P-tipi çinko oksit (ZnO) yarıiletken ince filminin atmalı katodik vakum ark depolama yöntemi ile elde edilmesi ve karakterizasyonu
Deposition and characterization of p-type ZnO films by pulsed cathodic vacuum arc deposition technique
- Tez No: 270608
- Danışmanlar: PROF. DR. RAMAZAN ESEN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Çukurova Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 206
Özet
Bu çalışmada atmalı katodik vakum ark depolama sistemi kullanılarak cam alt tabanlar üzerine depolanan ZnxNy filmlerinin oksidasyonu ile N katkılı ZnO ince filmler elde edilmiştir. Tavlama sıcaklığının depolanan ZnxNy ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optiksel özellikleri üzerindeki etkisi araştırılmıştır. Bundan başka, N katkılı ZnO filmler O2-N2 karışım atmosferinde cam alt tabanlar üzerine depolanmışlardır. Elde edilen filmlerin 450 °C' de tavlanmasıyla p-tipi ZnO:N ince filmler elde edilmiştir. O2'nin N2' ye oranının elde edilen ve tavlanan filmlerin elektriksel ve optiksel özellikleri üzerindeki etkisi çalışılmıştır. Ayrıca, n-tipi (100) yönelimli tek kristal silisyum alt tabakaları üzerine, ZnxNy ve 5/3' lük O2/N2 oranıyla ZnO:N filmleri depolanmıştır. Elde edilen bu filmler p-ZnO/n-Si heteroeklem yapılar elde etmek için 450 °C' de 1 saat tavlanmışlardır. Bu yapıların akım-gerilim (I-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ölçülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this study, N-doped ZnO films were obtained by the oxidation of ZnxNy thin films deposited on glass substrates employing pulsed cathodic vacuum arc deposition system. The influence of annealing temperature, on the electrical, structural and optical properties of asdeposited ZnxNy films was investigated. The N-doped ZnO films obtained on glas substrate in O2-N2 gas mixture were also investigated. p-type ZnO:N films were obtained by annealing of the as-deposited films at 450 °C. The influence of O2 to N2 ratio on the electrical and optical properties of the as-deposited and annealed films was studied .In addition, ZnO:N film with the 5:3 ratio of O2 to N2 and ZnxNy film were deposited on n-type (100) Si substrate. These films were annealed at 450 ? for one hour to form p-ZnO/n-Si hetero-junction structures. The current-voltage (I-V) characteritics of the structures have been measured at room temperature
Benzer Tezler
- Çinko oksit (ZnO) tabanlı ultraviyole (UV) ışık yayan diyotların elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical and optical properties of ZnO based ultraviolet light emitting diodes
EMRE ARSLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SONGÜL FİAT VAROL
- PFCVAD sistemi ile üretilen n ve p-tipi zno ince filmlerin fotolüminesans özelliklerinin karşılaştırılması
Comparison of the pholuminescence properties of the n and p-type zno thin films which are grown by PFCVAD system
HAVVA ÖZDAMAR
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAMİDE KAVAK
- SILAR ve dönel kaplama metotları kullanılarak büyütülen çinko oksit (ZnO) ince filmlerde uyarılmış emisyonun incelenmesi
Examination of stimulated emission at ZnO thin films deposited by SILAR and spin coating methods
MELİH ÖZDEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErzurum Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ÇAĞLAR DUMAN
- Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction
ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri
YELİZ KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN
- II-VI bileşik yarı iletken çinko oksit'te nokta kusurların elektriksel iletkenliğe etkileri
Effects of point defects on electrical properties of II-VI compound semiconductor zinc oxide
EMRE GÜR
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN