Geri Dön

Manyetik yarıiletken ve iletkenlerde özdirenç ve Hall olayının incelenmesi

Investigation of resistivity and Hall effect in magnetic semiconductor and conductors

  1. Tez No: 268785
  2. Yazar: SEVDA SARITAŞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. BAHŞELİ GULİYEV
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Özdirenç, Yarıiletken, Hall katsayısı, Relaksasyon zamanı
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 52

Özet

Bu tez çalışmasında aynı anda, hem yarıiletken özelliği taşıyan hem de manyetik yapıya sahip kristallerde yani manyetik yarıiletkenlerde iletken elektronların manyetik sistemden -spinlerden-saçılmasının kinetik olaylara etkisi incelenmiştir. Hem spinlerden saçılma hem de olağan saçılma mekanizmaları göz önüne alınarak kinetik denklemin çözümü ele alınmış ve galvanomanyetik olaylar araştırılmıştır. Elde edilen sonuçlar, Hall katsayısının manyetik alana bağlı olarak zayıf değiştiği fakat özdirencin manyetik alana bağlı olarak daha önemli şekilde değiştiği gözlemlenmiştir. Özel olarak hem zayıf alanda hem de güçlü alanda manyetik alana bağlı olarak özdirencin azalması yani negatif magnetorezistans olayının gerçekleştiği saptanmıştır. Bu sonuçlar deneysel verilerle karşılaştırılmış ve iyi uyum sağladığı görülmüştür.

Özet (Çeviri)

In this study, the effect of the scattering of conducting electrons from the spins on the kinetic effects in the magnetic semiconductors have been invertigated.The solution of the kinetic equation has been discussed and the galvanomagnetic effects have been studied taking into account both the electron-spin and the usual scattering mechanism.It is seen from the obtained results that while the Hall coefficient changes slowly with the magnetic field, the resistivity changes strongly with it.Therefore, negative magnetoresistance has observed.The obtained result by the theoretical calculations have been compared with the experimental data.It is seen from the comparision, the obtained result are in good agreement with the experimental results.Key word:Resistivity,Semiconductor,Hall?s Coefficient,Relaxation Time

Benzer Tezler

  1. Mangan katkılı yarıiletkenlerde elektron spin resonans (ESR) spektrumlarının incelenmesi

    Investigation of electron spin resonance (ESR) spectra of Mn(manganese) doped semiconductors

    FATMA ASLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGiresun Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU

  2. ZnO nanomalzemelerde oluşan kusurların optik, manyetik ve elektriksel özelliklerine etkisinin incelenmesi

    Investigation of the effect of defects in ZnO nanomaterials on their optical, magnetic and electrical properties

    YUSUF KANDİL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Eğitimi Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADİL GÜLER

    DOÇ. DR. CİHAT BOYRAZ

  3. Manyetik geçiş elementiyle katkılanmış germanyum yarı iletkenlerinin büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of germanium semiconductors doped with magnetic transition metals

    AYKUT CAN ÖNEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. LEYLA ÇOLAKEROL ARSLAN

  4. Seyreltik manyetik yarı iletken malzemelerin sentezlenmesi ve karakterizasyonu

    The characterizating and synthesizing of dilute magnetic semiconductor materials

    BAYRAM YEŞİLBAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. CİHAT BOYRAZ

  5. Design and implementation of LLC resonant converter and high frequency transformer

    LLC rezonans çeviricisi ile yüksek frekans transformatörünün tasarımı ve gerçeklenmesi

    NUR ELİF TOPUZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. GÜVEN KÖMÜRGÖZ KIRIŞ