Resistive switching mechanism and device applications of ZnO and aln thin films
ZnO ve aln ince filmlerinde direnç değişim mekanizması ve aygıt uygulamaları
- Tez No: 374347
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. ALİ KEMAL OKYAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Mühendislik Bilimleri, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 46
Özet
Direnç değişimli bellekler; yapısal kolaylığı, hızlı durum değişimi, uzun süreli bilgiyi tutabilmesi, 3 boyutlu entegre edilebilmesi, düşük güç gereksinimi, nanometre boyutlarında üretilebilmesi ve CMOS uyumluluğu özelliklerinden dolayı gelecek nesil kalıcı bellek teknolojisi için potansiyel adaylardır. Performans geliştirme üzerinde çok fazla çalışmalar yapılmasına rağmen, direnç değişimine neden olan atomik boyutlardakı mekanizma hala tartışılmaktadır. Bu çalışmada, ZnO ve AlN ince filmlerinin dirençsel değişim mekanizmasını inceledik. Diremç değişim mekanizması sebebiyle ZnO ince filmi içerisinde meydana gelen değişimleri TEM, EDX, EFTEM karakterizasyon teknikleri ile inceledik. Ayrıca, direnç değişim mekanizmasının optiksel değişimini gözlemledik. Günümüze kadar metal oksit filmelerin direnç değişim mekanizması çokça incelenmiştir. Ancak, AlN gibi nitrat filmlerin direnç değişim mekanızması yeni yeni dikkat çekmeye başlamıştır. Geniş bant aralığı, yüksek elektriksel direnci ve yüksek sıcaklık iletkenliği AlN filmleri direnç değişim bellek uygulamaları için iyi bir malzeme yapar. Bu çalışmada AlN ince filmlerinin kendiliğinden akım limitli dirençsel değişim mekanizması incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
Resistive switching memories are potential candidates for next generation non-volatile memory device applications due to natural simplicity in structure, fast switching speed, long retention time, low power consumption, suitability for 3D integration, excellent scalability and CMOS compatibility. However, the atomic scale mechanisms behind resistive switching are still being debated. In this work we investigate resistive switching mechanisms in ZnO and AlN thin films. The structural and physical changes in ZnO thin films during resistive switching are investigated via TEM, EDX, EFTEM techniques. We also investigate application of resisitive switching to reconfigurable optical surfaces. Recently, resistive switching in nitride films such as AlN is attracting increasing attention. The wide band gap, high electrical resistivity, and high thermal conductivity of AlN make it a good candidate for a resistive switching memory device. We report self-compliant resistive switching behavior in AlN films which is deposited by atomic layer deposition.
Benzer Tezler
- Functional nanoplasmonic devices and novel photonic materials
İşlevsel nanoplazmonik aygıtlar ve yeni fotonik malzemeler
ENES BATTAL
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- Computational design and analysis of nanostructured materials for neuromorphic engineering
Neuromorfik mühendislik için nano yapılı malzemelerin hesaplamalı tasarımı ve analizi
AYKUT TURFANDA
Doktora
İngilizce
2024
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HİLMİ ÜNLÜ
- Resistive random access memory (RRAM) devices
Direnç esaslı rastgele erişim belleği (RRAM) aygıtları
BILAL ARIF
Doktora
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU
- Analysis and evaluation of HFO2 based resistive RAM devices for new generation non-volatile memories
Yeni nesil uçucu olmayan bellekler için HFO2 tabanlı rezistif RAM aygıtlarının analiz ve değerlendirmesi
SERDAR BURHAN TEKİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALPAN BEK
DOÇ. DR. ŞEREF KALEM
- Yüksek gerilim labaratuvarlarının tasarımı ve deney devrelerinin incelenmesi
Design of high voltage laboratories and analysis of test circuits
MEHMET BAYRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiY.DOÇ.DR. ÖZCAN KALENDERLİ