Bir yarı-iletkenin özdirencinin ve dielektrik sabitinin kavite pertürbasyon metodu ile tayini
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 410956
- Danışmanlar: Belirtilmemiş.
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1971
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ege Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Genel Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 91
Özet
Özet yok.
Özet (Çeviri)
Özet çevirisi mevcut değil.
Benzer Tezler
- Sıvı (Ag0,50 Cu0,50) 100-x Gex alaşımının özdirencinin sıcaklık ve konsantrasyon ile değişimi
Başlık çevirisi yok
ŞEHRİMAN ATALAY
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Fizik ve Fizik MühendisliğiOndokuz Mayıs ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. İSMET ŞENEL
- Semiconducting junctions for solar energy production
Güneş enerjisi üretimi için yarı iletken eklemler
HUDA M. MUNEER ABD ALQADER ABD ALQADER
Doktora
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERÇO SERKİS YEŞİLKAYA
- Bor oksit katkısının çinko oksit'in mikroyapı ve elektriksel özelliklerine etkisi
The effect of boron oxide addition to the microstructure and electrical properties of zinc oxide
BERAT YÜKSEL
Doktora
Türkçe
2009
Metalurji Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TEVFİK OSMAN ÖZKAN
- In2S3, CdS ve In1-xCdxS yarı iletken ince filmlerinin Sılar Metodu ile büyütülmesi ve karakterizasyonu
In2S3, CdS and In1-xCdxS semiconductor thin films growth by Sılar method and characterization
MUTLU KUNDAKÇI
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM
- CuInSe2 yarı iletkeninin elektrokimyasal yöntemle büyütülmesi ve Au/CuInSe2/p-Si/Al Schottky yapısının I-V(Akım-Gerilim) ve C-V(Kapasite Gerilim) ölçümleri ile karakterizasyonu
Growth of the CuInSe2 semiconductor with electrochemical deposition technique and characterization of the Au/CuInSe2/p-Si/Al Schottky structure I-V (Current-Voltage) and C-V (Capacitance-Voltage) measurements
ADEM AKDAĞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEVDET COŞKUN