Geri Dön

Al katkılı GaN malzemesinin taşınım özellikleri

Transport characteristics of Al doped GaN

  1. Tez No: 573954
  2. Yazar: DENİZ CESUR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ZEKİ YARAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Mersin Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 76

Özet

Yarı iletken malzemelerin sınırlandırılmış ve düşük boyutlardaki elektronik özellikleri uzun bir süredir yaygın olarak çalışılmaktadır. Tekli bir heteroeklemden oluşan bir iletim kanalında elektron durumları kuantize olup elektron hareketi iki boyutludur. Serbest taşıyıcılar ve yapılan katkılamalar ara yüzey potansiyelini belirler. Potansiyelin biçimi elektron yoğunluğu tarafından belirlenir. Enerji seviyeleri ise her seviyede tutulabilecek elektron sayısını belirler. Enerji seviyeleri ve her seviyedeki elektron yoğunluğu değerleri kendi içinde uyumlu hesaplanmalıdır. Schrödinger-Poisson denklemleri kendi içinde uyumlu olarak çözülmüştür. Tüm hesaplamalarda kendi içinde uyumlu olan çözümden elde edilen dalga fonksiyonları kullanılmıştır. Bu çalışmada, kendi içinde uyumlu olarak, ara yüzey potansiyeli içinde oluşan enerji seviyeleri, her seviyedeki elektron yoğunluğu ve dalga fonksiyonlarının malzeme parametrelerine bağlılığı incelenmiştir. Bu iki boyutlu elektron gazı (2BEG) oldukça yüksek bir elektron hızına ve iyi iletkenlik özelliklerine sahiptir. Bu çalışmada göz önüne alınmış saçılma mekanizmaları; akustik ve optik fonon saçılması, dislokasyon saçılması, alaşım düzensizliği saçılması ve ara yüzey saçılmasıdır. İki boyutlu elektron gazının iletkenlik özelliklerini elde edebilmek için Ensemble Monte Carlo metodu kullanılmıştır. Farklı elektrik alanlar için hız-zaman grafikleri incelenmiştir. Çalışılan saçılma mekanizmalarının mobilite üzerine etkileri ayrıntılı olarak hesaplanmıştır. Monte Carlo simülasyon hesabı ile elde edilen mobilite sonuçlarının var olan deneysel sonuçlarla uyum içinde olduğu görülmüştür.

Özet (Çeviri)

The electronic properties of semiconductor materials with confined and low dimensions have been widely studied. The electron states in a single hetero junction are quantized and have two dimensional electron motion. The free carriers and the doping level of the system can identify the shape of the potential profile. The number of occupied electrons for each level can be maintained by the energy levels. A self consistent method should be used to obtain the energy levels and the electron (carrier) concentration in each energy level. Self consistently solved Poisson-Schrödinger equations are used to find wave functions in all calculations of this study. In this thesis, the energy levels that occur in interface potential, the electron concentration at each level and dependence of the wave functions on the material parameters have been examined. This two dimensional electron gas (2DEG) has good electron velocity and transmission characteristics. The scattering mechanisms considered in this study are; acoustic and optical phonon scattering, dislocation scattering, alloy disorder scattering and interface scattering. Ensemble Monte Carlo calculation was used to obtain the transmission properties of two dimensional electron gas. Velocity-time graphics for different electric fields were examined. The effects of the scattering mechanisms studied on mobility were calculated in detail. The mobility results obtained by Monte Carlo simulation calculation are in agreement with the existing experimental results.

Benzer Tezler

  1. Comparison of alloyed and non-alloyed ohmic contacts in GaN/algan HEMT for Ka band radar applications

    Ka bant radar uygulamaları için GaN / algan HEMT yapılarında alaşımlı ve alaşımsız ohmik kontakların karşılaştırılması

    HÜSEYİN ÇAKMAK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MUHSİNE BİLGE İMER

    DOÇ. DR. ALPAN BEK

  2. Silikon ve safir alttaşlar üzerine epitaksiyel büyütülmüş aln ince filmlerin elektriksel karakterizasyonu

    Electrical characterization of epitaxially grown ain thin films on silicon and sapphire substrates

    KAĞAN MURAT PÜRLÜ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İLKAY DEMİR

  3. High field transport phenomena in wide bandgap semiconductors

    Geniş bant aralıklı yarı iletkenlerde yüksek elektrik alanı altında iletim olayları

    CEM SEVİK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. CEYHUN BULUTAY

  4. A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission

    GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi

    MURAT ODUNCUOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL

  5. Al-katkılı Bi-2223 süperiletken seramiklere ait olan yapısal, süperiletkenlik ve mekanik performansının incelenmesi

    The investigation of structural, superconductivity and mechanical performances belonging to Al-added Bi-2223 superconductor ceramics

    ANIL KÖRPE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Makine MühendisliğiBolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜRCAN YILDIRIM