III-V grubu bileşiklerin elektrik / elektronik özelliklerine dislokasyonların elastik zorlanma enerjisinin etkisinin incelenmesi
The examination of effects of the elastic strain energy of dislocations on electri-city / electronic properties of III-V group compounds
- Tez No: 33517
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET CEYLAN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1994
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Fırat Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 127
Özet
Bu çalışmada. n-GaAs(l 00) düzlemine salıip yarı iletken taban kullanıldı ve 300 K de yüzey üzerine farklı indentasyonlar uygulanarak 60° dislokasyonlar oluşturuldu. İlk olarak, n-GaAs(100) yan iletken taban 1 ; HN03. 2 ; H20 çözeltisinde 20 °C de 15 dakika kimyasal olarak dağlandı. Optik ve elektron mikroskopik incelemeden dislokasyon yoğunluğu 5xl09 nr2 olarak bulundu. 100 gr, 200 gr ve 300 gr indentasyon uygulandıktan sonra dislokasyon yoğunlukları sırasıyla 8.15xl014 m-2, 32.89xl014 m-2, 74.21xl014 m“2 bulundu. İndentasyon ile oluşturulan 60° dislokasyonun birim uzunluğu başına enerjisi bilgisayar programı kullanılarak 84 mJ/m2 olarak hesaplandı. Indentasyonlu ve indentasyonsuz n-GaAs(100) yüzeyleri üzerine metal yan iletken kontaklar yapıldı, indentasyon ve 60° dislokasyonların etkisini belirlemek için 300 K ve 77 K sıcaklıklarında I-V ve C-V karakteristikleri incelendi İndentasyonsuz numunede engel yüksekliği, tyBa ; difözyon potansiyeli }Vd ; taşıyıcı yoğunluğu, Nd ; fazlalık kapasitesi ”C0 ; Schottky diyod seri direnci " R ; idealite faktörü n sırasıyla0.68eV, 0.8 eV, 2.25x1ü23 nr3, llOpF, 22.3 ohm, 1.119 olarak bulundu. Indentasyonlu metal-yarı iletken kontaklar için I-V ve C-V karakteristiklerinden 300 K de ({^, Vd, Nd. C0. R, n değerleri sırasıyla 0.70-0.95 eV. 0.92-1.25 eV » 2.19x1023 -1.92xl023 m'3, 230-295 pF, 47-101 ohm, 1.3-2.38 olarak ve 77 K de ise «^, Vd. Nd. C0 değerleri sırasıyla 0.90-1. 15 eV, 1.05-1.32 eV, 1.86xl022 -1.39X1022 m'3, 240-340 pF olarak bulundu. Bu sonuçlardan, indentasyon oranı arttıkça
Özet (Çeviri)
m SUMMARY PhD Thesis THE EX4MINA TION OF EFFECTS OF THE ELASTIC STRAIN ENERGY OF DISLOCA TIONS ON ELECTRICITY / ELECTRONIC PROPERTIES OF III-V GROUP COMPOUNDS. YüdmmAYDO?DU Fırat University Graduate School of Science and Technology Department of Physics 1994, page: 127 In this study, n-GaAs (100) plane has been used as substrate and some dislocations of 60° have been produced supplying different indentations on surface at 300 K. Firstly, n-GaAs (100) substrates were echled chemically in the solution 1; HNC^, 2 ; H20 for 15 minutes at 20 °C. From optical and electron microscopic observation the dislocation density were found as 5xl09 m“2. Afta the indentations have been applied the dislocations densities were found as 8.15xl014 nr2, 32.89xl014 nr2, 74.21xl014 nr2 for 100 gr, 200 gr and 300 gr indentations, respectivery. The elastic strain energy of 60° dislocation produced by indentations have been calculated by means of computer program and it was found to be 84 mJ/m2 for per unit dislocation. Then, the metal-semiconductor contacts were made from non-indented and indented n-Ga4s (100) surfaces. In order to determine the effects of indentations and 60° dislocations, I-V and C-V characteristics have been investigated at the temperatures 300 K and 77 K. The barrier height, q^ ; diffusion potential, Vd ; carrier density, Nd ; excess capacitance, C0 ; the series resistance of Schottky diode, R ; ideality factor, n were found as 0,68 eV, 0?8 eV, 2.25x1023 m”3. 1 10 pF,22.3 ohm,1.1 19 respectively at the sample without indentation For the metal-semiconductor contacts with the indentation, from the characteristics of I-V, C-V at 300 K, the qtyBa,Vd, Nd, C
Benzer Tezler
- Green extraction and encapsulation of black rosehip polyphenols: İn vitro bioaccessibility, bioavailability, and biological activities
Siyah kuşburnu polifenollerinin yeşil ekstraksiyonu ve enkapsülasyonu: İn vitro biyoerişilebilirlik, biyoyararlılık, ve biyolojik aktiviteleri
KADRİYE NUR KASAPOĞLU
Doktora
İngilizce
2022
Gıda Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiGıda Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BERAAT ÖZÇELİK
- Plasmonically enhanced silicon infrared schottky detector
Plazmonik yapılarla geliştirilmiş silikon kızılötesi schottky algılayıcı
KAZIM GÜRKAN POLAT
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- İndolin ve benzotiyadiazol esaslı boyaların güneş hücrelerinde kullanımlarının incelenmesi
Investigation of the uses of indoline andbenzothiadiazole based dyes in sun cells
DİLZAR YILAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
EnerjiSakarya ÜniversitesiFizikokimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RECEP ALİ KUMBASAR
- Investigation of mechanoregulatory role of desmin protein
Investigation of mechanoregulatory role of desmin protein
NİLÜFER DÜZ
Doktora
Türkçe
2024
Tıbbi BiyolojiHacettepe ÜniversitesiTıbbi Biyoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. PERVİN RUKİYE DİNÇER
- Silicon germanium multi quantum wells for high efficiency optoelectronic devices
Silisyum germanyum çoklu kuantum kuyuları içeren yüksek verimli optoelektronik aygıtlar
ALPER YEŞİLYURT
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY