D.C. magnetron sputtering yöntemiyle bakir oksit filmlerin büyütülmesi
The growth of copper oxide films by D.C. magnetron sputtering method
- Tez No: 312034
- Danışmanlar: PROF. DR. NECMİ SERİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 47
Özet
Bu çalışmada cam alttabakalar üzerinde, ev yapımı (home-made) D.C. magnetron saçtırma tekniği kullanılarak, CuO filmleri büyütülmüş ve bu filmlerin elektriksel iletkenlikleri ve optiksel özellikleri incelenmiştir. CuO filmlerin büyütülme işlemi 75, 100, 125, 150 ve 200 ? alt tabaka sıcaklıklarında gerçekleştirilmiştir. Bunların elektriksel özellikleri düşük sıcaklık bölgesinde (120K-300K) ve yüksek sıcaklık bölgesinde (300K-400K) olmak üzere iki ayrı bölgede, optiksel özellikleri ise oda sıcaklığında ölçülmüştür.CuO filmlerin optiksel enerji bant aralığı, optik soğurum ölçümlerinden, indirek ve direk geçişler için sırasıyla 1,85 eV ve 2,5 eV olarak bulunmuştur. Elektriksel iletkenliğin sıcaklığa bağlı olarak ölçülmesinden CuO filmlerin aktivasyon enerjileri tayin edilmiş ve 0,06-0,27 eV mertebesinde bulunmuştur. CuO filmlerdeki elektriksel iletkenlik mekanizması Mott'un değişken bölge hoplaması (VRH) ve termiyonik emisyon modeliyle açıklanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, it was aimed to investigate the electrical conductivity and optical properties of CuO films, grown on the glass substrates, by means of a home-made D.C. magnetron sputtering technique. The film deposition processes were performed at 75, 100, 125, 150 ve 200 ? substrate temperatures. The electrical conductivity of the CuO films versus temperature and the optical properties of the CuO films were measured in the low temperature range (120K-300K), high temperature range (300K-400K) and at the room temperature, respectively.The optical indirect and direct energy band gap of CuO films were determined from optical absorption measurements as 1,85 and 2,5 eV, respectively. The activation energy of the CuO films were found from the electrical conductivity-temperature measurements as in the range of 0,06-0,27 eV. The electrical conductivity mechanism of CuO films was explained by means of Mott?s variable range hopping (VRH) and termionic emission model.
Benzer Tezler
- Synthesis of ZnO and Si nanowires for the fabrication of 3rd generation solar cells
Üçüncü nesil güneş pillerinin üretimi için ZnO ve Si nanotellerin sentezlenmesi
ELİF PEKSU
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAKAN KARAAĞAÇ
- Bakır oksit / titanyum oksit eklem özelliklerinin incelenmesi
The investigation of copper oxide / titanium oxide junction properties
HAKAN OT
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SALİHA TÜLAY SERİN
- Mo-N kaplamaların ark fiziksel buhar biriktirme yöntemiyle üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterisation of Mo-N coatings by arc physical vapour deposition technique
M. KÜRŞAT KAZMANLI
- İyon bombardımanının reaktif DC magnetron kopartma tekniğiyle büyütülen metalik ince filmlerin yapısal ve elektriksel özellikleri üzerindeki etkileri
Effects of ion bombardment on the structural and electrical properties of metallic thin films prepared by reactive DC magnetron sputtering
ÖZLEM DUYAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ZAFER DURUSOY
- Püskürtüm sistemi yapılması ve yüksek sıcaklık üstüniletken ince filmlerin hazırlanması
Construction of sputtering system and preparation of high temperature superconducting thin films
ERDAL KAYNAK
Doktora
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FIRAT TEZER