Thermoelectric properties of silicon doped germanium
Silikon katkılı germanyumun termooelektrik özellikleri
- Tez No: 301687
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ERCAN BALIKÇI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Makine Mühendisliği, Metalurji Mühendisliği, Mechanical Engineering, Metallurgical Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 70
Özet
Seebeck katsayısı, sıcaklık farkından kaynaklı elektrik potansiyeli oluşumunu gösteren malzeme özelliğidir. Bu elektrik potansiyeli termokupl ve termal elektrik üretimi uygulamalarında kullanışlıdır. Silikon katkılı germanyum termal elektrik üretimi uygulamaları için verimli bir malzemedir. Bunun ötesinde, Ge-Si kütle büyütme arayüz sıcaklık ölçümünde hassasiyet sağlamaktadır. Seebeck katsayısı ölçümü, küçük ?Ttekniği ile yapıldı. Bu teknikte, iki sonda arasındaki potansiyel farkın, bir sondanın sıcaklığının değiştirilmesi sonucu, nasıl değiştiğinin ölçülmesiyle hesaplanır. Saf germanyum, 5 ve 50 atm% silikon katkılı germanyum için Seebeck katsayısı ölçümü yapıldı. Bundan başka, 5-25 atm% aralığı için oda sıcaklığında elektrik direnci ölçümü yapıldı. Aynızamanda, 5 ve 50 atm% için yüksek sıcaklık direnci ölçümü denemesinde bulunuldu.
Özet (Çeviri)
Seebeck coeffcient is a property of material which shows the electrical potential difference created by the temperature difference. This electrical potential is useful in thermocouples and thermopower generation applications. Silicon doped germanium is a good material for thermopower generation applications. Moreover, in interface temperature measurement of bulk growth is possible with the thermoelectric property of Ge-Si alloy. Seebeck coeffcient measurements are made by the small ?T technique. In this technique, potential difference between two probes are measured and with changing the temperature of one probe potential difference change with respect to temperature can be calculated. Seebeck coeffcients of evaporation grade germanium, 5 atm% and 50 atm% silicon doped germanium has been measured. Moreover, electrical resistivity of 5-25 atm% silicon doped germanium at room temperature has been measured. Also, high temperature electrical resistivity measurements for 5 atm% and 50 atm% has been attempted.
Benzer Tezler
- Nanokristal katkılanmış yüksek termoelektrik verimli bixsbytez malzemelerinin SPS ile üretim süreçlerinin tasarlanması ve optimizasyonu
Design and optimization of manufacturing processes of nanocrystal doped high thermoelectric efficient bixsbytez materials with SPS
REYHAN BAŞAR BOZ
Doktora
Türkçe
2024
Mühendislik BilimleriEskişehir Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERVET TURAN
PROF. DR. CEM SEVİK
- Improving the thermoelectric properties of silicon carbide and boron carbide based ceramics with segregated network structures
Silisyum karbür ve bor karbür esaslı seramiklerin segrege ağ yapıları ile termoelektrik özelliklerinin geliştirilmesi
SALİH ÇAĞRI ÖZER
Doktora
İngilizce
2023
EnerjiEskişehir Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERVET TURAN
- Silisyum karbürün termoelektrik özellikleri üzerine farklı segrege ağ yapılarının etkisi
The effect of different segragated network materials on the thermoelectric properties of silicon carbide
KARTAL ARSLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
EnerjiEskişehir Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERVET TURAN
- Katodik ark plazma işlemi ile CrSi2 yarıiletken filmlerin üretimi
CrSi2 semiconductor film production via cathodic arc plasma deposition
BERİL KOZÇAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN
- Investigation of thermoelectric properties of 2d β-silicon monotelluride (site)
2 boyutlu β-silion monotellürlerin termoelektrik özelliklerinin incelenmesi
MUHAMMAD HILAL
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OĞUZ GÜLSEREN