ZnO bileşik yarıiletkeninin optik parametrelerinin incelenmesi
Investigation of the optical parameters of ZnO compound semiconductor
- Tez No: 291757
- Danışmanlar: DOÇ. DR. EBRU ŞENADIM TÜZEMEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 82
Özet
Bu çalışma kapsamında yüksek geçirgenlikleri ve düşük özdirençleri nedeni ile önemli optoelektronik uygulamaları bulunan ZnO ve Al katkılı ZnO filmlerinin optik özellikleri çalışılmıştır. % 10 Al katkılı ZnO filmi atmalı filtreli katodik vakum ark depolama yöntemi ile yönüne 150 eğimli GaAs (100), p-Si ve cam üzerine 20 kV tetikleyici ve 500 V ark voltajı altında oda sıcaklığında büyütülmüştür. Daha sonra ZnO:Al (% 10) filmler 500 °C' de 1 saat hava atmosferinde tavlanmıştır. Filmin optik özellikleri spektrofotometrik ölçümler ile incelenmiş ve sonuçlar ayrıntılı olarak yorumlanmıştır. Özellikle yansıma ölçümlerinin geliş açısına aşırı bağlı olduğu görülmüştür.Bu çalışma sırasında Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Nanoteknoloji laboratuarında bulunan Cary 5000 UV-VIS-NIR Spektrofotometre sistemi kullanılmıştır ve bu tez kapsamında ilk kez kullanılan bu sistemin detaylı bir tanıtımı verilerek, bu alanda çalışacak olan öğrenciler için çok önemli bir kaynak olması planlanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, optical properties of ZnO and Al doped ZnO films have been investigated. They have high transmission and low resistivity properties which leads to important optoelectronic applications. 10% Al doped ZnO films have been grown on GaAs (100) which is 150 inclined toward direction, p-Si and glass substrates at room temperature under 20 kV trigger and 500 V arc voltage by using pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition system. Later, ZnO:Al (10 %) films were annealed at 500 °C and under aerial atmosphere conditions during one hour. Optical properties of the films have been analyzed by using spectrophotometric measurements and the results were interpreted in detail. Particularly, it is seen that reflection measurements are strongly depend on incidence angle.During this work, Cary 5000 UV-VIS-NIR spectrophotometer system at Cumhuriyet University Nanotechnology Laboratory in Sivas have been used. This is the first usage of the system therefore a detailed description of the system and its usage is explained in the thesis so that this thesis could be an important source for the future students which will study in this field.
Benzer Tezler
- Gözenekli silikon taşıyıcılar üzerinde ZnO nanoyapıların büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of ZnO nanostructures on porous si̇li̇con substrate
GÜLŞAH AYDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiEge ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ GÖKHAN UTLU
- Çinko oksit yarı iletkeninin yapısal, optik ve elektriksel karakterizasyon teknikleriyle incelenmesi
An investigation of semiconductor zinc oxide via structural, optical and electrical characterization techniques
EMRE GÜR
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
- ZnO/TiO2 kompozit yapısının şerit döküm yöntemiyle üretilmesi ve fotokatalitik verimlerinin incelenmesi
Photocatalytic properties of ZnO/TiO2 composite structure produced by tape casting method
MEHMET KONYAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Mühendislik BilimleriGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. H. CENGİZ YATMAZ
YRD. DOÇ. DR. KORAY ÖZTÜRK
- Termiyonik vakum ark yöntemi ile katkılı çinko oksit ince film üretimi
Production of doped ZnO thin films using thermionic vacuum arc method
SERCAN SADIK ERDEM
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiAfyon Kocatepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MEHMET ÖZKAN
- II-VI bileşik yarı iletken çinko oksit'te nokta kusurların elektriksel iletkenliğe etkileri
Effects of point defects on electrical properties of II-VI compound semiconductor zinc oxide
EMRE GÜR
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN