 4.162x1012cm-2eV-1 ile (0.791-EV) eV için 1.699x1012cm-2eV?1 oldukları hesaplandı. Arayüzey durum yoğunluklarının üstel bir şekilde band ortasından valans bandın tepesine doğru arttığı görüldü.
Özet (Çeviri)
In this study, [100] oriented and 1-10?cm p-Si crystals have been used. Two different Al/methyl red/p-Si Schottky barrier diodes have been fabricated by adding 2.5x10-3M and 1x10-4M solutions of the non-polymeric organic compound methyl red in chloroform on top of p-Si substrates and then evaporating the solvent. The electronic and interface state density distribution properties were obtained from the current? voltage (I?V) and the capacitance?voltage (C?V) characteristics (high and low frequency) of Al/methyl red/p-Si Schottky barrier diode (SBD) at room temperature. It is seen that both of them show rectifying behaviour. The ideality factors and barrier heights of diodes, prepared with concentrated and diluted organic compound solutions, are calculated by lnI-V graph plots as 1.21, 0.821 eV and 1.45, 0.828 eV, respectively. Their ideality factors and barrier heights are also calculated by surface potential-voltage ( s ? -V) graph plots and found as 1.21, 0.821 eV and 1.45, 0.828 eV, respectively. It is seen that Al/methyl red/p-Si structure prepared with concentrated solution has more rectifying behaviour and it is nearer to ideal diode. It is also seen that for this diode, both results obtained from lnI-V and s ? -V graphs confirm each others. These results are attributed to less oxide thickness of diode prepared with concentrated solution. Energy distributions of interface state densities which were placed interface between organic compound and inorganic semiconductor have been calculated by using high frequency (5MHz) and low frequency (100 kHz) capacitance for both diodes. These distributions for concentrated and diluted diodes have been found between (0.675- EV)eV and (0.783-EV)eV and between (0.699-EV)eV and (0.791-EV)eV, respectively. In addition, interface state densities, Nss, for concentrated and diluted diode have been found between 3.605x1013cm-2eV-1 (for (0.675-EV)eV) and 2.542x1012cm-2eV?1 (for (0.783-EV) eV), and between 4.162x1012cm-2eV?1 (for (0.697- EV)eV) and 1.699x1012cm-2eV?1 (for (0.791-EV) eV), respectively. The interface state densities have exponential rises with bias from the mid-gap towards the top of the valence band.
Benzer Tezler
- Silisyum tabanlı organik metal yarıiletken kontakların fotodiyot ve elektiriksel karakterizasyonu
Photodiode and electrical characterization of silicon-based organic metal semiconductor contacts
ERHAN AKYOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NEZİR YILDIRIM
- Saçtırma yöntemiyle elde edilen sade ve metil kırmızısı organik arayüzeyli pd/n-si schottky güneş pillerinin elektriksel ve fotovoltaik karakterizasyonu
Electrical and photovoltaic characterization of pd/n-si schottky solar cells with plain and methyl red organic interface obtained by sputtering method
MUHAMMET BIRA ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiArdahan ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ HASAN HÜSEYİN ÇOBAN
- Konya çevresindeki toprakların jeokimyası
Geochemistry of the soils in the vicinity of Konya
BİLGEHAN YABGU HORASAN
Doktora
Türkçe
2014
Jeoloji MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiJeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FETULLAH ARIK
- A study of polymorphic variants of repairing genes in breast cancer and comparison of patient diets in Iraqi population
Meme kanserinde onarıcı genlerin polimorfik varyantları ve Irak nüfusunda hasta beslenmelerinin karşılaştırılması üzerine bir çalışma
HUDA SALİH MEZAAL MEZAAL
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
BiyolojiAltınbaş ÜniversitesiBiyomedikal Bilimler ve Mühendislik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ÖZGE SEÇMELER
- Removal of synthetic dyes from aqueous solutions using illite
İllit kullanılarak sentetik boyaların sulu çözeltilerden uzaklaştırılması
OMAR TAHA SAADOON AL-TAIE
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Kimya MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA ESEN MARTI