[3-((piren-1-yl metilen)amino)metil benzoat] arayüzey tabakalı schottky diyotların hazırlanması ve elektriksel karakteristiklerinin frekansa bağlı kapasite-kondüktans-voltaj (C-G-V) ölçümleriyle belirlenmesi
Preparation of [3-((pyrene-1-yl methylene) amino) methyl benzoate] interfacial layered schottky di̇odes and determination of their electrical characteristics by frequency dependent capacitance-conductance-voltage (C-G-V) measurements
- Tez No: 854959
- Danışmanlar: PROF. DR. SERKAN EYMUR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışmasında, 525 μm kalınlığında, 1-20 Ω-cm özdirencinde, [100] doğrultusunda büyütülmüş, 2 inç çapında, bor katkılı p-tipi Si kristali kullanıldı. Döndürme ile kaplama yöntemi ile p-Si üzerinde PMAMB organik malzemesi büyütüldü. Omik ve doğrultucu kontak oluşturmak için termal buharlaştırma sistemi kullanılarak alüminyum metali biriktirildi. Elektriksel parametreleri incelenmek için oda sıcaklığında ve -4V +2V voltaj değerleri aralığında ve 30 kHz-1 MHz frekans aralığında kapasite-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G-V) ölçümleri alındı. Kapasite-voltaj ölçümlerinden MOS yapılarda görülen tersinme, tüketme ve biriktirme bölgeleri gözlemlenmiştir. Frekansa bağlı seri direnç ve arayüzey durum yoğunluğu değerleri belirlendi. Ayrıca, C-2-V eğrilerinden difüzyon potansiyeli (V_D), alıcı katkı atomlarının yoğunluğu (N_a), Fermi enerji seviyesi (E_F) ve bariyer yüksekliği (Φ_B) parametreleri hesaplandı. Frekansın artmasıyla Φ_B değerlerinin arttığı gözlemlendi.
Özet (Çeviri)
In this thesis study, a boron-doped p-type Si crystal, 525 μm thick, 1-20 Ω-cm resistivity, grown in the [100] direction, 2 inches in diameter, was used. PMAMB organic material was grown on p-Si by spin coating method. Aluminum metal was deposited using a thermal evaporation system to create ohmic and rectifying contact. To examine the electrical parameters, capacity-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) measurements were taken at room temperature, in the -4V +2V voltage range and in the 30 kHz-1 MHz frequency range. From the capacity-voltage measurements, inversion, depletion and accumulation regions seen in MIS structures were observed. In addition, diffusion potential (V_D), density of acceptor dopant atoms (N_a), Fermi energy level (E_F) and barrier height (Φ_B) parameters were calculated from C-2-V curves. It was observed that Φ_B values increased with increasing frequency
Benzer Tezler
- Ovulasyon indüksiyonu tedavisinde folliküler gelişimin ultrasonografik takibi
Başlık çevirisi yok
MERİH BAYRAM
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
1987
Kadın Hastalıkları ve DoğumGazi ÜniversitesiKadın Hastalıkları ve Doğum Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MÜLAZIM YILDIRIM
- Bazı esterlerin kinetik incelenmesi ve termodinamik parametrelerin belirlenmesi
Kinetic study and detesmination of thermodnamic parameters of some esters
İBRAHİM TAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Kimya MühendisliğiUludağ ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA CEBE
- Atherosklerotik kalp hastalıklarında risk faktörleri
Risk factors in the coronary artery disease
MURAT SUHER
- Kuyruk modelleri ve analizi üzerine bir uygulama
Başlık çevirisi yok
DİDEM ÖZPULAT
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
İstatistikEge ÜniversitesiBilgisayar Bilimleri ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FİKRET İKİZ