Geri Dön

Farklı katkılanmış yarı iletken malzemelerin arayüzey potansiyel profillerinin belirlenmesi

The determination of interface potential profiles of differently doped semiconductor materials

  1. Tez No: 34308
  2. Yazar: EMİNE ÖZTÜRK
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. YÜKSEL ERGÜN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Arayüz özellikleri, Kuantum kuyusu, Yarı iletkenler, Two-dimensional electron gas (2DEG). Si - S dope, Ga4s layer, interface potential profile, quantum well, subband, band bending, band- energy, Interface properties, Semiconductors
  7. Yıl: 1994
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET Yüksek Lisans Tezi FARKLI «ATKILANMIŞ YARIİLETKEN MALZEMELERİN ARAYÜZEY POTANSİYEL PROFİLLERİNİN BELİRLENMESİ Emine OZTURK Cumhuriyet Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Deli Danışman: Yrd.. Doç. Dr. Yüksel Ergün Bu çalışmada ilk olarak düşük boyutlu sistemlerin temel özellikleri belirtildikten sonra, bulk Si ve GaAs yarıiletkenlerin özellikleri ve bu konuda yapılan çatışmalar özetlenmiştir. Son olarak, self-consistent (kendi-içinde tutarlı) hesap kuralları verilmiş ve iki GaAs tabakası arasında Si tabakası oluşturularak büyütülen £-katkılanmış GaAs yapısında arayüzey potansiyel profili, self-consistent' olarak hesaplanmıştır. ANAHTAR KELİMELER İki-boyutlu elektron gazı, S\-S katkılama GaAs katmanı, arayüzey potansiyel profili, kuantum kuyusu, altband, band eğilmesi, band enerjisi.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT M. Sc. Thesis THE DETERMINATION OF INTERFACE POTENTIAL PROFILES OF DIFFERENTLY DOPED SEMICONDUCTOR MATERIALS Emine ÖZTÜRK Cumhuriyet. University Graduate School of Natural and Applied Science; Department of Physics Supervisor : Dr. Yüksel ERGUN In this study, firstly, the main features of low dimensional systems were reported. Then, general informations about the modulation-doped and £-doped structures were given and the studies about this subject were summarized. Finaffy, seff-consistent calculation rules were expfanied for this aim, interface potential profile in 6-daped GeAs structure grown by forming SHeyer between the two GaAs layers is calculated self-consistently.

Benzer Tezler

  1. Elevating the photocatalytic activity of BiVO4 based photoanodes for solar water splitting

    Güneş enerjili su ayrımı için BiVO4 bazlı fotoanotların fotokatalitik aktivitesinin arttırılması

    MAHSA BARZGARVISHLAGHI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    KimyaKoç Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ SARP KAYA

  2. An experimental investigation of high purity single walled carbon nanotubes as transparent electrode materials

    Tek duvarlı karbon nanotüp saflaştırması ve geçirgen elektrot oluşturulması konusunda deneysel çalışmalar

    MOZHGAN LAKI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ELİF ÜLKÜ ARICI

  3. The use of doped ZnO nanomaterials with enhanced optoelectronic properties as an electrode

    Optoelektronik özellikleri geliştirilen katkılı ZnO nanomalzemelerin elektrot malzemesi olarak kullanılması

    OSMAN ÜRPER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN

  4. Siyah fosfor temelli yeni nesil nanomalzemelerin yapay fotosentez ve biyomolekül tayinindeki uygulamaları

    Applications of artificial photosynthesis andbiomolecule determination of black phosphorus basednew generation nanomaterials

    GİZEM YANALAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    KimyaSelçuk Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İMREN HATAY PATIR

  5. Termoelektrik malzemelerin yenilikçi yaklaşımlarla üretilmesi ve geliştirilmesinde yapay sinir ağları ile tahmin modeli kullanımı

    Thermoelectric materials production with innovation and improvement in the use of artificial neural networks forecast model

    ŞEYMA KÖKYAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Endüstri ve Endüstri MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Endüstri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUHARREM DÜĞENCİ

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MÜMTAZ İPEK