Geri Dön

A band selecting UHF class-AB GaN power amplifier with 40 dBm output power

Bant seçebilen UHF AB-sınıfı GaN 40dBm çıkış güçlü güç yükselteci

  1. Tez No: 335612
  2. Yazar: SİNAN ALEMDAR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ABDULLAH ATALAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 79

Özet

UHF bandı, GSM haberleşme, uydu haberleşme, televizyon yayını, frekans atlayan radyolar, ileri modulasyon teknikleri kullanan radyolar tarafndan kullanılan bir banttır. Heruygulamanın kendine has ozellikleri, bununla beraber gerekleri vardır ve günümüzdeki modern uygulamalar, çeşitli frekans bantlarının birarada kullanılmasıyla hayata geçmektedir. Bu calışmada bant seçebilen uhf ab sınıf GaN 40dBm çıkış güçlü güç yükselteci tasarlanmış ve uretilmiştir. Bu süreçte Galyum Nitrat transistörler ve PIN diyotlar kullanılmıştır. Güc yükselteci, 1350MHz-2700MHz bir-oktav frekans bandnında ayarlanabilmekte, 17dB maksimum kazanca sahip olmakta ve satüre güç çıkışı olarak 41dBm verebilmektedir.

Özet (Çeviri)

Ultra High Frequency (UHF) band is used for GSM communication, satellite systems, television broadcast, frequency hopping radios, software de ned radios using advanced digital modulations. Each and every application would require various speci cations and these modern applications require various frequency bands. In this work, a band selecting uhf class-ab GaN power ampli er with 40 dBm output power is built using a GaN-HEMT transistors and PIN diodes. The power ampli er can be tuned in 1350MHz{2700MHz one-octave frqeuency band, has a maximum gain of 17dB, and a maximum saturated output power of 41 dBm.

Benzer Tezler

  1. GaAs pHEMT class-E power amplifier design

    GaAs pHEMT E-sınıfı güç küvvetlendirici tasarımı

    BEHNOOSH MESKOOB

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    ÖĞR. GÖR. HASAN BÜLENT YAĞCI

  2. Yüksek dinamik aralıklı, Si-Ge tranzistorlu, 8-11GHz simetrik sürümlü B sınıfı kuvvetlendirici tasarımı

    High dynamic range 8-11GHz push-pull class B amplifier with SiGe transistor technology

    HİLAL HİLYE CANBEY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MÜRVET KIRCI

  3. Integration and testing of the RFID-enabled smart factory

    RFID-etkin akıllı fabrikanın entegrasyonu ve test edilmesi

    İSMAİL AKDAĞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİzmir Katip Çelebi Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ADNAN KAYA

  4. Design and implementation of a VHF/UHF front-end using tunable dual band filters

    Ayarlanabilir çift bantlı süzgeçler kullanılarak VHF/UHF ön-uç tasarımı ve uygulaması

    FATİH ALACA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NEVZAT YILDIRIM

  5. Wide tunable bandpass filter design based on CMOS active inductor

    CMOS aktif endüktans tabanlı geniş aralıkta ayarlanabilir band geçiren filtre tasarımı

    ABDULLAH SUNÇA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. OĞUZHAN ÇİÇEKOĞLU