Geri Dön

Using external magnetic field for increasing STT-RAM read/write reliability

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 403124
  2. Yazar: ENES EKEN
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. YIRAN CHEN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: University of Pittsburgh
  10. Enstitü: Yurtdışı Enstitü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 68

Özet

Özet yok.

Özet (Çeviri)

In recent years, we have been witnessing the rise of spin-transfer torque random access memory (STT-RAM) technology. There are a couple of reasons which explain why STT-RAM has attracted a great deal of attention. Although conventional memory technologies like SRAM, DRAM and Flash memories are commonly used in the modern computer industry, they have major shortcomings, such as high leakage current, high power consumption and volatility. Although these drawbacks could have been overlooked in the past, they have become major concerns. Its characteristics, including low-power consumption, fast read-write access time and non-volatility make STT-RAM a promising candidate to solve the problems of other memory technologies. However, like all other memory technologies, STT-RAM has some problems such as cell-to-cell process variations and intrinsic thermal fluctuations which are waiting to be solved. In order to solve these variations and improve read/write reliability, we propose the utilization of an external magnetic field. When an external magnetic field is applied to a magnetic tunnel junction (MTJ) during a read operation, a self-reference resistive signal will be generated. This self-reference resistance is a very important technique for improving read reliability. In addition, external magnetic field can also be used for improving MTJ switching time.

Benzer Tezler

  1. Monte Carlo study of compensation and critical temperatures in ferrimagnetic mixed Ising systems

    Ferrimanyetik karma Ising sistemlerinde karşılama ve kritik sıcaklıkların Monte Carlo incelemesi

    EBRU KIŞ ÇAM

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAMZA POLAT

    DOÇ. DR. EKREM AYDINER

  2. NiMn,NiMnP+ ve CrFe alaşım ince filmlerinde elektron spin rezonans (ESR) ve direnç ölçümleri

    Başlık çevirisi yok

    MUSTAFA ÖZDEMİR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YILDIRHAN ÖNER

  3. Flavonoidlerin seçimli ayrımı için manyetik moleküler baskılı polimer sentezi

    Magnetic molecularly impri̇nted polymer synthesi̇s for selecti̇ve separati̇on of flavonoi̇ds

    MERVE AKYÜZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KEVSER SÖZGEN BAŞKAN

  4. Development of single-frame methods aided kalman-type filtering algorithms for attitude estimation of nano-satellites

    Nano-uydularda yönelim kestirimi için tek-çerçeve yöntemlere dayali kalman-tipi filtreleme algoritmalarinin geliştirilmesi

    DEMET ÇİLDEN GÜLER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Havacılık Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Uçak ve Uzay Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ HACIZADE

    PROF. DR. ZEREFŞAN KAYMAZ

  5. Nife/X/Irmn (X: cu, cr, pt)-tabanlı planar hall etkisi sensörlerinin üretilmesi ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterization of nife/X/irmn (X: Cu, cr, pt)-based planar hall effect sensors

    HASAN PİŞKİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NUMAN AKDOĞAN