Geri Dön

Bir yarı-iletkenin özdirencinin ve dielektrik sabitinin kavite pertürbasyon metodu ile tayini

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 410956
  2. Yazar: MUZAFFER ORAL
  3. Danışmanlar: Belirtilmemiş.
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1971
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Ege Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Genel Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 91

Özet

Özet yok.

Özet (Çeviri)

Özet çevirisi mevcut değil.

Benzer Tezler

  1. Sıvı (Ag0,50 Cu0,50) 100-x Gex alaşımının özdirencinin sıcaklık ve konsantrasyon ile değişimi

    Başlık çevirisi yok

    ŞEHRİMAN ATALAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOndokuz Mayıs Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. İSMET ŞENEL

  2. Semiconducting junctions for solar energy production

    Güneş enerjisi üretimi için yarı iletken eklemler

    HUDA M. MUNEER ABD ALQADER ABD ALQADER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SERÇO SERKİS YEŞİLKAYA

  3. Bor oksit katkısının çinko oksit'in mikroyapı ve elektriksel özelliklerine etkisi

    The effect of boron oxide addition to the microstructure and electrical properties of zinc oxide

    BERAT YÜKSEL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TEVFİK OSMAN ÖZKAN

  4. In2S3, CdS ve In1-xCdxS yarı iletken ince filmlerinin Sılar Metodu ile büyütülmesi ve karakterizasyonu

    In2S3, CdS and In1-xCdxS semiconductor thin films growth by Sılar method and characterization

    MUTLU KUNDAKÇI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM

  5. CuInSe2 yarı iletkeninin elektrokimyasal yöntemle büyütülmesi ve Au/CuInSe2/p-Si/Al Schottky yapısının I-V(Akım-Gerilim) ve C-V(Kapasite Gerilim) ölçümleri ile karakterizasyonu

    Growth of the CuInSe2 semiconductor with electrochemical deposition technique and characterization of the Au/CuInSe2/p-Si/Al Schottky structure I-V (Current-Voltage) and C-V (Capacitance-Voltage) measurements

    ADEM AKDAĞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEVDET COŞKUN