Structure and electronic properties of sputtured amorphous GaP films
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 400545
- Danışmanlar: PROF. DR. E. A. DAVIS
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Astronomi ve Uzay Bilimleri, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Astronomy and Space Sciences, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1994
- Dil: İngilizce
- Üniversite: University of Leicester
- Enstitü: Yurtdışı Enstitü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 186
Özet
Özet yok.
Özet (Çeviri)
Stoichiometric amorphous GaP films have been prepared by RF sputtering on to substrates held at temperatures from 20°C to 200 °C. Some room-temperature deposited samples were annealed at higher temperatures (200-400 °C) in vacuum. Structural, optical and electrical characterisation of these films was carried out by means of a variety of experimental techniques. Electron microscopy experiments, using both transmission electron microscope (TEM) and scanning electron microscope together with energy dispersive X-ray analyser (SEM-EDAX) have revealed that, while on the macroscopic scale the samples are homogeneous, continuous and smooth, on the microscopic scale they contain structural inhomogeneities, namely voids, and a small degree of compositional non-uniformity. Extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) spectroscopy has provided information on the atomic structure of the films, in particular on the short-range order around both Ga and P atoms. It was found that the a-GaP network is four-fold coordinated and chemically ordered, i.e. wrong bonds, Ga-Ga and P-P bonds, do not exist. In addition the technique revealed very little disorder in the bond length but wide distributions in the bond angles, the latter being more pronounced around P atoms than around Ga atoms. Information on the short-range atomic structure has been obtained from infrared (IR) spectroscopy through the identification of the vibrational modes of the bonds. The main finding of these measurements was that the a-GaP network is chemically ordered, which is consistent with the EXAFS work. From a combination of conventional reflection-transmission (R-T) and the most recently developed photothermal deflection spectroscopy (PDS) techniques, the absorption coefficient in the range of 10 an_1
Benzer Tezler
- Synthesis of ZnO and Si nanowires for the fabrication of 3rd generation solar cells
Üçüncü nesil güneş pillerinin üretimi için ZnO ve Si nanotellerin sentezlenmesi
ELİF PEKSU
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAKAN KARAAĞAÇ
- Plazma destekli kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile tantal katkılı elmas benzeri karbon film üretimi ve karakterizasyonu
Production of tantalum doped diamond-like carbon film by means of plasma assisted chemical vapor deposition and its characterisation
NİLÜFER ORHON
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. M. KÜRŞAT KAZMANLI
- Low temperature growth, characterization, and applications of RF-sputtered srtio3 and BaSrTiO3 thin films
SrTiO3 ve BaSrTiO3 ince filmlerin düşük sıcaklıkta depolanması, karakterizasyonu ve uygulamaları
TÜRKAN BAYRAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI
- Engineering M-Si (M:Ag,Cu) thin films as negative electrodes for lithium ion batteries
Lityum iyon bataryalarda negatif elektrot olarak kullanımları için M-Si (M:Ag,Cu) ince filmlerin tasarlanması
BİLLUR DENİZ KARAHAN
Doktora
İngilizce
2016
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖZGÜL KELEŞ
- D.A. manyetik alanda sıçratma yöntemi ile tungsten karbür ince filmlerin üretimi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of tungsten carbide thin films by DC magnetron sputtering
CEREN BEGÜM
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ONURALP YÜCEL