Organik arayüzeyli Schottky diyotların hazırlanması, elektriksel ve dielektrik özelliklerinin geniş bir frekans aralığında incelenmesi
Prepering schottky barrier diodes (SBDS) with organic interface and investigating their elektrical and dielectric properties in a wide frequency range
- Tez No: 394472
- Danışmanlar: DOÇ. DR. İBRAHİM YÜCEDAĞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Düzce Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik Eğitimi Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 72
Özet
Au/PPy/n-Si Schottky bariyer diyotlar (SBD) organik buharlaştırma tekniği sayesinde n-Si üzerine Polyprrole (PPy) organic katmanı oluşturarak üretildi. Yapının dielektrik sabiti (ε'), dielektrik kaybı (ε''), kayıp tanjantı (tanδ), elektrik modülüsün gerçek ve sanal kısımları (M' and M'') ve ac elektriksel iletkenlik parametreleri (σac)'nin frekansa bağlılığı 10kHz-500kHz frekans aralığında incelendi. Artan frekansla birlikte; σac, M' ve M'' değerlerinde artış gözlenirken, ε', ε'' ve tanδ değerlerinde azalma görülür. Bunun yanısıra, tanδ ve M'' yaklaşık sıfır ön geriliminde artan frekansla azalan bir peak gösterir. Artan gerilimle birlikte; ε'', tanδ, σac ve M'' değerlerinde olurken gelirken, ε' ve M' değerlerinde azalma olur. ε', ε'', tanδ, M', M'' ve σac değerlerindeki bu değişiklik yüzey yükü polarizasyonuna ve özellikle de PPy/n-Si arayüzeyine yerleşmiş yüzey durumları yoğunluk dağılımına atfedilir.
Özet (Çeviri)
Au/PPy/n-Si Schottky barrier diodes SBDs were fabricated by forming polypyrrole (PPy) organic layer on n-Si using the organic evaporating technique. Frequency dependent dielectric constant (ε'), dielectric loss (ε''), loss tangent (tanδ), real and imaginary parts of electrical modulus (M' and M'') and AC electrical conductivity (σac) parameters of the structure were investigated in the frequency range of 10kHz-500kHz. It was found that the values of the ε', ε'' and tanδ, in general, decrease with increasing frequency while an increase is observed in σac, M' and M''. The tanδ and M'' also exhibit a peak at about zero-bias voltage while peak intensity weakens with increasing frequency. The values of ε' and M' decrease with increasing voltage while an increase is observed in ε'', tanδ, σac and M''. These changes in ε', ε'', tanδ, M', M'' and σac values was attributed to surface charge polarization and the particular density distribution of surface states localized at PPy/n-Si interface.
Benzer Tezler
- Au(MgO-PVP)/n-Si (MPS) yapıların hazırlanması, yapısal ve frekansa bağlı elektrik dielektrik özelliklerinin incelenmesi
The fabrication of Au(MgO-PVP)/n-Si (MPS) Schottky barrier diodes and the investigation their electrical and dielectrical properties
AYŞEGÜL EROĞLU
Doktora
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET KASAP
- Elektron demet ile ışınlanmış Alq3 arayüzey tabakalı metal/yarıiletken diyotların hazırlanması ve ışınlamanın aygıt performansına etkilerinin incelenmesi
Preperation of metal/semiconductor diodes with electron beam irradiated Alq3 interfacial layer and investigation of irradiation effect on device performance
MURAT DURMUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBursa Uludağ ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ UMUT AYDEMİR
- Polivinil alkol arayüzey tabakalı schottky engel diyotların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The preparation of schottky barrier diodes with polyvinyl alcohol interface layer and the investigation of their electrical properties
OSMAN ÇİÇEK
Doktora
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HABİBE TECİMER
- [3-((piren-1-yl metilen)amino)metil benzoat] arayüzey tabakalı schottky diyotların hazırlanması ve elektriksel karakteristiklerinin frekansa bağlı kapasite-kondüktans-voltaj (C-G-V) ölçümleriyle belirlenmesi
Preparation of [3-((pyrene-1-yl methylene) amino) methyl benzoate] interfacial layered schottky di̇odes and determination of their electrical characteristics by frequency dependent capacitance-conductance-voltage (C-G-V) measurements
GÖRKEM CAN İNCE
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERKAN EYMUR
- Organik arayüzey tabakalı metal-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin radyasyona bağlı incelenmesi
Investigation of radiation effects on the electrical properties of metal-semiconductor structures with organic interfacial layer
AHMET KAYMAZ
Doktora
Türkçe
2020
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HABİBE TECİMER