Elektronik transport mekanizmalarının pulslu ölçüm teknikleri ile incelenmesi
Investigation of the electronic transport mechanisms by using pulsed measurement techniques
- Tez No: 334860
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ENGİN TIRAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Heteroeklem, kuantum kuyu, yüksek elektrik alan iletim mekanizmaları, sıcak elektronlar, güç kaybı, Heterojunction, quantum well, high electric field transport mechanism, hot electrons, power loss
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 94
Özet
AlGaN/AlN/GaN ve AlInN/AlN/GaN heteroeklem örnekler Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) tekniğiyle, GaInNAs/GaAs, GaN/AlN/InN ve InGaN/GaN örnekler Molecular Beam Epitaxy (MBE) tekniğiyle büyütülen örneklerde pulslu akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı.Pulslu akım-gerilim ölçümleri 1,7-300 K aralığında 50 K adımlarla yapıldı. Bu ölçümlerde 200 ns puls genişliğinde 0-200 V aralığında pulslu voltajlar uygulandı. Elektronların elektrik alan altındaki sürüklenme hızı, mobilitesi ve elektron başına güç kayıpları elde edildi. AlGaN/AlN/GaN ve AlInN/AlN/GaN heteroeklem örneklerde güç kaybı mekanizmaları mobilitenin karşılaştırılması yöntemi kullanılarak elde edildi. Elektron başına güç kaybının sıcaklıkla değişimi kuramsal modeller ile karşılaştırıldı. Yüksek elektron sıcaklıklarında enerji durulmasının optik fonon emisyonu ile gerçekleştiği sonucuna varıldı.
Özet (Çeviri)
The pulsed current-voltage (I-V) measurements were performed in AlGaN/AlN/GaN, AlInN/AlN/GaN, GaInNAs/GaAs, GaN/AlN/InN, and InGaN/GaN samples. The AlGaN/AlN/GaN and AlInN/AlN/GaN heterostructure samples were grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) technique, GaInNAs/GaAs, GaN/AlN/InN, and InGaN/GaN samples were grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) technique.The pulsed current-voltage measurements were carried out in the temperature range between 1.7 and 300 K, in steps of 50 K. The pulsed voltages up to 200 V with pulse width up to 200 ns were applied to samples in the measurements. The drift velocity, electron mobility and electric field dependent power loss per electron were determined from the analysis of the results. The temperature dependent power loss per electron were also determined using the mobility comparison method. The results of the temperature dependent power loss per electron were compared with current theoretical models in the literature. It was indicated that, the electron energy relaxation time were limited by optical phonons at high temperatures.
Benzer Tezler
- Bizmut içeren III-V grubu yarıiletkenlerde elektronik transport mekanizmalarının incelenmesi
Investigation of electronic transport mechanisms in bismuth-containing III-V group semiconductors
MUSTAFA AYDIN
Doktora
Türkçe
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER DÖNMEZ
- In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heteroeklemlerin elektronik transport özellikleri ve iki-boyutlu elektronların güç kaybı mekanizmalarının Shubnikov -de Haas osilasyonları yöntemiyle araştırılması
Investigation of the electronic transport properties and power loss mechanisms of the two-dimensional electrons in In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heterojunctions by Shubnikov -de Haas oscillations technique
ENGİN TIRAŞ
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET CANKURTARAN
- Saf ve grafen katkılı pva arayüzey tabakalı metal-yarıiletken diyotların akım-iletim mekanizmalarının sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigations of temperature dependent current-transport mechanisms with pure and graphene doped pva interface layer metal-semiconducture diode
ESRA EVCİN BAYDİLLİ
Doktora
Türkçe
2020
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HABİBE TECİMER
- Akıllı kontrol yöntemleri ile trafik sinyalizasyon kontrolü
Traffic signaling control with intelligent control methods
ANAS A. M. HARB
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKonya Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ HAKAN TERZİOĞLU
- Al katkılı GaN malzemesinin taşınım özellikleri
Transport characteristics of Al doped GaN
DENİZ CESUR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiMersin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ZEKİ YARAR