Manyetik yarıiletken ve iletkenlerde özdirenç ve Hall olayının incelenmesi
Investigation of resistivity and Hall effect in magnetic semiconductor and conductors
- Tez No: 268785
- Danışmanlar: PROF. DR. BAHŞELİ GULİYEV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Özdirenç, Yarıiletken, Hall katsayısı, Relaksasyon zamanı
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 52
Özet
Bu tez çalışmasında aynı anda, hem yarıiletken özelliği taşıyan hem de manyetik yapıya sahip kristallerde yani manyetik yarıiletkenlerde iletken elektronların manyetik sistemden -spinlerden-saçılmasının kinetik olaylara etkisi incelenmiştir. Hem spinlerden saçılma hem de olağan saçılma mekanizmaları göz önüne alınarak kinetik denklemin çözümü ele alınmış ve galvanomanyetik olaylar araştırılmıştır. Elde edilen sonuçlar, Hall katsayısının manyetik alana bağlı olarak zayıf değiştiği fakat özdirencin manyetik alana bağlı olarak daha önemli şekilde değiştiği gözlemlenmiştir. Özel olarak hem zayıf alanda hem de güçlü alanda manyetik alana bağlı olarak özdirencin azalması yani negatif magnetorezistans olayının gerçekleştiği saptanmıştır. Bu sonuçlar deneysel verilerle karşılaştırılmış ve iyi uyum sağladığı görülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this study, the effect of the scattering of conducting electrons from the spins on the kinetic effects in the magnetic semiconductors have been invertigated.The solution of the kinetic equation has been discussed and the galvanomagnetic effects have been studied taking into account both the electron-spin and the usual scattering mechanism.It is seen from the obtained results that while the Hall coefficient changes slowly with the magnetic field, the resistivity changes strongly with it.Therefore, negative magnetoresistance has observed.The obtained result by the theoretical calculations have been compared with the experimental data.It is seen from the comparision, the obtained result are in good agreement with the experimental results.Key word:Resistivity,Semiconductor,Hall?s Coefficient,Relaxation Time
Benzer Tezler
- Mangan katkılı yarıiletkenlerde elektron spin resonans (ESR) spektrumlarının incelenmesi
Investigation of electron spin resonance (ESR) spectra of Mn(manganese) doped semiconductors
FATMA ASLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGiresun ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU
- ZnO nanomalzemelerde oluşan kusurların optik, manyetik ve elektriksel özelliklerine etkisinin incelenmesi
Investigation of the effect of defects in ZnO nanomaterials on their optical, magnetic and electrical properties
YUSUF KANDİL
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiElektrik-Elektronik Eğitimi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADİL GÜLER
DOÇ. DR. CİHAT BOYRAZ
- Manyetik geçiş elementiyle katkılanmış germanyum yarı iletkenlerinin büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of germanium semiconductors doped with magnetic transition metals
AYKUT CAN ÖNEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. LEYLA ÇOLAKEROL ARSLAN
- Seyreltik manyetik yarı iletken malzemelerin sentezlenmesi ve karakterizasyonu
The characterizating and synthesizing of dilute magnetic semiconductor materials
BAYRAM YEŞİLBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. CİHAT BOYRAZ
- Design and implementation of LLC resonant converter and high frequency transformer
LLC rezonans çeviricisi ile yüksek frekans transformatörünün tasarımı ve gerçeklenmesi
NUR ELİF TOPUZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜVEN KÖMÜRGÖZ KIRIŞ