Geri Dön

Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum tabanlı yansıtmaz kaplamaların üretilmesi ve optik özelliklerinin incelenmesi

Production of hydrogenated amorphous silicon based antireflection coatings and investigation of optical properties

PDF İndir

  1. Tez No: 379636
  2. Yazar: OLDOUZ TOFİGH KOUZEHKONANİ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. AKIN BACIOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Energy
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Temiz Tükenmez Enerjiler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 93

Özet

Tek katmanlı a-SiOx:H ve a-SiNx:H ile çift katmanlı a-SiOx:H/a-SiNx:H yapısında yansıtmaz kaplamalar tasarlanmış ve 13,56 MHz RF-plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) yöntemi ile cam ve tek kristal silisyum alttabanlar üzerine büyütülmüştür. a-SiOx:H ince filmler, 8 sccm CO2 ve 2 sccm SiH4 geçirilerek elde edilen gaz karışımının plazması kullanılarak; a-SiNx:H örnekler ise 8 sccm N2 ve 2 sccm SiH4 gaz karışım ile üretilmiştir. Üretilen ince filmlerin 550 nm dalgaboyunda kırma indisleri, a-SiOx:H için, 1,83 ve a-SiNx:H için, 2,33 olarak hesaplanmıştır. Film kalınlıklarının, örnek üretim sürelerine bağlı fonksiyonları türetilmiştir. Bu fonksiyonlar kullanılarak yansıtmaz kaplamaların tasarımında gerekli kalınlıklar için deney süreleri belirlenmiştir. Tek katmanlı a-SiOx:H yansıma önleyicilerin kaplanmasıyla optik yansıma, a-SiOx:H için cam üzerinde 512 nm'de 0,087, silisyum üzerinde 562 nm'de 0,0024 olarak; tek katmanlı a-SiNx:H yansıtmaz kaplama ile cam üzerinde 542 nm'de 0,095 ve tek kristal silisyum üzerinde, 520 nm için 0,085 ölçülmüştür. Çift katmanlı a-SiOx:H/a-SiNx:H yansıma önleyici kaplamanın yansıma miktarı, cam üzerinde 528 nm'de 0,036 ve silisyum üzerinde 548 nm'de 0,0084 ölçülmüştür. Yansıtmaz kaplamaların güneş gözelerine uygulanmasıyla, performans değerlendirmesi de yapılmıştır. Güneş gözelerine, tek katman a-SiOx:H ve a-SiNx:H ve çift katman a-SiOx:H/a-SiNx:H kaplanmasıyla, tayfsal duyarlılık sırasıyla, 0,32'den 0,39 A/W'a, 0,43'ten 0,47 A/W'a ve 0,37'den 0,41 A/W'a artmıştır. Güneş gözelerinin verimliliği ise, aynı sırayla, 0,005'ten 0,009'a, 0,002'den 0,003'e ve 0,014'ten 0,018'e artmıştır.

Özet (Çeviri)

a-SiOx:H and a-SiNx:H single layer and double layer with the structure of a-SiOx:H and a-SiNx:H, anti reflection coatings (SLARC and DLARC) were designed and depostied in a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system on single crystlaline and glass substrates. a-SiOx:H and a-SiNx:H layers were deposited, by using the flow rates 2 sccm of SiH4 and 8 sccm of CO2 and 8 sccm N2, respectively. Thicknesses of the samples were calibrated as a funciton of deposition time. By using the calibration functions, the required durations of experiments to design anti reflecting layers were extrapolated. With the SLARC design of a-SiOx:H, optical reflectivity from glass was measured as 0.087 at 512 nm and on crystalline silicon as 0.094 at 542 nm. The reflectivity of a-SiNx:H on glass was measured as 0.095 at 542 nm and as 0.0085 as 520 nm on silicon. With the DLARC design of a-SiOx:H/a-SiNx:H structure, the reflectivity was mesured as 0.036 at 528 nm on glass and as 0.0084 at 548 nm on silicon. The designed ARCs were applied on solar cells to evaluate any change in their performances. The spectral responsivities of the cells were calculated to increase from 0.32 to 0.39 A/W, from 0.43 to 0.47 A/W and from 0.37 to 0.41 A/W for SLARCs a-SiOx:H and a-SiNx:H and DLARC a-SiOx:H/a-SiNx:H, respectively. The efficiencies of the cells were increased from 0.005 to 0.009, from 0.002 to 0.003 and from 0.014 to 0.018, in the same respect.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    364155

    a-SiOx:H ve kristal silisyumdan (c-Si) oluşan a-SiOx:H/c-Si heteroeklem güneş pillerinin fabrikasyonunu ve karakterizasyonu

    The characterisation and fabrication of a-SiOx:H/c-Si heterojunction solar cells

    OKAN YILMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR

    DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ

  2. Tez No

    341002

    Effect of deposition parameters on silicon layers transition from amorphous phase to micro/nano-crystalline phase in different deposition techniques

    Farklı uretım metodları kullanılarak büyütülen silisyum tabakalarının amorf fazdan mikro/nano kristal fazına geçişi

    GİZEM NOGAY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

  3. Tez No

    383003

    Modeling and optimization of PECVD processes and equipment used for manufacturing thin film photovoltaic devices

    İnce film fotovoltaik aygıt üretiminde kullanılan plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) süreçleri ve ekipmanının modelleme ve optimizasyonu

    ENGİN ÖZKOL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Kimya MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SERKAN KINCAL

  4. Tez No

    84143

    Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum ve silisyum-karbon alaşımlarında ışık ile yaratılan yarı-kararlı kusurların incelenmesi

    Light-induced metastable defect studies in hydrogenated amorphous silicon and silicon-carbon alloys

    ALP OSMAN KODOLBAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖZCAN ÖKTÜ

  5. Tez No

    76719

    Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum yapılarda kapasite gerilim yöntemiyle durum dağılımının belirtilmesi

    Başlık çevirisi yok

    ORHAN DURAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TÜLAY SERİN

Geri Dön