Geri Dön

Segregation and interface stability in germanium-silicon single crystal alloys

Tek kristal germanyum-silikon alışımlarında ayrışma ve ara yüzey kararlılığı

  1. Tez No: 270423
  2. Yazar: AİDİN DARİO
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ERCAN BALIKÇI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Metalurji Mühendisliği, Metallurgical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 119

Özet

Eriyik büyütme yöntemleri büyük ölcek yarı-iletken kristal büyümesine olanaksağlar. Ancak Ge-Si tek kristallerin eriyik büyütmesi deneysel parametrelere aşırı derecededuyarlıdır. Katı/sıvı arayüzeyine yakın doğru ısıl verilerin elde edilmesi ve böyleceakıs karakteristiklerinin bilinmesi, büyütme sırasında büyük öneme sahiptir.  ÖzellikleGe-Si büyütmesinde değişen ayrışma katsayısı, büyük yoğunluk farklılıklar ve büyükkatılaşma aralığı dolayısıyla arayüzey kararsızlığı ve tek kristal bozulmasna neden olankonsantrasyon dalgalanmalarını önlemek için, arayüzeyi sabit bir sicaklikta duz tutmakönemlidir.Eriyikten tek kristal yarı iletken alaşımlarının büyütülmesi, Axial Heat Processing(AHP), kristal büyütme tekniği kullanılarak araştırılımıştır. Bu yöntem arayüzeye homojenısı dağılımını, eriyik yuksekliginin azaltilmasını ve eriyigin 2 bölgeye ayrılmasınısağlayan, erigin içine daldırılmıs bir parça (baffle) kulanır. Böylece kaldırma kuvetindenkaynaklanan sıvı akısı azalır ve büyütme bölmesine devamlı taze malzemenin aıkısısağlanır. AHP metodu kullanılarak yüzde oniki ve yüzde beş silikon içeren kristaller0.75 ve 2 mm=h büyütme hızlar ve iki farklı eriyik yüksekliği (5 ve 10 mm) kullanılarakbüyütulmustur. Kıyaslamaya referans olması için ayrıca Bridgman metodu kulanılarakGe-Si tek kristallerde büyütulmustur.

Özet (Çeviri)

Melt growth allows large-scale production of semiconductor crystals. However,growth of Ge-Si single crystals from melt is extremely sensitive to experimental parameters.Obtaining accurate thermal data near the solid/liquid (s/l) interface and so knowing the fluidflow characteristics during Ge-Si alloy crystals are essential to controlthe growth, which is not easy with conventional techniques. Especially, because ofwidely varying segregation coefficient, large density differences, and large solidicationrange in the case of Ge-Si growth, it is difficult but important to keep the interfaceplanar at a constant temperature to avoid compositional fluctuations that may lead tointerface instability and degradation of single crystallinity.The use of a crystal growth technique called axial heat processing (AHP) togrow single crystal semiconductor alloys from the melt is investigated. The techniqueincludes an immersed baffle which distributes the heat over the entire growth interface,decreases the melt height, and divides melt into two regions. This consequently reducesthe buoyancy driven convection in the melt, induces forced flow, and continuouslysupplies fresh charge to the growth domain. Five and twelve atomic percent silicondoped germanium single crystals have been grown by the AHP method at 0.75 and 2mm/h velocities with two different melt heights (5 mm and 10 mm). Few Bridgmancrystals have also been grown to set a base for a comparison between the crystals grownby the AHP and Bridgman techniques.

Benzer Tezler

  1. Düşük sıvı yüksekliğiyle ve eksenel titreşimle büyütülmüş germanyum tek kristallerin nümerik simülasyonu

    Numerical simulation of germanium single crystals grown with a low melt height and an axial vibration

    POUYA YOUSEFI LOUYEH

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Makine MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    Assoc. Prof. Dr. ERCAN BALIKCİ

  2. Toz metalurjisi ile üretilen takım çeliklerinin sıcak daldırma yöntemiyle alüminyum kaplama sonrası yüzey karakterizasyonu

    Surface characterization of powder metallurgy tool steels after hot dip aluminizing

    ANIL ÇALIŞKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MURAT BAYDOĞAN

  3. Bakır elementinin ve bakır eşdeğerinin yapı çeliklerinde yorulma performansına etkisinin incelenmesi

    Investigation of copper and copper equivalent effect on fatigue performance in structural steels

    ALPER BAYRAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA KELAMİ ŞEŞEN

  4. Süperalaşımlardan nimonic 80 alaşımına kromun etkisi

    Başlık çevirisi yok

    MÜMİN DENİZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. NİYAZİ ERUSLU

  5. Ni/ZnO nanokompozit partiküllerinin ultrasonik sprey piroliz tekniğiyle üretimi

    Production of Ni/ZnO nanocomposite particles via ultrasonic spray pyrolysis (USP) method

    İLAYDA KOÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEBAHATTİN GÜRMEN