Ag katkılı In2S3 yarıiletkeninin sol-jel yöntemi ile üretilmesi, optiksel ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural and optical properties of Ag doped In2S3 semiconductor prepared by using the sol-gel method
- Tez No: 382459
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MAHARRAM ZARBALİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Harran Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 101
Özet
In2S3, III-VI grubu bir yarıiletken malzemedir. Geniş yasak enerji aralığına sahip olduğundan dolayı optoelektronikte ve fotovoltaik aygıt üretiminde oldukça önemlidir. Bu çalışmada sol-jel daldırma yöntemi ile In2S3 ve Ag katkılı In2S3 yarıiletkenleri oluşturuldu. Tavlama sıcaklığının ve gümüş (Ag) katkı oranlarının etkileri X-ışını kırınım analizi (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), UV spektrometresi ölçüm yöntemi ile incelendi. UV spektrometresi sonuçlarına göre tavlama sıcaklığı artıkça optik bant aralığı önce bir artış daha sonra azalma görülmektedir. In2S3 yarıiletkenlerinin tavlama sıcaklıklarına göre ortalama optik bant aralığı 2,66~ 2,89 eV aralığında belirlendi. Gümüş olanının değiştirilmesiyle optik bant aralığının azaldığı görülmektedir. Ag katkılı yarıiletkenlerin gümüş oranları artıkça ortalama optik bant aralığı 2.50 ~ 2,71 eV aralığında belirlendi. Tavlama sıcaklığını arttıkça filmlerin optiksel geçirgenliğinin arttığı gözlenmiştir. Ag katkı oranı artıkça filmlerin optiksel geçirgenliği % 1 gümüş katkılı yarıiletkende arttığı gözlenmiştir. Tavlama sıcaklığı arttıkça In2S3 yarıiletkenlerinin optiksel soğurmalarında bir artış, optimum noktadan sonra optiksel soğurmanın azaldığı gözlendi. Gümüş ile katkılandırdığımız yarıiletkenlerin gümüş oranı artıkça optiksel soğurmanın önce arttığı daha sonra azaldığı görülmektedir.Sol-jel yöntemi ile hazırlanan In2S3 yarıiletkenlerinin ortalama kalınlıkları ~323 nm'dır.
Özet (Çeviri)
In2S3 belongs to group III-VI semiconductors material. Because of In2S3 has a wide band gap, it is important in optoelectronics and photovoltaic device fabrication. In this study In2S3 semiconductors were prepared by sol-gel dip coating method. It was observed with UV spectrometre measure heat method, centementation heat and silver (Ag) addition effection, X-ray diffraction analysis (XRD), scaning electron microscope (SEM). According to UV spectrometer result, band gaps of the In2S3 semiconductors are between 2,66-2,89 eV. It was seen decreasing of optic band interval with changing that become silver. When silver addition half conductives increases its silver measure, average optic band interval is assinged by being 2.50- 2.71 eV. When centementation heat increases, it is seen increasing of optical permeability of films. When Ag addition measure increases, it was observed to increasing optical permeability of films % 1 silver addition half conductive also. When centementation heat increaser, in optical becoming cold of half conductive is observed decreasing of optical becoming cold is observed increasing after optimum point. When silver measure increased was seen the half conductive that we added with silver, the firstly optical becoming cold is increasing, lastly it is decreasing average thickness. In2S3 half conductive that prepared with sol-gel method is 323 nm.
Benzer Tezler
- Bakır indiyum sülfür ince film güneş pillerinin bükülebilir ve cam alt taşlar üzerine sprey piroliz yöntemi ile üretimi
Fabrication of chalcopyrite thin film solar cells on flexible and rigid substrates by ultrasonic spray pyrolysis technique
ERKAN AYDIN
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiTOBB Ekonomi ve Teknoloji ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NURDAN DEMİRCİ SANKIR
- Ag katkılı Bi-2223 süperiletken seramiklerin mekanik özelliklerinin saptanması
To determine mechanical properties of Ag doped Bi-2223 superconductors ceramics
EMİNE BURCU CEVİZCİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KEMAL KOCABAŞ
- Ag katkılı metal/HfO2/c-Si yapılarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of Ag doped metal/HfO2/c-Si structures for electrical properties
ARİF DEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiBatman ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OSMAN PAKMA
- Time effects in Ag-doped YBa2Cu3O7-X ceramic superconductors induced by the applied current and magnetic field
Ag katkılı YBa2Cu3O7-X seramik süperiletkeninde uygulanan akım ve manyetik alan tarafından indüklenen zaman etkileri
ATILGAN ALTINKÖK
Doktora
İngilizce
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiAbant İzzet Baysal ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. KIVILCIM KILIÇ
- Ag katkılı ZnSe ince filmlerin üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of Ag doped ZnSe thin films
BUĞRA DORUM
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiPamukkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KORAY YILMAZ