Al/p-Si/Al Schottky diyotlarında I-V, C-f, C-V karakteristiklerinden diyod parametrelerinin hesaplanması
Calculation of current-voltage, capacitance- voltaj and capacitance-frequnce characteristics of Al /p-Si/Al Schottky diode
- Tez No: 284161
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 52
Özet
Bu çalışmada 13? cm öz dirençli [100] doğrultulu, 500 ? m kalınlıklı, bir tarafı parlatılmış bir tarafı mat p tipi Si üzerine çalışılmıştır.4 adet Al/p-Si/Al Schottky diyotu imal edilmiştir. Bu diyotların I-V, C-V, C-f, karakteristikleri incelenmiş ve bu karakteristiklerinden diyot parametreleri bulunmuştur.I-V karakteristiklerinden faydalanarak ideailte faktörleri; 1.35, 1.48, 1.57 ve 1.65 olarak hesaplandı ayrıca; engel yükseklikleri 0.84 eV, 0.80 eV, 0.83 eV ve 0.80 eV olarak elde edildi. İdealite faktörlerinin birden büyük olmaları diyot yapımı esnasında ara yüzeyde oluşan oksitlenmeye, seri direncin büyüklüğüne ve omik kontağın direncinin büyüklüğüne atfedilebilir.C-f karakteristiklerinde küçük frekanslara karşılık gelen kısımlarda görülen artık kapasite; düşük frekanslarda ara yüzey hallerinin A.C sinyalini takip edebilmesine ve omik kontağın ideal olmayışına atfedilebilir.İdealite faktörlerinin büyük olması diyotların MS yapıdan çok MIS yapıda olduklarını gösterdi.
Özet (Çeviri)
In this thesis, we investigated p type Si diode which is [100] structures and 500 ? m thinkness for by forward and reverse bias both I-V and C-V characteristic curves.Four types of Al/p-Si/Al Stochttky diode were fabricated. And these diode?s current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frekancy (C-f)?characteristics were obtaıned. After that, we calculated parametres of these diode.For these four types of Al/p-Si/Al Stochttky diode, the ideality factors were calcuated as a 1.35, 1.48, 1.57 and 1.65 by using current-voltage (I-V) curve?characteristic and height of potential barriers were found to be 0.84 eV, 0.80 eV, 0.83 eV and 0.80 eV respectively. When the structure has a series resistance, oxidation between interface states and ohmic contact resistance, this refers that the idealty factors becomes higher than unity.The excess capacitance on the interface states which is corresponding to small frequancies in C-f characteristic curve refers non-ideal ohmic contact and a.c. signal .In this thesis, the ideality factors which is bigger than unity show that the diodes are structure of the Metal-Isolation-Semiconductor (MIS) than structure of Metal-Semiconductor (MS).
Benzer Tezler
- Al/P-Si Schottky diyotlarında MS ve MOS yapılarda diyot parametrelerinin karşılaştırılması
In Al/P-Si Schottky diodes and MS and MOS states on the comparation of diodes parameters
İKRAM KELEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI
- Organik (metil moru) arayüzey tabakanın Sn/p-Si/Al schottky diyotlarının elektriksel karekteristikleri üzerine etkileri
Effects of organic (methyl-violet) interfacial layer on electrical characteristi̇c at Sn/p-Si/al Schottky diodes
ROZHGAR HASAN HAMAD AMEEN HAMAD AMEEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ABDULLAH ÖZKARTAL
- Al/p-Si/Al Schottky kontakların yük depolama kabiliyeti
Charge storage capability of Al/p-Si/Al Schottky contacts
YÜCEL FENER
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CABİR TEMİRCİ
- Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi
Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures
ENİSE ÖZERDEN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Al/p-Si ve Au/n-Si schottky diyotlarda I-V ve C-V karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında analizi
Analysis of I-V ve C-V measurements Al/p-Si and Au/n-Si schottky diodes in a wide temperature
İLBİLGE DÖKME
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL