Geri Dön

Using external magnetic field for increasing STT-RAM read/write reliability

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 403124
  2. Yazar: ENES EKEN
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. YIRAN CHEN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Unıversıty Of Pıttsburgh
  10. Enstitü: Yurtdışı Enstitü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Özet yok.

Özet (Çeviri)

In recent years, we have been witnessing the rise of spin-transfer torque random access memory (STT-RAM) technology. There are a couple of reasons which explain why STT-RAM has attracted a great deal of attention. Although conventional memory technologies like SRAM, DRAM and Flash memories are commonly used in the modern computer industry, they have major shortcomings, such as high leakage current, high power consumption and volatility. Although these drawbacks could have been overlooked in the past, they have become major concerns. Its characteristics, including low-power consumption, fast read-write access time and non-volatility make STT-RAM a promising candidate to solve the problems of other memory technologies. However, like all other memory technologies, STT-RAM has some problems such as cell-to-cell process variations and intrinsic thermal fluctuations which are waiting to be solved. In order to solve these variations and improve read/write reliability, we propose the utilization of an external magnetic field. When an external magnetic field is applied to a magnetic tunnel junction (MTJ) during a read operation, a self-reference resistive signal will be generated. This self-reference resistance is a very important technique for improving read reliability. In addition, external magnetic field can also be used for improving MTJ switching time.

Benzer Tezler

  1. Experimental investigation on nanofluids with and without the effects of external magnetic field

    Nanoakışkanların dış manyetik alan etkisinde ve haricinde deneysel olarak incelenmesi

    ALPER ELKATMIŞ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Mühendislik BilimleriYeditepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECDET ASLAN

  2. Cu-su nanoakışkanlı çarpan jet kullanılarak kısmen elastik ve eliptik bir yüzeyin manyetik alan etkisi altında soğutulması

    Cooling a partially elastic and elliptical surface under the influence of a magnetic field using a Cu-water nanofluidic impingement jet

    MEHMET ÇOĞAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Makine MühendisliğiManisa Celal Bayar Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FATİH SELİMEFENDİGİL

  3. Manyetik katı faz ekstraksiyonu metodu ile vanadyum zenginleştirmesi ve ICP-OES ile tayini

    Vanadium preconcentration using magnetic solid phase extraction method and determmination by ICP-OES

    NERGİZ SEVGİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    KimyaSakarya Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜSEYİN ALTUNDAĞ

  4. Flavonoidlerin seçimli ayrımı için manyetik moleküler baskılı polimer sentezi

    Magnetic molecularly impri̇nted polymer synthesi̇s for selecti̇ve separati̇on of flavonoi̇ds

    MERVE AKYÜZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KEVSER SÖZGEN BAŞKAN

  5. Manyetik alan ve sıcaklık duyarlı poli(n-t-bütilakrilamit-ko-akrilamit)/poli(vinil metil eter) yarı-içiçe geçmiş ağ yapılı ferrojellerinin sentezi ve karakterizasyonu

    Preparation and characterization of magnetic field and thermo-sensitive poly (n-t-butylacrylamide-co-acrylamide)/poly(vinyl methyl ether) semi-interpenetrating networks ferrogels

    DÖNE YÖRÜK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    KimyaGazi Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. TUNCER ÇAYKARA