Farklı yöntemlerle büyütülen ZnO ince filmlerin optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical properties of ZnO thin films grown using different methods
- Tez No: 397127
- Danışmanlar: DOÇ. DR. TACETTİN YILDIRIM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Nevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 103
Özet
Reaktif püskürtme yöntemiyle farklı oksijen oranına sahip ortamlarda safir üzerine büyütülmüş (O2/Ar=0.41 ve O2/Ar=1.7) ZnO ince filmlerde sıcaklığa bağlı optik soğurma ölçümleri alındı. Her iki örnekte de sıcaklık arttıkça yasak bant aralığında daralama olduğu görüldü. Aynı yöntemle silisyum taban malzemesi üzerine büyütülen n-tipi ve p-tipi ZnO ince filmler üzerinde de 300-1100 nm aralığında spektral fotoakım ölçümleri yapıldı. Görünür bölgede 570 nm, 500 nm ve 404 nm dalga boylarına karşılık gelen soğurma pikleri ve ultraviyole bölgede 400 nm‟den itibaren artan akım değeri ve 350 nm‟ye karşılık gelen bir soğurma piki elde edildi. Kuartz üzerine başlangıç çözeltisine değişik oranlarda amonyum asetat ilave edilerek ZnO ince filmler hazırlandı. Hazırlanan ince filmler 700 oC‟de azot ortamında 2 saat tavlandı. Başlangıç çözeltisindeki amonyum asetat oranı arttıkça ZnO ince filmlerin yüzey morfolojisinin değiştiği görüldü ve yasak bant aralığının daraldığı optik soğurma ölçümlerinden bulundu. Optik haberleşme malzemelerinin araştırılmasında optik sabitler önemli olduğundan kuartz üzerine hazırlanan bütün ince filmlerin optik sabitleri de incelendi.
Özet (Çeviri)
Optical absorption measurements in ZnO thin films grown on sapphire by reactive sputtering method in environments with different oxygen content (O2 / R = 0.41 and O2 / Ar = 1.7) were taken depending on the temperature. In both of the samples, we have observed that bandgap decreases while the temperature increases. Photocurrents in n-type and p-type ZnO thin films grown on silicon substrate by the reactive sputtering methods were measured in the spectral range of 300-1100 nm. The absorption peaks were obtained in the visible region of 570 nm, 500 nm and 404 nm and in the ultraviolet region of 400 nm and 350 nm. It has been observed that the current values increase in the ultraviolet region. Adding ammonium acetate precursor solution at different rates, ZnO thin films were also prepared on quartz. Thin films prepared were annealed in a nitrogen atmosphere at 700 °C for 2 hours. It was seen that the bandgap energy of the thin films can be decreased at the room temperature while ammonium acetate rate in precursor increases. Since the optical constants in the study of optical communication materials are important, this constants for all thin films prepared on quartz were investigated.
Benzer Tezler
- SILAR ve dönel kaplama metotları kullanılarak büyütülen çinko oksit (ZnO) ince filmlerde uyarılmış emisyonun incelenmesi
Examination of stimulated emission at ZnO thin films deposited by SILAR and spin coating methods
MELİH ÖZDEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErzurum Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ÇAĞLAR DUMAN
- p-Si, GaAs ve ge alttaşlar üzerine Al:ZnO filmlerin büyütülmesi; yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The deposition of Al:ZnO films on p-Si, GaAs and ge substrates: The investigation of structural, optical and electrical properties
GÜRKAN KURTULUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERGÜN KASAP
- Farklı püskürtme güçleri altında üretilen n-ZnO/AlN/p-GaN yakın UV mavi ışık yayan diyotların (LED) elektriksel, optik, yapısal ve morfolojik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical, optical, structural and morphological properties of n-ZnO/AlN/p-GaN near UV-blue light emitting diodes (LED) fabricated under different sputtering
DERYA ÜNAL
Doktora
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ZİYA MERDAN
DOÇ. DR. SONGÜL FİAT VAROL
- Synthesis of ZnO and Si nanowires for the fabrication of 3rd generation solar cells
Üçüncü nesil güneş pillerinin üretimi için ZnO ve Si nanotellerin sentezlenmesi
ELİF PEKSU
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAKAN KARAAĞAÇ
- Fotovoltaik uygulamalar için sıçratma yöntemi ile üretilen ZnO ince filmlerde katkı elementlerinin etkisi
Etching of the thin films produced with sputtering method effects of the doping elements and photovoltaic applications
ÜMMÜ MUSTAFAOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
EnerjiYıldız Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET KARAASLAN