Saçtırma yöntemiyle hazırlanan Ni/n-GaAs schottky diyotların sıcaklığa bağlı akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi
Analyzes of temperature dependent I-V and C-V properties of Ni/n-GaAs schottky diode prepared via sputtering
- Tez No: 322549
- Danışmanlar: PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 59
Özet
Serbest taşıyıcı yoğunluğu yaklaşık olarak 7,3x1015 cm-3 olan n-tipi GaAs kristali taban malzeme olarak kullanılıp, Ni/n-GaAs/In Schottky diyotları sputter (saçtırma) tekniği ile üretilmiştir. Üretilen bu diyotların geniş bir sıcaklık aralığında (100-320 K) 20 K'lik adımlarla akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri sıcaklığa bağlı olarak incelenmiştir. Diyot parametreleri olan Schottky engel yüksekliği ve idealite faktörü değerleri numune sıcaklığına bağlı olarak doğru belsem I-V karakteristiklerinden hesaplanmıştır ve sonra engel yüksekliği ve idealite faktörünün sıcaklığa bağlı grafikleri çizilmiştir. Akım-gerilim ölçümlerinden elde edilen engel yüksekliğinin numune sıcaklığı ile azalmasına karşın idealite faktörünün artması engelin yanal inhomojenliğine atfedilmiştir. (C-V) ölçümlerinden C-2-V grafiği kullanılarak; difüzyon potansiyeli, serbest taşıyıcı donor konsantrasyonu, Fermi enerji seviyesi, engel yükseklikleri ve a=-0.88 meV/K'lik bir engel yüksekliği sıcaklık katsayısı hesaplanmıştır. Ayrıca, düşük sıcaklıklarda, termiyonik emisyon akımının, az da olsa, etkin olduğu gözlenmiş ve 10.1 meV'lik bir karakteristik enerji değeri elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
We have reported a study of the I-V characteristics and C-V of Ni/n-GaAs Schottky barrier diodes in a wide temperature range of 100-320 K by a step of 20 K, which are prepared by magnetron DC sputtering. The GaAs semiconductor substrate has a free carrier concentration of 7,3x1015 cm-3. The ideality factor and barrier height values have changed by change of the sample temperature, the case has been attributed to the presence of the lateral inhomogeneities of the barrier height. The ideality factor and barrier height values have changed by change of the sample temperature. The ideality factor decreases and barrier height increases with increase in the temperature. The temperature dependence change has been attributed to the presence of the lateral inhomogeneities of the barrier height. The carrier concentration, diffusion potential, barrier height (BH), Fermi energy level and a BH temperature coefficient of a = -0.88 meV/K. have calculated from temperature dependent C-V-T characteristics. At low temperatures, it has been seen that the junction current is dominated by the TFE. The variation of the BH temperature coefficient from metal to have been correlated to the chemical nature of the contact metal or metal electronegativity
Benzer Tezler
- Saçtırma yöntemiyle hazırlanan Ni/n-GaAs Schottky engel diyotların karakteristik parametrelerinin tavlama ve numune sıcaklığına bağlı değişimleri
Effects of sample temperature and thermal annealing on characteristic parameters of sputtered Ni/n-GaAs Schottky barrier diodes
NEZİR YILDIRIM
Doktora
Türkçe
2009
Bilim ve TeknolojiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Magnetron saçtırma yöntemiyle hazırlanan metal/P-InP Schottky diyotların karakteristik parametrelerinin tavlama ve numune sıcaklığına bağlı değişimlerinin incelenmesi
Investigation of changes in caharacteristic parameters of metal/P-InP Schottky diodes prepared by magnetron sputter method depend on annealing and sample temperature
KADİR EJDERHA
Doktora
Türkçe
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT
PROF. DR. BAHATTİN ABAY
- Nano gözenekli Pt ve Pt alaşımlarının üretimi, elektronik ve gaz algılama özelliklerinin incelenmesi
Production of nanoporous Pt and Pt alloys and investigation of their electronic and gas sensing properties
MELİKE ŞENER
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİnönü ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NECMETTİN KILINÇ
- Soğuran malzeme katkılı ince filmlerin optik özelliklerini belirlemede spektroskopik elipsometre yönteminin uygulanması
Application of spectroscopic ellipsometry method on determining the optical properties of absorbing material doped thin films
MEHMET ALİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET ERDİNÇ
YRD. DOÇ. DR. GÖKHAN ÖZGÜR
- Investigation of sulfurization temperature effects on Cu2ZnSnS4 thin films prepared by magnetron sputtering method on flexible titanium foil substrates for thin film solar cells
Sülfürleme sıcaklığının ince film güneş hücreleri için esnek Titanyum folyo alttaşları üzerine mıknatıssal saçtırma yöntemiyle hazırlanan Cu2ZnSnS4 ince filmlere etkisinin incelenmesi
DİLARA GÖKÇEN BULDU
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜLNUR AYGÜN ÖZYÜZER
PROF. DR. MUSTAFA MUAMMER DEMİR