a-Si;H filimlerinde ısıl uyarlamalı akım (Thermally smilated current) ve fotoiletkenlik ölçümleri
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 55362
- Danışmanlar: DOÇ.DR. AYNUR ERAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1996
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 78
Özet
ÖZET Bu çalışmada, plazma biriktirme yöntemiyle hazırlanmış mdrojerüendirilmiş amorf silisyum filimler üzerinde, 110-420 K. sıcaklık aralığında, karanlık iletkenlik, fotoiletkenlik, ısıl uyarmalı akım deneyleri yapılmıştır. Ayrıca Staebler-Wronski olayının etkisi incelenmiştir. Fotoiletkenlik deneyleri, ışık kaynağı olarak 585 nın ve 660 ran dalga boylu LED grupları kullanılarak, üretim hızının (G) 2xl015 -2xl018 foton/cm3s aralığında değiştirilmesiyle, sıcaklığın ve foton akısının fonksiyonu olarak incelenmiştir. Tüm deneklerde, 150-220 K sıcaklık aralığında, fotoiletkenliğin azaldığı“Thermal Quenching”bölgesi gözlenmiştir. Fotoiletkenliğin, TQ bölgesindeki minimum ve maksimumları, artan üretim hızı ile yüksek sıcaklıklara kaymakta ve maksimumlardaki kayma aktivasyon türü bir davranış vermektedir. ap~Gr bağuıüsındaki y sıcaklığa bağlıdır; düşük sıcaklıklarda yl'dir. Sonuçlar mevcut modellerle açıklanmaya çalışılmıştır. Isıl uyarmalı akım ölçümlerinde, fazla belirgin olmamakla birlikte, literatürde belirtildiği gibi biri ~110 K, diğeri ~300 K civarında olan iki tepe gözlenmiştir. Deneklerin şiddetli ışığa açılması, 100-300 K arasında farklı sıcaklıklarda yapılan aydınlatmalarla incelenmiştir. Tüm sıcaklıklarda, deneğin ışığa açılmasıyla fotoiletkenlik önemli ölçüde azalmaktadır. Farklı sıcaklıklarda aydınlatma sonucu yaratılan kusurların kararlılığını açıklamak için, denekler 50 K'lik artışlarla ardışık olarak tavlanmışlardır. Düşük sıcaklıklarda yaratılan kusurlar, yüksek sıcaklıklarda yaratılan kusurlara oranla daha düşük sıcaklıklarda tavlanmaya başlamaktadır. Işık eşlikli etkilerin bugüne kadar aydınlanmamış olmasına rağmen, sonuçlar mevcut modellerle açıklanmıştır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT In this study, dark conductivity, photoconductivity and thermally stimulated current experiments are carried out on hydrogenated amorphous silicon samples prepared by PECVD, within the temperature range of 1 10-420 K. Photoconductivity measurements are investigated as a function of temperature and photon fluxes within the generation rate range of 2xl015-2xl018 photon/cm3s by using LED's groups centered at 585 nm and 660 nm, as light source. The temperature dependent photoconductivity curve shows a clear thermal quenching (TQ) in the temperature range of 150-220 K. TQ maximum and minimum of the photoconductivity curve moves to higher temperatures with the generation rate and the thermally activated behaviour is present for TQ maximum and minimum values of photoconductivity. The exponent y in the o-pc~GY relation is temperature dependent; y 1 in the TQ region. Results are attempted to explain by using existing models. On the TSC measurements, two peaks, one of at 1 10 K, the other one at 300 K are observed even if they are not seen clearly. Light soaking were investigated by the exposure to light at temperatures between 100-300 K. Upon light exposure at all these temperatures, o*pc decreases significantly. In order to explain the stability of the defects which are created at different exposure temperatures, the samples were annealed step by step with 50 K increments. Defects created at lower temperatures begin to anneal at lower annealing temperatures than those created at higher temperatures. Although light induced effects on a-Si:H are still an open question, the results are dicussed within the framework of the existing models.
Benzer Tezler
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerde uzay yükü ile sınırlı akım tekniği ile durum yoğunluğunun belirlenmesi
Determination of density of states in a-Si:H using space charge limited current measurements
TOLGA OKAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYNUR ERAY
- İskeletsel 2.sınıf ortodontik anomalilere uygulanan aktivatörün masseter ve anterior temporal kas aktivitelerine etkisi
Başlık çevirisi yok
H. NİLÜFER DARENDELİLER
- NiMn,NiMnP+ ve CrFe alaşım ince filmlerinde elektron spin rezonans (ESR) ve direnç ölçümleri
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA ÖZDEMİR
Doktora
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YILDIRHAN ÖNER
- Dik manyetik anizotropili çok katmanlı ultraince Co/Pd filmlerinin anormal Hall etkisi
The anomalous Hall effect on multilayered ultrathin Co/Pd films with perpendicular magnetic anisotropy
VEDAT KESKİN
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BEKİR AKTAŞ
- Tek katmanlı yansıma önleyici ince film kaplamaların üretimi ve optik/mekanik özelliklerinin incelenmesi
Production of single layer antireflective thin film coatings and investigation of optical&mechanical properties
GİZEM AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET KÜRŞAT KAZMANLI
DR. REFİKA BUDAKOĞLU