Geri Dön

Farklı yöntemlerle büyütülen ZnO ince filmlerin optik özelliklerinin incelenmesi

Investigation of optical properties of ZnO thin films grown using different methods

  1. Tez No: 397127
  2. Yazar: ALİYE ÇANKAYA
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. TACETTİN YILDIRIM
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Nevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 103

Özet

Reaktif püskürtme yöntemiyle farklı oksijen oranına sahip ortamlarda safir üzerine büyütülmüş (O2/Ar=0.41 ve O2/Ar=1.7) ZnO ince filmlerde sıcaklığa bağlı optik soğurma ölçümleri alındı. Her iki örnekte de sıcaklık arttıkça yasak bant aralığında daralama olduğu görüldü. Aynı yöntemle silisyum taban malzemesi üzerine büyütülen n-tipi ve p-tipi ZnO ince filmler üzerinde de 300-1100 nm aralığında spektral fotoakım ölçümleri yapıldı. Görünür bölgede 570 nm, 500 nm ve 404 nm dalga boylarına karşılık gelen soğurma pikleri ve ultraviyole bölgede 400 nm‟den itibaren artan akım değeri ve 350 nm‟ye karşılık gelen bir soğurma piki elde edildi. Kuartz üzerine başlangıç çözeltisine değişik oranlarda amonyum asetat ilave edilerek ZnO ince filmler hazırlandı. Hazırlanan ince filmler 700 oC‟de azot ortamında 2 saat tavlandı. Başlangıç çözeltisindeki amonyum asetat oranı arttıkça ZnO ince filmlerin yüzey morfolojisinin değiştiği görüldü ve yasak bant aralığının daraldığı optik soğurma ölçümlerinden bulundu. Optik haberleşme malzemelerinin araştırılmasında optik sabitler önemli olduğundan kuartz üzerine hazırlanan bütün ince filmlerin optik sabitleri de incelendi.

Özet (Çeviri)

Optical absorption measurements in ZnO thin films grown on sapphire by reactive sputtering method in environments with different oxygen content (O2 / R = 0.41 and O2 / Ar = 1.7) were taken depending on the temperature. In both of the samples, we have observed that bandgap decreases while the temperature increases. Photocurrents in n-type and p-type ZnO thin films grown on silicon substrate by the reactive sputtering methods were measured in the spectral range of 300-1100 nm. The absorption peaks were obtained in the visible region of 570 nm, 500 nm and 404 nm and in the ultraviolet region of 400 nm and 350 nm. It has been observed that the current values increase in the ultraviolet region. Adding ammonium acetate precursor solution at different rates, ZnO thin films were also prepared on quartz. Thin films prepared were annealed in a nitrogen atmosphere at 700 °C for 2 hours. It was seen that the bandgap energy of the thin films can be decreased at the room temperature while ammonium acetate rate in precursor increases. Since the optical constants in the study of optical communication materials are important, this constants for all thin films prepared on quartz were investigated.

Benzer Tezler

  1. SILAR ve dönel kaplama metotları kullanılarak büyütülen çinko oksit (ZnO) ince filmlerde uyarılmış emisyonun incelenmesi

    Examination of stimulated emission at ZnO thin films deposited by SILAR and spin coating methods

    MELİH ÖZDEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErzurum Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ÇAĞLAR DUMAN

  2. p-Si, GaAs ve ge alttaşlar üzerine Al:ZnO filmlerin büyütülmesi; yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The deposition of Al:ZnO films on p-Si, GaAs and ge substrates: The investigation of structural, optical and electrical properties

    GÜRKAN KURTULUŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERGÜN KASAP

  3. Farklı püskürtme güçleri altında üretilen n-ZnO/AlN/p-GaN yakın UV mavi ışık yayan diyotların (LED) elektriksel, optik, yapısal ve morfolojik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of electrical, optical, structural and morphological properties of n-ZnO/AlN/p-GaN near UV-blue light emitting diodes (LED) fabricated under different sputtering

    DERYA ÜNAL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZİYA MERDAN

    DOÇ. DR. SONGÜL FİAT VAROL

  4. Synthesis of ZnO and Si nanowires for the fabrication of 3rd generation solar cells

    Üçüncü nesil güneş pillerinin üretimi için ZnO ve Si nanotellerin sentezlenmesi

    ELİF PEKSU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAKAN KARAAĞAÇ

  5. Fotovoltaik uygulamalar için sıçratma yöntemi ile üretilen ZnO ince filmlerde katkı elementlerinin etkisi

    Etching of the thin films produced with sputtering method effects of the doping elements and photovoltaic applications

    ÜMMÜ MUSTAFAOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    EnerjiYıldız Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET KARAASLAN