Geri Dön

Organik arayüzeyli Schottky diyotların hazırlanması, elektriksel ve dielektrik özelliklerinin geniş bir frekans aralığında incelenmesi

Prepering schottky barrier diodes (SBDS) with organic interface and investigating their elektrical and dielectric properties in a wide frequency range

  1. Tez No: 394472
  2. Yazar: GÜLÇİN ERSÖZ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. İBRAHİM YÜCEDAĞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Düzce Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik Eğitimi Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 72

Özet

Au/PPy/n-Si Schottky bariyer diyotlar (SBD) organik buharlaştırma tekniği sayesinde n-Si üzerine Polyprrole (PPy) organic katmanı oluşturarak üretildi. Yapının dielektrik sabiti (ε'), dielektrik kaybı (ε''), kayıp tanjantı (tanδ), elektrik modülüsün gerçek ve sanal kısımları (M' and M'') ve ac elektriksel iletkenlik parametreleri (σac)'nin frekansa bağlılığı 10kHz-500kHz frekans aralığında incelendi. Artan frekansla birlikte; σac, M' ve M'' değerlerinde artış gözlenirken, ε', ε'' ve tanδ değerlerinde azalma görülür. Bunun yanısıra, tanδ ve M'' yaklaşık sıfır ön geriliminde artan frekansla azalan bir peak gösterir. Artan gerilimle birlikte; ε'', tanδ, σac ve M'' değerlerinde olurken gelirken, ε' ve M' değerlerinde azalma olur. ε', ε'', tanδ, M', M'' ve σac değerlerindeki bu değişiklik yüzey yükü polarizasyonuna ve özellikle de PPy/n-Si arayüzeyine yerleşmiş yüzey durumları yoğunluk dağılımına atfedilir.

Özet (Çeviri)

Au/PPy/n-Si Schottky barrier diodes SBDs were fabricated by forming polypyrrole (PPy) organic layer on n-Si using the organic evaporating technique. Frequency dependent dielectric constant (ε'), dielectric loss (ε''), loss tangent (tanδ), real and imaginary parts of electrical modulus (M' and M'') and AC electrical conductivity (σac) parameters of the structure were investigated in the frequency range of 10kHz-500kHz. It was found that the values of the ε', ε'' and tanδ, in general, decrease with increasing frequency while an increase is observed in σac, M' and M''. The tanδ and M'' also exhibit a peak at about zero-bias voltage while peak intensity weakens with increasing frequency. The values of ε' and M' decrease with increasing voltage while an increase is observed in ε'', tanδ, σac and M''. These changes in ε', ε'', tanδ, M', M'' and σac values was attributed to surface charge polarization and the particular density distribution of surface states localized at PPy/n-Si interface.

Benzer Tezler

  1. Au(MgO-PVP)/n-Si (MPS) yapıların hazırlanması, yapısal ve frekansa bağlı elektrik dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    The fabrication of Au(MgO-PVP)/n-Si (MPS) Schottky barrier diodes and the investigation their electrical and dielectrical properties

    AYŞEGÜL EROĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET KASAP

  2. Elektron demet ile ışınlanmış Alq3 arayüzey tabakalı metal/yarıiletken diyotların hazırlanması ve ışınlamanın aygıt performansına etkilerinin incelenmesi

    Preperation of metal/semiconductor diodes with electron beam irradiated Alq3 interfacial layer and investigation of irradiation effect on device performance

    MURAT DURMUŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBursa Uludağ Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ UMUT AYDEMİR

  3. Polivinil alkol arayüzey tabakalı schottky engel diyotların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The preparation of schottky barrier diodes with polyvinyl alcohol interface layer and the investigation of their electrical properties

    OSMAN ÇİÇEK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HABİBE TECİMER

  4. [3-((piren-1-yl metilen)amino)metil benzoat] arayüzey tabakalı schottky diyotların hazırlanması ve elektriksel karakteristiklerinin frekansa bağlı kapasite-kondüktans-voltaj (C-G-V) ölçümleriyle belirlenmesi

    Preparation of [3-((pyrene-1-yl methylene) amino) methyl benzoate] interfacial layered schottky di̇odes and determination of their electrical characteristics by frequency dependent capacitance-conductance-voltage (C-G-V) measurements

    GÖRKEM CAN İNCE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    EnerjiGiresun Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERKAN EYMUR

  5. Organik arayüzey tabakalı metal-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin radyasyona bağlı incelenmesi

    Investigation of radiation effects on the electrical properties of metal-semiconductor structures with organic interfacial layer

    AHMET KAYMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HABİBE TECİMER