Farklı katkılanmış yarı iletken malzemelerin arayüzey potansiyel profillerinin belirlenmesi
The determination of interface potential profiles of differently doped semiconductor materials
- Tez No: 34308
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. YÜKSEL ERGÜN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1994
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 56
Özet
ÖZET Yüksek Lisans Tezi FARKLI «ATKILANMIŞ YARIİLETKEN MALZEMELERİN ARAYÜZEY POTANSİYEL PROFİLLERİNİN BELİRLENMESİ Emine OZTURK Cumhuriyet Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Deli Danışman: Yrd.. Doç. Dr. Yüksel Ergün Bu çalışmada ilk olarak düşük boyutlu sistemlerin temel özellikleri belirtildikten sonra, bulk Si ve GaAs yarıiletkenlerin özellikleri ve bu konuda yapılan çatışmalar özetlenmiştir. Son olarak, self-consistent (kendi-içinde tutarlı) hesap kuralları verilmiş ve iki GaAs tabakası arasında Si tabakası oluşturularak büyütülen £-katkılanmış GaAs yapısında arayüzey potansiyel profili, self-consistent' olarak hesaplanmıştır. ANAHTAR KELİMELER İki-boyutlu elektron gazı, S\-S katkılama GaAs katmanı, arayüzey potansiyel profili, kuantum kuyusu, altband, band eğilmesi, band enerjisi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT M. Sc. Thesis THE DETERMINATION OF INTERFACE POTENTIAL PROFILES OF DIFFERENTLY DOPED SEMICONDUCTOR MATERIALS Emine ÖZTÜRK Cumhuriyet. University Graduate School of Natural and Applied Science; Department of Physics Supervisor : Dr. Yüksel ERGUN In this study, firstly, the main features of low dimensional systems were reported. Then, general informations about the modulation-doped and £-doped structures were given and the studies about this subject were summarized. Finaffy, seff-consistent calculation rules were expfanied for this aim, interface potential profile in 6-daped GeAs structure grown by forming SHeyer between the two GaAs layers is calculated self-consistently. KEY WORDS : Two-dimensional electron gas (2DEG). Si - S dope, Ga4s layer, interface potential profile, quantum well, subband, band bending, band- energy.
Benzer Tezler
- Elevating the photocatalytic activity of BiVO4 based photoanodes for solar water splitting
Güneş enerjili su ayrımı için BiVO4 bazlı fotoanotların fotokatalitik aktivitesinin arttırılması
MAHSA BARZGARVISHLAGHI
Doktora
İngilizce
2019
EnerjiKoç ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SARP KAYA
- Siyah fosfor temelli yeni nesil nanomalzemelerin yapay fotosentez ve biyomolekül tayinindeki uygulamaları
Applications of artificial photosynthesis andbiomolecule determination of black phosphorus basednew generation nanomaterials
GİZEM YANALAK
Doktora
Türkçe
2022
BiyokimyaSelçuk ÜniversitesiNanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İMREN HATAY PATIR
- Termoelektrik malzemelerin yenilikçi yaklaşımlarla üretilmesi ve geliştirilmesinde yapay sinir ağları ile tahmin modeli kullanımı
Thermoelectric materials production with innovation and improvement in the use of artificial neural networks forecast model
ŞEYMA KÖKYAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Endüstri ve Endüstri MühendisliğiKarabük ÜniversitesiEndüstri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUHARREM DÜĞENCİ
DR. ÖĞR. ÜYESİ MÜMTAZ İPEK
- The use of doped ZnO nanomaterials with enhanced optoelectronic properties as an electrode
Optoelektronik özellikleri geliştirilen katkılı ZnO nanomalzemelerin elektrot malzemesi olarak kullanılması
OSMAN ÜRPER
Doktora
İngilizce
2021
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Preparation of multifunctional materials for photocatalytic applications
Fotokatalitik uygulamalar için çok fonksiyonlu malzemelerin hazırlanması
CEREN UZUN
Doktora
İngilizce
2019
KimyaOrta Doğu Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MÜRVET VOLKAN
DOÇ. DR. MURAT KAYA