Segregation and interface stability in germanium-silicon single crystal alloys
Tek kristal germanyum-silikon alışımlarında ayrışma ve ara yüzey kararlılığı
- Tez No: 270423
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ERCAN BALIKÇI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Metalurji Mühendisliği, Metallurgical Engineering
- Anahtar Kelimeler: Katı-sıvı akış, Katılaşma, Katılaşma süresi, Solid-liquid flow, Solidification, Solidification time
- Yıl: 2010
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Eriyik b üy ütme y öntemleri b üy ük ölcek yarı-iletken kristal b üy ümesine olanaksağlar. Ancak Ge-Si tek kristallerin eriyik b üy ütmesi deneysel parametrelere aşırı derecededuyarlıdır. Katı/sıvı aray üzeyine yakın doğru ısıl verilerin elde edilmesi ve b öyleceakıs karakteristiklerinin bilinmesi, b üy ütme sırasında b üy ük öneme sahiptir. ÖzellikleGe-Si b üy ütmesinde değişen ayrışma katsayısı, b üy ük yoğunluk farklılıklar ve b üy ükkatılaşma aralığı dolayısıyla aray üzey kararsızlığı ve tek kristal bozulmasna neden olankonsantrasyon dalgalanmalarını önlemek için, aray üzeyi sabit bir sicaklikta d uz tutmak önemlidir.Eriyikten tek kristal yarı iletken alaşımlarının b üy üt ülmesi, Axial Heat Processing(AHP), kristal b üy ütme tekniği kullanılarak araştırılımıştır. Bu y öntem aray üzeye homojenısı dağılımını, eriyik y uksekliginin azaltilmasını ve eriyigin 2 b ölgeye ayrılmasınısağlayan, erigin içine daldırılmıs bir parça (baffle) kulanır. B öylece kaldırma kuvetindenkaynaklanan sıvı akısı azalır ve b üy ütme b ölmesine devamlı taze malzemenin aıkısısağlanır. AHP metodu kullanılarak y üzde oniki ve y üzde beş silikon içeren kristaller0.75 ve 2 mm=h b üy ütme hızlar ve iki farklı eriyik y üksekliği (5 ve 10 mm) kullanılarakb üy ütulmustur. Kıyaslamaya referans olması için ayrıca Bridgman metodu kulanılarakGe-Si tek kristallerde b üy üt ulm ust ur.
Özet (Çeviri)
Melt growth allows large-scale production of semiconductor crystals. However,growth of Ge-Si single crystals from melt is extremely sensitive to experimental parameters.Obtaining accurate thermal data near the solid/liquid (s/l) interface and so knowing the fluidflow characteristics during Ge-Si alloy crystals are essential to controlthe growth, which is not easy with conventional techniques. Especially, because ofwidely varying segregation coefficient, large density differences, and large solidicationrange in the case of Ge-Si growth, it is difficult but important to keep the interfaceplanar at a constant temperature to avoid compositional fluctuations that may lead tointerface instability and degradation of single crystallinity.The use of a crystal growth technique called axial heat processing (AHP) togrow single crystal semiconductor alloys from the melt is investigated. The techniqueincludes an immersed baffle which distributes the heat over the entire growth interface,decreases the melt height, and divides melt into two regions. This consequently reducesthe buoyancy driven convection in the melt, induces forced flow, and continuouslysupplies fresh charge to the growth domain. Five and twelve atomic percent silicondoped germanium single crystals have been grown by the AHP method at 0.75 and 2mm/h velocities with two different melt heights (5 mm and 10 mm). Few Bridgmancrystals have also been grown to set a base for a comparison between the crystals grownby the AHP and Bridgman techniques.
Benzer Tezler
- Düşük sıvı yüksekliğiyle ve eksenel titreşimle büyütülmüş germanyum tek kristallerin nümerik simülasyonu
Numerical simulation of germanium single crystals grown with a low melt height and an axial vibration
POUYA YOUSEFI LOUYEH
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Makine MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Assoc. Prof. Dr. ERCAN BALIKCİ
- Bakır elementinin ve bakır eşdeğerinin yapı çeliklerinde yorulma performansına etkisinin incelenmesi
Investigation of copper and copper equivalent effect on fatigue performance in structural steels
ALPER BAYRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KELAMİ ŞEŞEN
- Fabrication and characterization of Al, AlMgSi, and AlSi foams
Al, AlMgSi ve AlSi köpüklerin üretimi ve karakterizasyonu
NAZIM MAHMUTYAZICIOĞLU
Doktora
İngilizce
2010
Makine MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SABRİ ALTINTAŞ
- Pack aluminizing of inconel 718 superalloy produced by cold spray additive manufacturing
Soğuk sprey eklemeli imalat yöntemi ile üretilen inconel 718 süperalaşımının kutu alüminyumlama işlemi
SERRA BAYRAM
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MURAT BAYDOĞAN