Geri Dön

Al/p-Si/Al Schottky diyotlarında I-V, C-f, C-V karakteristiklerinden diyod parametrelerinin hesaplanması

Calculation of current-voltage, capacitance- voltaj and capacitance-frequnce characteristics of Al /p-Si/Al Schottky diode

  1. Tez No: 284161
  2. Yazar: AKSEL BAYRAM
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATİ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 52

Özet

Bu çalışmada 13? cm öz dirençli [100] doğrultulu, 500 ? m kalınlıklı, bir tarafı parlatılmış bir tarafı mat p tipi Si üzerine çalışılmıştır.4 adet Al/p-Si/Al Schottky diyotu imal edilmiştir. Bu diyotların I-V, C-V, C-f, karakteristikleri incelenmiş ve bu karakteristiklerinden diyot parametreleri bulunmuştur.I-V karakteristiklerinden faydalanarak ideailte faktörleri; 1.35, 1.48, 1.57 ve 1.65 olarak hesaplandı ayrıca; engel yükseklikleri 0.84 eV, 0.80 eV, 0.83 eV ve 0.80 eV olarak elde edildi. İdealite faktörlerinin birden büyük olmaları diyot yapımı esnasında ara yüzeyde oluşan oksitlenmeye, seri direncin büyüklüğüne ve omik kontağın direncinin büyüklüğüne atfedilebilir.C-f karakteristiklerinde küçük frekanslara karşılık gelen kısımlarda görülen artık kapasite; düşük frekanslarda ara yüzey hallerinin A.C sinyalini takip edebilmesine ve omik kontağın ideal olmayışına atfedilebilir.İdealite faktörlerinin büyük olması diyotların MS yapıdan çok MIS yapıda olduklarını gösterdi.

Özet (Çeviri)

In this thesis, we investigated p type Si diode which is [100] structures and 500 ? m thinkness for by forward and reverse bias both I-V and C-V characteristic curves.Four types of Al/p-Si/Al Stochttky diode were fabricated. And these diode?s current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frekancy (C-f)?characteristics were obtaıned. After that, we calculated parametres of these diode.For these four types of Al/p-Si/Al Stochttky diode, the ideality factors were calcuated as a 1.35, 1.48, 1.57 and 1.65 by using current-voltage (I-V) curve?characteristic and height of potential barriers were found to be 0.84 eV, 0.80 eV, 0.83 eV and 0.80 eV respectively. When the structure has a series resistance, oxidation between interface states and ohmic contact resistance, this refers that the idealty factors becomes higher than unity.The excess capacitance on the interface states which is corresponding to small frequancies in C-f characteristic curve refers non-ideal ohmic contact and a.c. signal .In this thesis, the ideality factors which is bigger than unity show that the diodes are structure of the Metal-Isolation-Semiconductor (MIS) than structure of Metal-Semiconductor (MS).

Benzer Tezler

  1. Al/P-Si Schottky diyotlarında MS ve MOS yapılarda diyot parametrelerinin karşılaştırılması

    In Al/P-Si Schottky diodes and MS and MOS states on the comparation of diodes parameters

    İKRAM KELEŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI

  2. Organik (metil moru) arayüzey tabakanın Sn/p-Si/Al schottky diyotlarının elektriksel karekteristikleri üzerine etkileri

    Effects of organic (methyl-violet) interfacial layer on electrical characteristi̇c at Sn/p-Si/al Schottky diodes

    ROZHGAR HASAN HAMAD AMEEN HAMAD AMEEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ABDULLAH ÖZKARTAL

  3. Al/p-Si/Al Schottky kontakların yük depolama kabiliyeti

    Charge storage capability of Al/p-Si/Al Schottky contacts

    YÜCEL FENER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CABİR TEMİRCİ

  4. Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi

    Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures

    ENİSE ÖZERDEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU

  5. Al/p-Si ve Au/n-Si schottky diyotlarda I-V ve C-V karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında analizi

    Analysis of I-V ve C-V measurements Al/p-Si and Au/n-Si schottky diodes in a wide temperature

    İLBİLGE DÖKME

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL