Geri Dön

Electrical and magnetoresistive characteristics of electrodeposited Schottky diode systems

Elektrodepolama yöntemiyle yapılan Schottky diyodların elektriksel ve magnetoresistans özelliklerinin incelenmesi

  1. Tez No: 255967
  2. Yazar: GÜLSEN ŞAHİN GÜLER
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÖMER FARUK BAKKALOĞLU
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Silisyum, Schottky bariyer diyot, Bariyer inhomojenliği, Elektrodepolama yöntemi, Manyetorezistans, Silicon, Schottky Barrier Diodes, Barrier inhomogeneity, Electrodeposition Method, Magnetoresistance
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 119

Özet

Bu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 300-400µm kalınlıklı ve 3-4 ?cm öz dirençli ve Fosfor katkılı n-Si kullanarak, elektrodepolama yöntemiyle oluşturduğumuz Ni/n-Si and Co/n-Si Schottky diyotların elektriksel ve magnetoresistans özellikleri incelendi. Bu diyotların elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V), (C-2-V), iletkenlik-voltage (G-V) yardımıyla belirlendi. Ayrıca bu sistemlerin magnetoresistans özellikleri araştırıldı.Elektrodepolama yöntemiyle oluşturduğumuz Ni/n-Si and Co/n-Si Schottky diyotların yanal homojen bariyer yükseklikleri etkin BH'leri ve idealite faktörleri arasındaki lineer ilişki yardımıyla belirlendi.Schottky bariyer yüksekliğinin oluşum teorisinde, Schottky bariyer yüksekliğinin özdeşliği ve homojenliği önemli bir konudur ve Schottky bariyer diyot ve kontakların oluşumunda önemli bir daldır. Böylece yarıiletken madde iyi karakterize edilip homojen Schottky bariyer yüksekliği, tek bir kontağın I-V karakteristiklerinden de elde edilebilir. Bu amaçla, yaklaşık 1,22x 1015 cm-3 katkı yoğunluklu Co/n-tip Si SBD lar ve yaklaşık 1,25x 1015 cm-3 katkı yoğunluklu Ni/n-tip Si diyotlar hazırlandı ve büyük BH lı lineer bölge kullanıldı. Ni/n-tip Co/n-Si yapılarının elektriksel karakteristikleri oda sıcaklığında birbiriyle karşılaştırıldı.

Özet (Çeviri)

In this study, by using n-Si substrate with (100) orientation, 300-400 µm thickness and 3-4 ?cm resistivity and phosphorus doped, thin film Schottky diode systems (Ni/n-Si SBDs and Co/n-Si SBDs which are electrochemically formed on n-type Si) are constructed and characterized. In the electrical characterization of these diodes, the current-voltage (I-V), the capacitance-voltage (C-V) and the conductivity-voltage (G-V) measurements are done. In addition, the magnetoresistive properties of these systems are investigated.We have determined laterally homogeneous barrier heights (BHs) of the electrodeposited Ni/n-Si and Co/n-Si SBDs by the help of the linear relationship between the effective BHs and the ideality factors which is experimentally and theoretically confirmed.The homogeneity or the uniformity of the Schottky BH is an issue with important implications on the theory of Schottky BH formation and important ramifications for the operation of Schottky barrier diodes and contacts. Thus, provided semiconductor substrate is well characterized, the homogeneous Schottky BH may be obtained even from the I-V characteristics of one contact. For this purpose, the Co/n-type Si SBDs with a doping density of about 1.22x 1015 cm-3 and Ni/n-type Si diodes with a doping density of about 1.25x 1015 cm-3 are prepared and the linear region with large BHs is used. The electrical characteristics of Ni/n-type and Co/n-Si structures were compared with each other at the room temperature.

Benzer Tezler

  1. Effect of cationic and anionic dopings on structural and magneto-transport properties of manganites

    Manganitlerın yapısal ve manyeto-taşınım özellikleri üzerine katyonik ve anyonik katkılamanın etkisi

    SEVGİ POLAT ALTINTAŞ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAbant İzzet Baysal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CABİR TERZİOĞLU

  2. The effect of A-site deficiency in simple perovskite manganites

    Basit perovskit manganitlerde A-kısım eksikliğinin etkisi

    TANSU AŞATIR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ SEVGİ POLAT ALTINTAŞ

  3. LaCaMnO nanotellerin ve nanoparçacıkların sol-jel yöntemi ile elde edilmesi ve özelliklerinin incelenmesi

    Production of LaCaMnO nanowires and nanoparticles by sol-gel method and their properties

    VEDAT YAĞMUR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİnönü Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FUNDA ERSOY ATALAY

  4. Magnetorezistiv malzemelerin ekranlama özelliklerinin araştırılması

    Shielding properties research of magnetoresistive materials

    NUH YALÇIN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. BEKİR AKTAŞ

  5. Fiziksel özelliği bilinmeyen gömülü manyetik malzemelerin üst yüzey manyetik akı profilinin manyetik sensör ağı ile belirlenmesi ve malzemeyi tanımlamadaki etkinliği

    Determination of upper surface magnetic flux profiles of buried magnetic materials which have got unknown physical features with the help of magnetic sensor network and its efficiency in defining material

    HAKAN ÇITAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Elektrik Eğitimi Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADNAN KAKİLLİ

    DOÇ. DR. YAVUZ EGE