Geri Dön

Electrical and magnetoresistive characteristics of electrodeposited Schottky diode systems

Elektrodepolama yöntemiyle yapılan Schottky diyodların elektriksel ve magnetoresistans özelliklerinin incelenmesi

PDF İndir

  1. Tez No: 255967
  2. Yazar: GÜLSEN ŞAHİN GÜLER
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÖMER FARUK BAKKALOĞLU
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Silisyum, Schottky bariyer diyot, Bariyer inhomojenliği, Elektrodepolama yöntemi, Manyetorezistans, Elektrodepozisyon, Schottky diyodları, Silicon, Schottky Barrier Diodes, Barrier inhomogeneity, Electrodeposition Method, Magnetoresistance, Electrodeposition, Schottky diodes
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 300-400µm kalınlıklı ve 3-4 ?cm öz dirençli ve Fosfor katkılı n-Si kullanarak, elektrodepolama yöntemiyle oluşturduğumuz Ni/n-Si and Co/n-Si Schottky diyotların elektriksel ve magnetoresistans özellikleri incelendi. Bu diyotların elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V), (C-2-V), iletkenlik-voltage (G-V) yardımıyla belirlendi. Ayrıca bu sistemlerin magnetoresistans özellikleri araştırıldı.Elektrodepolama yöntemiyle oluşturduğumuz Ni/n-Si and Co/n-Si Schottky diyotların yanal homojen bariyer yükseklikleri etkin BH'leri ve idealite faktörleri arasındaki lineer ilişki yardımıyla belirlendi.Schottky bariyer yüksekliğinin oluşum teorisinde, Schottky bariyer yüksekliğinin özdeşliği ve homojenliği önemli bir konudur ve Schottky bariyer diyot ve kontakların oluşumunda önemli bir daldır. Böylece yarıiletken madde iyi karakterize edilip homojen Schottky bariyer yüksekliği, tek bir kontağın I-V karakteristiklerinden de elde edilebilir. Bu amaçla, yaklaşık 1,22x 1015 cm-3 katkı yoğunluklu Co/n-tip Si SBD lar ve yaklaşık 1,25x 1015 cm-3 katkı yoğunluklu Ni/n-tip Si diyotlar hazırlandı ve büyük BH lı lineer bölge kullanıldı. Ni/n-tip Co/n-Si yapılarının elektriksel karakteristikleri oda sıcaklığında birbiriyle karşılaştırıldı.

Özet (Çeviri)

In this study, by using n-Si substrate with (100) orientation, 300-400 µm thickness and 3-4 ?cm resistivity and phosphorus doped, thin film Schottky diode systems (Ni/n-Si SBDs and Co/n-Si SBDs which are electrochemically formed on n-type Si) are constructed and characterized. In the electrical characterization of these diodes, the current-voltage (I-V), the capacitance-voltage (C-V) and the conductivity-voltage (G-V) measurements are done. In addition, the magnetoresistive properties of these systems are investigated.We have determined laterally homogeneous barrier heights (BHs) of the electrodeposited Ni/n-Si and Co/n-Si SBDs by the help of the linear relationship between the effective BHs and the ideality factors which is experimentally and theoretically confirmed.The homogeneity or the uniformity of the Schottky BH is an issue with important implications on the theory of Schottky BH formation and important ramifications for the operation of Schottky barrier diodes and contacts. Thus, provided semiconductor substrate is well characterized, the homogeneous Schottky BH may be obtained even from the I-V characteristics of one contact. For this purpose, the Co/n-type Si SBDs with a doping density of about 1.22x 1015 cm-3 and Ni/n-type Si diodes with a doping density of about 1.25x 1015 cm-3 are prepared and the linear region with large BHs is used. The electrical characteristics of Ni/n-type and Co/n-Si structures were compared with each other at the room temperature.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    395467

    Functional nanoplasmonic devices and novel photonic materials

    İşlevsel nanoplazmonik aygıtlar ve yeni fotonik malzemeler

    ENES BATTAL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY

  2. Tez No

    409067

    Effect of cationic and anionic dopings on structural and magneto-transport properties of manganites

    Manganitlerın yapısal ve manyeto-taşınım özellikleri üzerine katyonik ve anyonik katkılamanın etkisi

    SEVGİ POLAT ALTINTAŞ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAbant İzzet Baysal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CABİR TERZİOĞLU

  3. Tez No

    678991

    The effect of A-site deficiency in simple perovskite manganites

    Basit perovskit manganitlerde A-kısım eksikliğinin etkisi

    TANSU AŞATIR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ SEVGİ POLAT ALTINTAŞ

  4. Tez No

    224

    Plazma arkı eldesi ve yüzey bölgesi modifikasyonunda kullanılabilirliği

    Başlık çevirisi yok

    ÖZKAN ÖZİPEKLİLER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Makine MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HALİM DEMİRCİ

  5. Tez No

    31

    Realization of transmitter and receiver clock generation units and channel switching unit in a modified analog radio relay

    Değiştirilen bir analog radyodaki verici ve alıcı saat üretimi birimleri ve kanal anahtarlama biriminin gerçekleştirilmesi

    AYHAN BÜYÜKSEMERCİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1987

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT AŞKAR

Geri Dön