Büyük seri dirençli Schottky diyodları
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 38992
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. HASAN AKBAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1989
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Trakya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 54
Özet
iii ÖZ£T Bu çalışmada elektroliz ile silisyum üzerine nikel kaplandı. Sonra bu örnekler 400°C'de normal ortamda tavlandı, Silisyum' un diğer yüzü nikel ile ohmik kontakt yapacak şekil de aynı yöntem ile tekrar kaplandı. Bir yüzü metal küçük direnç gösteren, diğer yüzü ok sitlenmiş, büyük direnç gösteren Schottky diyodu yapıldı. I-V (akım-gerilim) ölçümlerinden diyod parametreleri dört yönteme göre bulundu. ve yöntemler arasında karşılaştırma ya pılarak, diyod direncinin sıcaklıkla değişimi incelendi. Son olarak deneyle teorinin karşılaştırılması yapıl dı.
Özet (Çeviri)
iv- SUMMARY Silicon wafers (n-si) are nickel plated by electro- less then samples heated to 400 C in open atmosphere. The apposit face of silicon wafer is nickel electropolated in the same way as before in order to make ohmic contact. One of the face of this nickel plated silicon wafer is metal and have a low ohmic resistance and the ather face oxsidised and have hinh resistance, so a Schottky diode is produced. From I-V (carrent-voltage) measurement diode para meters are obtained by four different methods and comparing the results of differents methots, variation of temperature is studied. The axpremental results are compared with the ore- tical expectations.
Benzer Tezler
- Au-Sb/n-Si/Cu Schottky diyodlarında seri direncin 1-V ve C-V karakteristiklerine etkisi
Başlık çevirisi yok
BAHRİ BATI
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ KÖKÇE
- Au-Sb/n-Si/Cu Schottky diyodlarında seri direncin I-V ve C-V karekteristiklerine etkileri
Başlık çevirisi yok
BAHRİ BATI
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ KÖKÇE
- Al/p-Si/Al Schottky diyotlarında I-V, C-f, C-V karakteristiklerinden diyod parametrelerinin hesaplanması
Calculation of current-voltage, capacitance- voltaj and capacitance-frequnce characteristics of Al /p-Si/Al Schottky diode
AKSEL BAYRAM
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATİ
- Schottky diyotlarında akım iletim olayı ve seri direnç etkisi
Başlık çevirisi yok
AHMET GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Si yarıiletkeni üzerine iletken polimer kaplanarak oluşturulmuş schottky diyotların özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the properti̇es of schottky diodes fabri̇cated by coati̇ng a conducti̇ve polymer on si̇li̇con semi̇conductor
AHMAD ASİMOV
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU