PECVD yöntemiyle düşük sıcaklıklarda sentezlenen grafenlerin yapı karakterizasyonu
Structural characterization of graphene synthesized by PECVD method at low temperature
- Tez No: 394283
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET HANÇER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 118
Özet
Günümüzde en çok araştırılan konulardan olan ve gelecek teknolojisini içinde barındıran; ilgi çekici ve sıra dışı özellikleriyle dikkat çeken grafen malzemelerin sentezlenmesi çok büyük bir önem arz etmektedir. Genel olarak yüksek sıcaklıklarda (>900oC) sentezlenen grafenin düşük sıcaklıklarda (< 500oC) tek tabaka sentezlenmesi, teknolojik gelişmelerin endüstriyel uygulamalara dönüşmesinde büyük rol oynayacağı düşünülmektedir. Özellikle düşük maliyetli sentezleme yöntemlerinin geliştirilmesi büyük ilgi görmektedir. Bu yöntemlerden birisi olan Plazma destekli sistemler düşük sıcaklıklarda grafen sentezlemek kullanılan en etkin yöntemlerdendir. Bu tez çalışmasında, PECVD ( Plazma Destekli Kimyasal Buhar Biriktirme) sistemi ile düşük sıcaklıklarda farklı sıcaklıklarda, farklı plazma gücü değerlerinde, farklı biriktirme sürelerinde, bakır altlık kullanılarak, grafen filmler sentezlendi. Sentezlenen filmler, Si/SiO2 altlık üzerine transfer edildi ve Raman spektroskopisiyle karakterize edildi. Daha sonra seçilen numunelerin SEM ( Taramalı elektron mikroskobu) ve AFM ( atomik kuvvet mikroskobu ) ile yüzey morfolojisi incelendi. Sentezlenen ince filmlerin ortalama kalınlık değerleri elipsometre ile ölçüldü. Ölçülen değerlerin oluşturduğu tepki yüzeyleri (response surface) Raman spektroskopisinden elde edilen I2D/IG değerleri kıyaslandı. Sonuçlar literatür çalışmaları ile kıyaslandı. Deney sonuçlarına etki eden parametreler tespit edildi ve çözüm önerileri sunuldu.
Özet (Çeviri)
Today, graphene is one of the most researched topics and it remains an important future thin solid film technology. It has attracted great attention due to its rather interesting and extraordinary properties and synthesis route. Graphene is usually synthesized at high temperature (>900oC), and it still remains a key challenge to synthesize single layer graphene at low temperature (< 500oC), which is more favorable for semiconductor device fabrication. Therefore, development of low cost synthesis methods attracts great attention. Plasma assisting is one of the critical knobs for the successful production of low temperature graphene synthesis. In this thesis study, PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) system with copper substrate was used to synthesize low temperature (
Benzer Tezler
- Biomimetic antireflection coatings on silicon
Biyobenzetim yöntemiyle silisyum tabanlı ince film yansıtmayan kaplama üretimi
MÜMİN BALABAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜSEYİN KIZIL
- PECVD yöntemiyle a-Si:H tabanlı HIT güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
Characerization of a-Si:H based HIT solar cell fabricated by PECVD method
UĞUR DENEB MENDA
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ORHAN ÖZDEMİR
DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ
- Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes
GİZEM ÇELİKOK
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- PECVD yöntemiyle büyütülmüş BN filmlerin opto-elektronik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of PECVD grown BN thin films opto-electronic properties
BORA BOZKURT
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR
- a-Si;H filimlerinde ısıl uyarlamalı akım (Thermally smilated current) ve fotoiletkenlik ölçümleri
Başlık çevirisi yok
ERONSOY TOPÇU