A Model of an actively mode-locked semiconductor laser
Aktif mod kilitlenmiş yarı iletken lazer modeli
- Tez No: 39932
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SADETTİN ÖZYAZICI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Yarıiletken laser, Aktif mod kilitlenmesi
- Yıl: 1995
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 88
Özet
Bu çalışmada, aktif mod kilitlenmiş yarıiletken lazerde çok kısa süreli darbe üretimi modellendi. Model, sonlu fark metodu kullanılarak sayısal olarak çözülen zaman ve pozisyona bağlı çok modlu ilerleyen dalga değişim denklemleri üzerine kuruldu. Standart olarak, 1.55 //m InGaAsP quantum-well lazeri seçildi. Fakat, bu model herhangi bir yarıiletken lazerin modellenmesinde kullanılabilir. Lazer diyodun önemli parametreleri olan kazanç katsayısı, kazanç sıkıştıma, iç kayıplar, ışımalı bileşim, ışımasız bileşim, Auger bileşimi, acuple katsayısı, yansımayı önleyici kaplama (AR coating), ve belirsiz ışıma ömrü dikkate alındı. İlave olarak, aktif mod kilitleme frekansı, DC ve RF akımın darbe genişliği (FWHM) üzerindeki etkiside incelendi. Darbe genişliği üzerindeki etkisi belirtilen parametreler arasından kazanç sıkıştırması, Auger ışıması, RF akımı ve frekansın en önemlileri olduğu belirlendi.
Özet (Çeviri)
In this work, ultrashort pulse generation by an actively mode-locked semiconductor laser is modelled. The model based on multi-mode travelling-wave rate equations which are solved numerically by finite difference method as a function of both time and space variables. The parameters taken as standard are selected for 1.55/* m InGaAsP quantum-well laser. But the model can be used in the modelling of any semicoductor laser. The important laser diode and cavity parameters such as small-signal gain coefficient, gain compression, internal losses, radiative racombination, spontaneuos lifetime, nonradiative recombination, Auger recombination, coupling coefficient, AR coating and spontaneous emission lifetime are taken into account. In addition, the effect of mode-locking frequency, DC and RF current on the FWHM of the pulses are also investigated. Among the parameters that affect on the pulse duration are identified. Gain compression, Auger recombination, RF current and frequency are the most effective parameters. Key Words : Semiconductor laser, Active mode-locking. I
Benzer Tezler
- An Activelty mode-locked semiconductor laser and soliton pulse propagation
Aktif mod kilitlenmiş yarı iletken lazer diyod ve soliton darbe yay yayılması
MURAT AKSOY
Doktora
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SADETTİN ÖZYAZICI
- Development of a pulsed fiber laser for ladar system
Ladar sistemi için atımlı fiber lazer geliştirilmesi
EBRU DÜLGERGİL
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Bilim ve TeknolojiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAKAN ALTAN
- Ulaştırma sistemlerinin bütünleşik analizi
Integrated analysis of transportation systems
TEVFİK BAŞAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Ulaşımİstanbul Teknik Üniversitesiİnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜNGÖR EVREN
- Otonom sualtı araçlarının modellenmesi, yörünge takip kontrolü ve simülasyonu
Modelling, trajectory tracking and simulation of autonomous underwater vehicles
İREM NUR ORUÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ UMUT TİLKİ
- Deprem etkisindeki yapıların aktif kontrolü
Active control of structures under seismic excitation
BEKİR BORA GÖZÜKIZIL