Sol-jel yöntemi ile büyütülen katkısız ve Ni katkılı ZnO yarı iletkenlerinin yapısal ve optik özellikleri
Structural and optical properties of undoped and Ni doped ZnO semiconductors grown by sol-gel method
- Tez No: 284365
- Danışmanlar: PROF. DR. SEYDİ DOĞAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 84
Özet
Bu çalışmada, sol-jel spin kaplama yöntemi ile katkısız ve farklı mol oranlarında Nikel (Ni) katkılanan katkılı ZnO ince filmlerin optik ve yapısal özellikleri incelenmiştir. Farklı Ni molaritesi altında katkılamanın etkisini gözlemlemek için, Atomik Kuvvet Mikroskop (AFM), X-Işını Kırınımı (XRD), Taramalı Elektron Mikroskop (SEM), Dalgaboyu Ayrımlı X-Işını Flüoresans (WDXRF), optik soğurma ve geçirgenlik ölçümleri gerçekleştirilmiştir. Büyütülen ZnO filmler taban malzeme yüzeyine dik olan c-ekseni boyunca büyüme eğilimi göstermişlerdir. Tüm numunler için baskın pik (002) olarak gözlemlenmiştir. AFM ve SEM görüntüleri katkılamanın yüzey morfolojilerini etkilemediğini göstermiş olup filmlerin yüzey pürüzlülük değerleri 4.0 nm ile 4.3 nm aralığında gözlenmiştir. Geçirgenlik sonuçları, geçirgenliğin yaklaşık %75 civarında olduğunu ve artan katkılama konsantrasyonu ile birlikte biraz azaldığını göstermiştir. Yasak enerji aralığı değerleri, (?hv)2-hv grafiklerinden, katkısız ve %0.75 Ni katkılı ZnO ince filmleri için sırasıyla 3.282 eV ve 3.263 olarak hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, the optical and structural properties of undoped and Nickel (Ni) doped ZnO thin films with different mole ratios via sol-gel spin coating method have been investigated. Atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM), Wavelength Dispersive X-ray Fluorescence (WDXRF), optical absorption and transmittance measurements have been employed to observe the effect of doping with different values of Ni molarity. The grown ZnO films exhibit a higher degree of preference along the c-axis perpendicular to the substrate surface. The dominant peak has been observed as the (002) reflection for all samples. AFM and SEM images has been showed that doping had not affected the surface morphologies of the films; and surface roughness values of the films have been observed between 4.0 nm and 4.3 nm. The optical band gap values have been calculated to be 3.282 eV and 3.263 eV for undoped 0.75% Ni doped ZnO thin films from (?hv)2-hv figures, respectively. Transmittance results showed that the optical transmittance values in the visible region were about 75% and decreased slowly with incrasing of doping concentration.
Benzer Tezler
- Lantanit katkılı yarı iletken ince filmlerin optik özelliklerinin incelenmesi
Optical properties of lanthanide doped semiconductor thin films
ÖZLEM GÜLDALI
Doktora
Türkçe
2017
Endüstri Ürünleri TasarımıSakarya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İBRAHİM OKUR
- Boya duyarlı güneş hücreleri için hidrotermal yöntem ile üretilen ZnO ve AZO nanoyapılı filmlerin elektrokimyasal ve korozyon özellikleri
Electrochemical and corrosion properties of ZnO and AZO nanostructured films produced by hydrothermal method for dye-sensitized solar cells
ORKUN GÜLTEPE
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FERHUNDE ATAY
- İletken Zn1-xMg0.05AlxO ince filmlerinin radyasyon karşısında optik davranışlarının incelenmesi
Investigation of optical behaviours of conductive Zn1-xMg0.05AlxO thin films against to radiation
DOĞAN AKCAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NİLGÜN DOĞAN BAYDOĞAN
- Sol-jel yöntemiyle büyütülen ZnO ince filmlerinin optik, yapısal ve morfolojik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optic, structural and morphological properties of ZnO thin films deposited by sol-gel technique
EYÜP FAHRİ KESKENLER
- Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi
Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure
AYŞE EVRİM SAATCİ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU